
- •1. Физические основы работы полупроводниковых приборов.
- •Поэтому плотность дрейфового тока
- •2. Механизм собственной электропроводности полупроводника.
- •3. Распределение электронов по энергетическим уровням.
- •4. Механизм примесной электропроводности полупроводников.
- •5. Физика явлений в p-n переходе.
- •6. Вентильные свойства p-n перехода.
- •7. Вольт - амперная характеристика р-n перехода.
- •8. Типы электрических пробоев.
- •9. Емкость р-n-перехода.
- •10. Другие типы p-n-переходов.
- •11. Контакт между полупроводниками одного типа проводимости.
- •12. Омические контакты.
- •13. Почему изменяется ширина канала в полевике от истока к стоку?
- •14. Что такое h параметры транзистора?
- •Выходные статические характеристики представляют собой зависимости:
- •18. Полевой транзистор с управляющим переходом и каналом p-типа.
- •19. Импульсные диоды.
- •20. Туннельные диоды.
- •21. Обращенный диод.
- •22. Диоды Шотки.
- •23. Варикапы.
- •24. Стабилитроны.
- •25. Стабисторы.
- •26. Выпрямительные диоды.
- •27. Система обозначения диодов.
- •30. Схема с общим коллектором.
- •Поскольку RвхБ представляет собой очень малую величину, то можно считать, что
- •31. Статические характеристики для схемы с общей базой.
- •1. Семейство входных статических характеристик представляет собой зависимость:
- •Семейство выходных статических характеристик представляет собой зависимости:
- •32. Статические характеристики для схемы с общим эмиттером.
- •1. Семейство входных статических характеристик представляет собой зависимость входного тока (Iб) от входного напряжения (Uбэ) при фиксированных значениях напряжения Uкэ:
- •В ыходные статические характеристики представляют собой зависимости:
- •33. Режим класса а.
- •34. Режим класса в.
- •35. Режим класса с.
- •36. Режим класса д.
- •37. Влияние температуры на работу транзистора.
- •38. Схема эмиттерной стабилизации.
- •39. Схема коллекторной стабилизации.
- •Полевики
- •41.Принцип работы полевого транзистора
- •42. Схемы включения полевого транзистора
- •43. Основные характеристики полевых транзисторов.
- •Эти характеристики показывают управляющее действие затвора и представляют собой зависимость тока стока в функции от напряжения на затворе (Uз) при постоянстве напряжения стока (Uc):
- •44. Основные параметры полевых транзисторов.
- •4 5. Полевые транзисторы с изолированным затвором.
- •46. Транзистор с индуцированным (инверсионным) каналом.
- •47. Тиристор
- •48, Вах тиристора
- •49. Диаграмма вольтамперной характеристики управляющей цепи
- •50. В чём заключается частичная управляемость тиристора
- •51. Основные параметры тиристоров.
- •52. Способы запирания тиристоров.
- •53. Двухоперационные тиристоры
- •54. Симисторы
- •59. Фотоэлементы.
- •60. Основные характеристики фотоэлементов.
- •61. Фотоэлектронные умножители.
- •62. Фоторезисторы.
- •63. Фотодиоды.
- •64. Основными характеристиками фотодиодов являются:
- •65. Фотодиодное включение.
- •66. Фототранзисторы
- •67. Вах фототранзистора
- •68. Фототиристоры.
- •69. Светодиоды.
- •70. Оптоэлектронные устройства.
37. Влияние температуры на работу транзистора.
Транзисторы установленные в электронной аппаратуре, во время работы подвергаются нагреванию как за счет собственного тепла, выделяющего при протекании по ним тока, так и за счет внешних источников тепла, например, расположенных рядом нагревающихся деталей. Как уже указывалось выше, изменение температуры оказывает значительное влияние на работу полупроводниковых приборов. В этом отношении не составляют исключения и транзисторы. В качестве иллюстрации этого приведем пример изменения под действием температуры выходных статических характеристик транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером (рис.88). Расчеты показывают, что при таком значительном изменении характеристик, а с ними и параметров, работа усилительного каскада в условиях меняющейся температуры может стать совершенно неудовлетворительной. Для устранения этого недостатка в схемы усилителей вводится температурная стабилизация. В первую очередь это касается стабилизации положения начальной рабочей точки. Наибольшее распространение для этой цели получили две схемы стабилизации: эмиттерная стабилизация и коллекторная стабилизация.
38. Схема эмиттерной стабилизации.
В
схеме усилительного каскада на рис.89
в цепь эмиттера включено сопротивление
RЭ,
шунтированное конденсатором CЭ.
Для создания смещения здесь используется
делитель напряжения R1
R2.
В соответствии с выбранным положением
начальной рабочей точки, определяемой
напряжением смещения, в коллекторной
цепи транзистора протекает начальный
коллекторный ток IОК.
Этот ток создает на эмиттерном
сопротивлении RЭ
падение напряжения
URэ=IОКRЭ . (104)
Полярность этого падения напряжения направлена навстречу падению напряжения на сопротивлении R2 делителя напряжения, создающего напряжение смещения. Поэтому результирующее напряжение, определяющее смещение рабочей точки составляет:
UОБ=UR2-URэ=IдR2-IОКRЭ. (105)
При повышении температуры транзистора его начальный коллекторный ток IОК возрастает и, следовательно, возрастает второе слагаемое в (105). Это приводит к снижению величины напряжения на базе (UОБ) и к уменьшению тока базы смещения IБсм и к снижению начального коллекторного тока IОК. То есть в данной схеме имеет место передача части энергии усиливаемого сигнала из выходной цепи усилителя во входную, что называется обратной связью. Если подаваемый с выхода на вход усилителя сигнал обратной связи находится в противофазе со входным, ослабляет его, то такая обратная связь называется отрицательной, а если наоборот, сигнал обратной связи находится в фазе со входным сигналом и усиливает его, то такая обратная часть называется положительной. В нашем случае сигнал обратной связи (URэ) вычитается из напряжения UR2, приложенного ко входу усилителя, то есть обратная связь здесь отрицательная. Легко показать, что отрицательная обратная связь уменьшает коэффициент усиления усилителя, но зато стабилизирует его начальную рабочую точку. Для того чтобы усиливаемый полезный сигнал (сигнал переменного тока) не ослаблялся под действием вводимой обратной связи, параллельно сопротивлению обратной связи RЭ включается конденсатор СЭ. Имея малое сопротивление по переменной составляющей, он пропускает ее через себя, а постоянная составляющая IОК протекает через RЭ. Поэтому в сигнале обратной связи нет падения напряжения от переменной составляющей и, следовательно, не будет уменьшаться коэффициент усиления.