- •Лабораторная работа 1 температурная зависимость проводимости полупроводниковых материалов
- •1.1 Основные понятия и определения
- •1.2. Описание образцов, использованных в работе
- •1.3. Описание установки
- •1.4. Проведение испытаний
- •1.5. Обработка результатов.
- •1.6. Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа 2 исследование полупроводниковых выпрямительных диодов
- •2.1. Основные понятия и определения
- •2.2. Описание установки
- •2.3. Проведение исследований
- •2.3.1. Исследование прямой ветви вольт-амперной характеристики
- •2.3.2. Исследование обратной ветви вольт-амперной характеристики
- •2.3.3. Исследование частотных свойств выпрямительного диода
- •2.3.4 Исследование вольт-амперной характеристики диодов при повышенной температуре
- •2.4. Обработка результатов
- •2.5. Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа 3 исследование статических характеристик и параметров биполярного транзистора
- •3.1. Основные понятия и определения
- •3.2. Исследование статических характеристик биполярного транзистора методом характериографа
- •3.2.1. Описание установки
- •3.2.2. Исследование статических характеристик транзистора
- •3.2.3. Исследование статических коэффициентов передачи тока транзистора
- •3.2.4. Измерение обратного тока коллектора
- •3.2.5. Исследование пробивного напряжения транзистора
- •3.3. Обработка результатов и расчет параметров
- •3.5. Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа 4 исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов
- •4.1. Основные понятия и определения
- •4.2. Описание установки
- •4.3. Проведение измерений
- •4.4. Обработка результатов и расчет параметров
- •4.5. Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа 5 исследование биполярного транзистора при работе на малом переменном сигнале
- •5.1. Основные понятия и определения
- •5.2. Описание установки
- •5.3. Проведение испытаний
- •5.3.1. Исследование h-параметров транзистора в схеме с общей базой
- •5.3.2. Исследование h-параметров транзистора в схеме с общим эмиттером
- •5.3.3. Исследование частотных зависимостей коэффициентов передачи токов эмиттера и базы
- •5.4. Обработка результатов
- •5.5. Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа 6 исследование импульсных свойств биполярного транзистора
- •6.1. Основные понятия и определения
- •6.2. Схема установки
- •6.3. Проведение испытаний
- •6.3.1. Подготовка к испытаниям
- •6.3.2. Исследование зависимости времени нарастания и времени рассасывания от напряжения источника питания в цепи коллектора
- •6.3.3. Исследование зависимости времени нарастания и времени рассасывания от амплитуды импульса тока эмиттера
- •6.4. Обработка результатов
- •6.5. Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа 7 исследование интегральных микросхем
- •7.1. Основные понятия и определения
- •7.2. Описание установки
- •7.3. Проведение испытаний
- •7.3.1. Определение логических операций, выполняемых полупроводниковой микросхемой
- •7.3.2. Исследование входной и прямой передаточной характеристик логической полупроводниковой микросхемы
- •7.3.3. Определение мощности, потребляемой логической полупроводниковой микросхемой
- •7.3.4. Изучение конструкции гибридной имс
- •7.4. Обработка результатов и расчет параметров
- •7.5. Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа 8 исследование полупроводниковых источников излучения
- •8.1. Основные понятия и определения
- •8.2. Описание установки
- •8.3 Проведение измерений
- •8.3.1. Исследование спектральных характеристик сид
- •8.3.2. Исследование яркостных и вольт-амперных характеристик сид
- •8.3.3. Исследование яркостной характеристики ил
- •8.3.4. Исследование спектральных характеристики ил
- •8.4. Обработка результатов
- •9.1. Основные понятия и определения
- •9.2. Описание установки
- •9.3. Проведение испытаний
- •9.3.1. Исследование спектральной характеристики фд
- •9.3.2. Исследование световых характеристик фд
- •9.4. Обработка результатов
- •9.5. Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа 10 исследование полупроводниковых стабилитронов и стабистора
- •10.1. Основные понятия и определения
- •10.2. Установка для исследований
- •10.3. Порядок проведения исследований
