- •Лабораторная работа 1 температурная зависимость проводимости полупроводниковых материалов
- •1.1 Основные понятия и определения
- •1.2. Описание образцов, использованных в работе
- •1.3. Описание установки
- •1.4. Проведение испытаний
- •1.5. Обработка результатов.
- •1.6. Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа 2 исследование полупроводниковых выпрямительных диодов
- •2.1. Основные понятия и определения
- •2.2. Описание установки
- •2.3. Проведение исследований
- •2.3.1. Исследование прямой ветви вольт-амперной характеристики
- •2.3.2. Исследование обратной ветви вольт-амперной характеристики
- •2.3.3. Исследование частотных свойств выпрямительного диода
- •2.3.4 Исследование вольт-амперной характеристики диодов при повышенной температуре
- •2.4. Обработка результатов
- •2.5. Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа 3 исследование статических характеристик и параметров биполярного транзистора
- •3.1. Основные понятия и определения
- •3.2. Исследование статических характеристик биполярного транзистора методом характериографа
- •3.2.1. Описание установки
- •3.2.2. Исследование статических характеристик транзистора
- •3.2.3. Исследование статических коэффициентов передачи тока транзистора
- •3.2.4. Измерение обратного тока коллектора
- •3.2.5. Исследование пробивного напряжения транзистора
- •3.3. Обработка результатов и расчет параметров
- •3.5. Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа 4 исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов
- •4.1. Основные понятия и определения
- •4.2. Описание установки
- •4.3. Проведение измерений
- •4.4. Обработка результатов и расчет параметров
- •4.5. Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа 5 исследование биполярного транзистора при работе на малом переменном сигнале
- •5.1. Основные понятия и определения
- •5.2. Описание установки
- •5.3. Проведение испытаний
- •5.3.1. Исследование h-параметров транзистора в схеме с общей базой
- •5.3.2. Исследование h-параметров транзистора в схеме с общим эмиттером
- •5.3.3. Исследование частотных зависимостей коэффициентов передачи токов эмиттера и базы
- •5.4. Обработка результатов
- •5.5. Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа 6 исследование импульсных свойств биполярного транзистора
- •6.1. Основные понятия и определения
- •6.2. Схема установки
- •6.3. Проведение испытаний
- •6.3.1. Подготовка к испытаниям
- •6.3.2. Исследование зависимости времени нарастания и времени рассасывания от напряжения источника питания в цепи коллектора
- •6.3.3. Исследование зависимости времени нарастания и времени рассасывания от амплитуды импульса тока эмиттера
- •6.4. Обработка результатов
- •6.5. Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа 7 исследование интегральных микросхем
- •7.1. Основные понятия и определения
- •7.2. Описание установки
- •7.3. Проведение испытаний
- •7.3.1. Определение логических операций, выполняемых полупроводниковой микросхемой
- •7.3.2. Исследование входной и прямой передаточной характеристик логической полупроводниковой микросхемы
- •7.3.3. Определение мощности, потребляемой логической полупроводниковой микросхемой
- •7.3.4. Изучение конструкции гибридной имс
- •7.4. Обработка результатов и расчет параметров
- •7.5. Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа 8 исследование полупроводниковых источников излучения
- •8.1. Основные понятия и определения
- •8.2. Описание установки
- •8.3 Проведение измерений
- •8.3.1. Исследование спектральных характеристик сид
- •8.3.2. Исследование яркостных и вольт-амперных характеристик сид
- •8.3.3. Исследование яркостной характеристики ил
- •8.3.4. Исследование спектральных характеристики ил
- •8.4. Обработка результатов
- •9.1. Основные понятия и определения
- •9.2. Описание установки
- •9.3. Проведение испытаний
- •9.3.1. Исследование спектральной характеристики фд
- •9.3.2. Исследование световых характеристик фд
- •9.4. Обработка результатов
- •9.5. Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа 10 исследование полупроводниковых стабилитронов и стабистора
- •10.1. Основные понятия и определения
- •10.2. Установка для исследований
- •10.3. Порядок проведения исследований
- •10.3.1. Исследование вах стабилитрона
- •10.3.2. Исследование параметров стабилитронов
- •10.3.3. Исследование параметрического стабилизатора напряжения
- •10.4. Обработка экспериментальных результатов и расчет параметров
- •10.5. Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа 11 исследование тиристора
- •11.1. Основные понятия и определения
- •11.2. Описание установки
- •11.3. Проведение исследований
- •11.3.1. Исследование вольт-амперной характеристики тиристора
- •11.3.2. Измерение параметров тиристора
- •11.3.3. Исследование зависимости напряжения включения тиристора от тока управляющего электрода
- •11.3.4. Исследование параметров тиристора при повышенной температуре
- •11.3.5. Исследование регулятора мощности
- •11.4. Обработка результатов
- •11.5. Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа 12 исследование туннельных диодов
- •12.1. Основные понятия и определения
- •12.2. Описание установок для проведения исследований
- •12.2.1. Схема для исследования вольт-амперной характеристики тд
- •12.2.2. Схема для изучения эффекта дискретно-аналоговой памяти
- •12.2.3. Схема для исследования эффектов усиления и генерации электрических сигналов
- •12.3. Порядок проведения исследований
- •12.3.1. Исследование вольт-амперной характеристики
- •12.3.2. Исследование функции дискретно-аналоговой памяти
- •12.3.3. Изучение эффекта усиления
- •12.3.4. Изучение эффекта генерации
- •12.4. Обработка результатов
- •12.5. Контрольные вопросы
- •Список рекомендованной литературы
- •Содержание
9.5. Контрольные вопросы
1. Каковы физические основы работы фотодиода?
