- •Лабораторная работа 1 температурная зависимость проводимости полупроводниковых материалов
- •1.1 Основные понятия и определения
- •1.2. Описание образцов, использованных в работе
- •1.3. Описание установки
- •1.4. Проведение испытаний
- •1.5. Обработка результатов.
- •1.6. Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа 2 исследование полупроводниковых выпрямительных диодов
- •2.1. Основные понятия и определения
- •2.2. Описание установки
- •2.3. Проведение исследований
- •2.3.1. Исследование прямой ветви вольт-амперной характеристики
- •2.3.2. Исследование обратной ветви вольт-амперной характеристики
- •2.3.3. Исследование частотных свойств выпрямительного диода
- •2.3.4 Исследование вольт-амперной характеристики диодов при повышенной температуре
- •2.4. Обработка результатов
- •2.5. Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа 3 исследование статических характеристик и параметров биполярного транзистора
- •3.1. Основные понятия и определения
- •3.2. Исследование статических характеристик биполярного транзистора методом характериографа
- •3.2.1. Описание установки
- •3.2.2. Исследование статических характеристик транзистора
- •3.2.3. Исследование статических коэффициентов передачи тока транзистора
- •3.2.4. Измерение обратного тока коллектора
- •3.2.5. Исследование пробивного напряжения транзистора
- •3.3. Обработка результатов и расчет параметров
- •3.5. Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа 4 исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов
- •4.1. Основные понятия и определения
- •4.2. Описание установки
- •4.3. Проведение измерений
- •4.4. Обработка результатов и расчет параметров
- •4.5. Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа 5 исследование биполярного транзистора при работе на малом переменном сигнале
- •5.1. Основные понятия и определения
- •5.2. Описание установки
- •5.3. Проведение испытаний
- •5.3.1. Исследование h-параметров транзистора в схеме с общей базой
- •5.3.2. Исследование h-параметров транзистора в схеме с общим эмиттером
- •5.3.3. Исследование частотных зависимостей коэффициентов передачи токов эмиттера и базы
- •5.4. Обработка результатов
- •5.5. Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа 6 исследование импульсных свойств биполярного транзистора
- •6.1. Основные понятия и определения
- •6.2. Схема установки
- •6.3. Проведение испытаний
- •6.3.1. Подготовка к испытаниям
- •6.3.2. Исследование зависимости времени нарастания и времени рассасывания от напряжения источника питания в цепи коллектора
- •6.3.3. Исследование зависимости времени нарастания и времени рассасывания от амплитуды импульса тока эмиттера
- •6.4. Обработка результатов
- •6.5. Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа 7 исследование интегральных микросхем
- •7.1. Основные понятия и определения
- •7.2. Описание установки
- •7.3. Проведение испытаний
- •7.3.1. Определение логических операций, выполняемых полупроводниковой микросхемой
- •7.3.2. Исследование входной и прямой передаточной характеристик логической полупроводниковой микросхемы
- •7.3.3. Определение мощности, потребляемой логической полупроводниковой микросхемой
- •7.3.4. Изучение конструкции гибридной имс
- •7.4. Обработка результатов и расчет параметров
- •7.5. Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа 8 исследование полупроводниковых источников излучения
- •8.1. Основные понятия и определения
- •8.2. Описание установки
- •8.3 Проведение измерений
- •8.3.1. Исследование спектральных характеристик сид
- •8.3.2. Исследование яркостных и вольт-амперных характеристик сид
- •8.3.3. Исследование яркостной характеристики ил
- •8.3.4. Исследование спектральных характеристики ил
- •8.4. Обработка результатов
- •9.1. Основные понятия и определения
- •9.2. Описание установки
- •9.3. Проведение испытаний
- •9.3.1. Исследование спектральной характеристики фд
- •9.3.2. Исследование световых характеристик фд
- •9.4. Обработка результатов
- •9.5. Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа 10 исследование полупроводниковых стабилитронов и стабистора
- •10.1. Основные понятия и определения
- •10.2. Установка для исследований
- •10.3. Порядок проведения исследований
- •10.3.1. Исследование вах стабилитрона
- •10.3.2. Исследование параметров стабилитронов
- •10.3.3. Исследование параметрического стабилизатора напряжения
