
- •1. Физические основы работы полупроводниковых приборов.
- •Поэтому плотность дрейфового тока
- •2. Механизм собственной электропроводности полупроводника.
- •3. Распределение электронов по энергетическим уровням.
- •4. Механизм примесной электропроводности полупроводников.
- •5. Физика явлений в p-n переходе.
- •6. Вентильные свойства p-n перехода.
- •7. Вольт - амперная характеристика р-n перехода.
- •8. Типы электрических пробоев.
- •9. Емкость р-n-перехода.
- •10. Другие типы p-n-переходов.
- •11. Контакт между полупроводниками одного типа проводимости.
- •12. Омические контакты.
- •13. Почему изменяется ширина канала в полевике от истока к стоку?
- •14. Что такое h параметры транзистора?
- •Выходные статические характеристики представляют собой зависимости:
- •18. Полевой транзистор с управляющим переходом и каналом p-типа.
- •19. Импульсные диоды.
- •20. Туннельные диоды.
- •21. Обращенный диод.
- •22. Диоды Шотки.
- •23. Варикапы.
- •24. Стабилитроны.
- •25. Стабисторы.
- •26. Выпрямительные диоды.
- •27. Система обозначения диодов.
- •30. Схема с общим коллектором.
- •Поскольку RвхБ представляет собой очень малую величину, то можно считать, что
- •31. Статические характеристики для схемы с общей базой.
- •1. Семейство входных статических характеристик представляет собой зависимость:
- •Семейство выходных статических характеристик представляет собой зависимости:
- •32. Статические характеристики для схемы с общим эмиттером.
- •1. Семейство входных статических характеристик представляет собой зависимость входного тока (Iб) от входного напряжения (Uбэ) при фиксированных значениях напряжения Uкэ:
- •В ыходные статические характеристики представляют собой зависимости:
- •33. Режим класса а.
- •34. Режим класса в.
- •35. Режим класса с.
- •36. Режим класса д.
- •37. Влияние температуры на работу транзистора.
- •38. Схема эмиттерной стабилизации.
- •39. Схема коллекторной стабилизации.
- •Полевики
- •41.Принцип работы полевого транзистора
- •42. Схемы включения полевого транзистора
- •43. Основные характеристики полевых транзисторов.
- •Эти характеристики показывают управляющее действие затвора и представляют собой зависимость тока стока в функции от напряжения на затворе (Uз) при постоянстве напряжения стока (Uc):
- •44. Основные параметры полевых транзисторов.
- •4 5. Полевые транзисторы с изолированным затвором.
- •46. Транзистор с индуцированным (инверсионным) каналом.
- •47. Тиристор
- •48, Вах тиристора
- •49. Диаграмма вольтамперной характеристики управляющей цепи
- •50. В чём заключается частичная управляемость тиристора
- •51. Основные параметры тиристоров.
- •52. Способы запирания тиристоров.
- •53. Двухоперационные тиристоры
- •54. Симисторы
- •59. Фотоэлементы.
- •60. Основные характеристики фотоэлементов.
- •61. Фотоэлектронные умножители.
- •62. Фоторезисторы.
- •63. Фотодиоды.
- •64. Основными характеристиками фотодиодов являются:
- •65. Фотодиодное включение.
- •66. Фототранзисторы
- •67. Вах фототранзистора
- •68. Фототиристоры.
- •69. Светодиоды.
- •70. Оптоэлектронные устройства.
69. Светодиоды.
Светодиоды - это излучающие полупроводниковые приборы с общим p-n переходом, преобразующие электрическую энергию в энергию некогерентного светового излучения.
Принцип
действия светодиодов основан на
использовании явления излучательной
рекомбинации. Когда через p-n
переход протекает прямой ток, то при
этом происходит рекомбинация носителей,
т.е. заполнение свободного энергетического
уровня в валентной зоне электроном,
находящимся в зоне проводимости, что,
естественно, сопровождается выделением
энергии. Чаще всего эта энергия выделяется
в виде тепла, но можно подобрать такие
полупроводниковые материалы, в которых
явление рекомбинации будет сопровождаться
излучением квантов лучистой энергии.
Обычно это наблюдается в полупроводниках,
представляющих собой двойные и тройные
соединения. Так, светодиоды красного,
желтого и зелёного свечения изготавливают
на основе фосфида галлия, с фиолетовым
свечением - на основе карбида кремния
и т.д. Конструктивное оформление
светодиодов также различное, однако
чаще всего они выполняются в виде
монокристалла полупроводника, в котором
создан p-n
переход; кристалл вмонтирован в стеклянный
корпус- линзу, свободно пропускающую
излучаемый свет (Рис.159).
Светодиоды нашли широкое применение в устройствах отображения информации, в вычислительных устройствах для ввода - вывода информации, а также в устройствах оптоэлектроники.
70. Оптоэлектронные устройства.
Оптоэлектроника - это область электроники, где используют методы преобразования световых сигналов в электрические и наоборот в системах передачи, обработки и хранения информации.
Э
лементами
оптоэлектронных устройств являются
фотоэлектронные приборы, рассмотренные
выше, а связь между элементами не
электрическая, а оптическая. Таким
образом, в оптоэлектронных устройствах
практически полностью устранена
гальваническая связь между входными и
выходными цепями и практически полностью
устранена обратная связь между входом
и выходом. Комбинируя элементы, входящие
в оптоэлектронные устройства, можно
получать самые различные их функциональные
свойства.
Простейшим оптоэлектронным устройством является оптрон.
Оптрон - это устройство, объединяющее в одном корпусе светодиод и приёмник фотоизлучения, например, фотодиод (Рис.160).
В
ходной,
усиливаемый сигнал UВХ
поступает на светодиод и вызывает его
свечение, которое по световому каналу
поступает на фотодиод. Фотодиод
открывается и в его цепи протекает ток
под действием источника Е; на резисторе
RH
создаётся падение напряжения, которое
представляет собой выходной сигнал
UВЫХ
, пропорциональный входному. Эффективную
оптическую связь между элементами
оптрона осуществляют с помощью средств
волоконной оптики - световодов, выполненных
в виде жгута из тонких прозрачных нитей,
по которым сигнал передаётся за счёт
полного внутреннего отражения с
минимальными потерями и с высокой
разрешающей способностью. Вместо
фотодиода в составе оптрона может быть
фототранзистор, фототиристор. Представляет
интерес ещё один оптоэлектронный прибор
- оптотранзистор
с прямой оптической связью.
Схематическое устройство этого прибора приведено на (Рис.161). Эмиттерный переход здесь, как обычно, включают в прямом направлении. За счёт явления излучательной рекомбинации он излучает свет. Коллекторный переход смещается, как обычно, в обратном направлении. Излучение с эмиттерного перехода поглощается в области коллекторного перехода, где за счёт внутреннего фотоэффекта образуется дополнительные носители зарядов, обусловливающих протекание тока в коллекторной цепи. Для нормальной работы оптотранзистора необходимо, чтобы в области базы не поглощалось излучение, испускаемое эмиттерным p-n переходом. Для гальванической развязки входной и выходной цепей в базе параллельно с p-n переходами создают высокоомный слой, обеднённый носителями электрических зарядов. Оптотранзистор имеет высокое быстродействие по сравнению с обычными транзисторами, а прямая оптическая связь обеспечивает отсутствие отражения, которое может существовать на границах между фотоизлучателем и фотоприёмником.