2. Как объяснить спектральную характеристику ФД?
3. Как объяснить световые характеристики ФД?
4. Чем объяснить различие пор для разных ФД?
5. Укажите области приложения ФД в устройствах оптоэлектроники.
Лабораторная работа 10 исследование полупроводниковых стабилитронов и стабистора
10.1. Основные понятия и определения
Цель работы – исследование ВАХ и основных параметров полупроводниковых стабилитронов и стабистора.
Полупроводниковый стабилитрон – это полупроводниковый диод, напряжение на котором в области электрического пробоя при обратном смещении слабо зависит от тока в заданном его диапазоне и который предназначен для стабилизации напряжения. Полупроводниковый стабистор – это полупроводниковый диод, напряжение на котором в области прямого смещения слабо зависит от тока в заданном его диапазоне. Стабистор, как и стабилитрон, предназначен для стабилизации напряжения.
В зависимости от физических явлений, приводящих к электрическому пробою, различают лавинный и туннельный пробои. Лавинный пробой обусловлен лавинным размножением носителей заряда под действием электрического поля. Он наблюдается в широких p-n-переходах. В этом случае носители заряда, проходя через переход, ускоряются в сильном электрическом поле на длине свободного пробега и приобретают энергию, достаточную для ударной ионизации атомов полупроводника. Вновь возникающие электронно-дырочные пары тоже ускоряются полем, поэтому ударная ионизация сопровождается размножением носителей заряда, что приводит к увеличению тока. Туннельный пробой связан с туннельным эффектом. Туннелирование возможно, если толщина потенциального барьера довольно мала. Такие условия возникают в узких p-n-переходах при определенной напряженности электрического поля, когда имеет место большой наклон энергетических зон. В этом случае электроны переходят из валентной зоны в зону проводимости без изменения энергии – туннелируют сквозь узкий потенциальный барьер благодаря своим квантово-механическим свойствам. Вероятность туннелирования очень сильно зависит от напряженности электрического поля. Туннельный эффект приводит к росту тока.
Таким образом, при лавинном и туннельном пробоях диода происходит резкое увеличение обратного тока при малых изменениях обратного напряжения. Это свойство и используется для создания приборов, стабилизирующих напряжение, – стабилитронов.
Для характеристики свойств стабилитронов и стабисторов используют ряд параметров. Напряжение стабилизации Uст – это значение напряжения на стабилитроне при прохождении заданного тока. Пробивное напряжение диода, а значит, и напряжение стабилизации стабилитрона зависит от толщины p‑n‑перехода и, следовательно, от удельного объемного сопротивления базы диода. Поэтому разные стабилитроны имеют различные напряжения стабилизации (от 3 до 400 В). Низковольтные стабилитроны (Uст < 6 В) изготавливают на основе сильнолегированного кремния. В них наблюдается туннельный пробой. Высоковольтные стабилитроны (Uст > 6 В) делают из слаболегированного кремния. Их работа связана с лавинным пробоем. Малые напряжения стабилизации стабисторов (0,7…2 В) определяются прямым смещением p-n-переходов нескольких последовательно включенных диодов (от одного до трех).
Температурный коэффициент напряжения стабилизации ст – это величина, определяемая отношением относительного изменения напряжения стабилизации к изменению температуры окружающей среды при неизменном токе стабилитрона или стабистора:
.
В обобщенной по многим стабилитронам зависимости этот параметр положителен у высоковольтных и отрицателен – у низковольтных стабилитронов, что связано с различной температурной зависимостью напряжения при лавинном и туннельном пробоях. Изменению знака ст соответствует напряжение стабилизации Uст 6 В. У стабисторов ст отрицателен.
Дифференциальное сопротивление стабилитрона (стабистора) rст – это отношение приращения напряжения стабилизации к вызвавшему его малому приращению тока в режиме стабилизации
.
Обобщенная зависимость у стабилитронов выражается кривой с минимумом при Uст 6 В. При больших напряжениях стабилизации стабилитронов этот параметр возрастает, что обусловлено влиянием объемного сопротивления базы. При уменьшении напряжения стабилизации он также растет в связи с меньшим числом туннельных переходов при увеличении уровня легирования p- и n-областей диодной структуры.