- •10.4. Обработка экспериментальных результатов и расчет параметров
- •10.5. Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа 11 исследование тиристора
- •11.1. Основные понятия и определения
- •11.2. Описание установки
- •11.3. Проведение исследований
- •11.3.1. Исследование вольт-амперной характеристики тиристора
- •11.3.2. Измерение параметров тиристора
- •11.3.3. Исследование зависимости напряжения включения тиристора от тока управляющего электрода
- •11.3.4. Исследование параметров тиристора при повышенной температуре
- •11.3.5. Исследование регулятора мощности
- •11.4. Обработка результатов
- •11.5. Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа 12 исследование туннельных диодов
- •12.1. Основные понятия и определения
- •12.2. Описание установок для проведения исследований
- •12.2.1. Схема для исследования вольт-амперной характеристики тд
- •12.2.2. Схема для изучения эффекта дискретно-аналоговой памяти
- •12.2.3. Схема для исследования эффектов усиления и генерации электрических сигналов
- •12.3. Порядок проведения исследований
- •12.3.1. Исследование вольт-амперной характеристики
- •12.3.2. Исследование функции дискретно-аналоговой памяти
- •12.3.3. Изучение эффекта усиления
- •12.3.4. Изучение эффекта генерации
- •12.4. Обработка результатов
- •12.5. Контрольные вопросы
- •Список рекомендованной литературы
- •Содержание
11.3.2. Измерение параметров тиристора
Пользуясь изображением вольт-амперной характеристики на экране осциллографа и учитывая масштаб по осям координат, измерить при комнатной температуре и записать в табл. 11.1 основные параметры тиристора: при Iу = 1 мА – ток тиристора в закрытом состоянии Iзкр (при Uзкр, равном примерно половине от Uвкл), ток включения Iвкл, удерживающий ток Iуд и напряжение включения Uвкл; при Iу = 5 мА – Uоткр (увеличив масштаб по горизонтальной оси до 20 мВ/дел´10), а также ток тиристора при включении его в обратном направлении – Iобр.
Таблица 11.1
Т, С |
Iу = 1 мА |
Iу = 5 мА |
Iобр, мА |
|||
Iзкр, мА |
Iвкл, мА |
Iуд, мА |
Uвкл, В |
Uоткр, В |
||
20 |
|
|
|
|
|
|
50 |
|
|
|
|
|
|
11.3.3. Исследование зависимости напряжения включения тиристора от тока управляющего электрода
Исследовать зависимость напряжения включения тиристора от тока управляющего электрода при комнатной температуре. Результаты записать в табл. 11.2. Напряжение включения измерять по ВАХ на экране осциллографа.
Таблица 11.2
Т, С |
Uвкл, В |
||||||
Iу = 1 мА |
Iу = 1,5 мА |
Iу = 2 мА |
Iу = 2,5 мА |
Iу = 3 мА |
Iу = 3,5 мА |
Iу = 4 мА |
|
20 |
|
|
|
|
|
|
|
50 |
|
|
|
|
|
|
|
11.3.4. Исследование параметров тиристора при повышенной температуре
Включить нагрев термостата. После достижения заданной температуры (через 3–5 мин) провести измерения, как описано в 11.3.2 и 11.3.3, для температуры 50 С. Выключить нагрев термостата.
11.3.5. Исследование регулятора мощности
Включить осциллограф в режим временной развертки, для чего переключатель синхронизации установить в положение "I, II", а регулятор развертки установить в положение 2 мс/дел.
Установить переключатель режима работы в положение "II, X–Y". При этом на экране будет разворачиваться во времени сигнал, поступающий на вход канала II, т. е. напряжение на резисторе Rт (см. рис. 11.4, а – кривая UR при 0…π), выступающем в роли нагрузки. Форма этого напряжения за период в точности повторяет форму тока, протекающего через тиристор, а значение тока через тиристор пропорционально падению напряжения на резисторе Rт. Поэтому можно утверждать, что ток, протекающий через тиристор, пропорционален площади, ограниченной этой кривой и осью абсцисс t. Регулировкой уровня синхронизации добиться устойчивого изображения. Зарисовать на одном графике осциллограммы напряжения на нагрузке (от 0 до π) при токе управляющего электрода 0, 1, 3, 5 мА, отметив изменение фазового угла включения тиристора в зависимости от тока управляющего электрода.
Установить переключатель режима работы осциллографа в положение "I", тогда на экране будет разворачиваться сигнал, поступающий на вход канала I, т. е. напряжение, снимаемое с тиристора (ср. рис. 11.4, а – кривая UА при 0…π). Зарисовать осциллограмму этого напряжения при Iу = 1 мА.
Так как генератор G1 обеспечивает напряжение только одной полярности (полусинусоида), то картины на осциллографе каждые полпериода совпадают с кривыми, изображенными на рис. 11.4, а, в диапазоне 0…π.