- •10.3.1. Исследование вах стабилитрона
- •10.3.2. Исследование параметров стабилитронов
- •10.3.3. Исследование параметрического стабилизатора напряжения
- •10.4. Обработка экспериментальных результатов и расчет параметров
- •10.5. Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа 11 исследование тиристора
- •11.1. Основные понятия и определения
- •11.2. Описание установки
- •11.3. Проведение исследований
- •11.3.1. Исследование вольт-амперной характеристики тиристора
- •11.3.2. Измерение параметров тиристора
- •11.3.3. Исследование зависимости напряжения включения тиристора от тока управляющего электрода
- •11.3.4. Исследование параметров тиристора при повышенной температуре
- •11.3.5. Исследование регулятора мощности
- •11.4. Обработка результатов
- •11.5. Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа 12 исследование туннельных диодов
- •12.1. Основные понятия и определения
- •12.2. Описание установок для проведения исследований
- •12.2.1. Схема для исследования вольт-амперной характеристики тд
- •12.2.2. Схема для изучения эффекта дискретно-аналоговой памяти
- •12.2.3. Схема для исследования эффектов усиления и генерации электрических сигналов
- •12.3. Порядок проведения исследований
- •12.3.1. Исследование вольт-амперной характеристики
- •12.3.2. Исследование функции дискретно-аналоговой памяти
- •12.3.3. Изучение эффекта усиления
- •12.3.4. Изучение эффекта генерации
- •12.4. Обработка результатов
- •12.5. Контрольные вопросы
- •Список рекомендованной литературы
- •Содержание
5.3. Проведение испытаний
5.3.1. Исследование h-параметров транзистора в схеме с общей базой
Поставить переключатель S1 в положение "ОБ". Убедиться, что кнопка S4 находится в нажатом положении "Вкл. колл". Установить постоянный ток эмиттера IЭ = 1 мА и постоянное напряжение на коллекторе UКБ = 5 В. Перевести переключатель S2 в положение "h11б, h21б". Задать определенное значение переменного тока эмиттера генератором G3 с частотой 1 кГц, добившись на генераторе измеряемого электронным вольтметром PU1 (положение переключателя S3 – "UG") напряжения, равного 1 В.
Для определения h11б и h21б измерить переменное напряжение на эмиттере Uэб и напряжение . Данные записать в табл. 5.1.
Таблица 5.1
IЭ, мА |
Короткое замыкание цепи коллектора (Uкб = 0) |
Холостой ход в цепи эмиттера (Iэ = 0) |
||||||||||||
UG, В |
Uэб, мВ |
, мВ |
Iэ, мкА |
h11б, Ом |
Iк, мкА |
h21б |
Uкб, В |
Uэб, мВ |
h12б |
, мВ |
Uкб, В |
I'к, мкА |
h22б,См |
|
1 |
1 |
|
|
|
|
|
|
1 |
|
|
|
|
|
|
3 |
1 |
|
|
|
|
|
|
1 |
|
|
|
|
|
|
Перевести переключатель S2 в положение "h12б, h22б".
Для определения h12б регулировкой выходного напряжения генератора G3 установить на коллекторе переменное напряжение Uкб = 1 В и измерить напряжение на эмиттере Uэб. Данные занести в табл. 5.1.
Для определения h22б при отпущенной кнопке S4 установить напряжение = 3 мВ (на пределе вольтметра PU1 "3 мВ"). Повторить измерение при нажатой кнопке S4. Найти разность полученных значений . Измерить переменное напряжение на коллекторе Uкб. Данные занести в табл. 5.1.
Повторить все измерения при постоянном токе эмиттера IЭ = 3 мА и том же постоянном напряжении на коллекторе.
5.3.2. Исследование h-параметров транзистора в схеме с общим эмиттером
Поставить переключатель S1 в положение "ОЭ". Перевести переключатель S2 в положение "h11э, h21э". Убедиться, что кнопка S4 находится в нажатом положении "Вкл. колл.". Установить постоянный ток базы IБ = 0,1 мА и постоянное напряжение на коллекторе UКЭ = 5 В. Задать для генератора переменного тока с частотой 1 кГц, включенного во входную цепь, напряжение UG = 1 В. Измерить переменное напряжение на базе Uбэ и падение напряжения на резисторе R2 с помощью электронного вольтметра PU1. Данные записать в табл. 5.2.
Таблица 5.2
IБ, мА |
Короткое замыкание цепи коллектора (Uкэ = 0) |
Холостой ход в цепи эмиттера (Iб = 0) |
||||||||||||
UG, В |
Uбэ, мВ |
, мВ |
Iб, мкА |
h11э, Ом |
Iк, мкА |
h21э |
Uкэ, В |
Uбэ, мВ |
h12э |
, мВ |
Uкэ, В |
I’к, мкА |
h22э,См |
|
0,1 |
1 |
|
|
|
|
|
|
1 |
|
|
|
|
|
|
0,3 |
1 |
|
|
|
|
|
|
1 |
|
|
|
|
|
|
Перевести переключатель S2 в положение “h12э, h22э”. Для определения h12э регулировкой выходного напряжения генератора G3 установить переменное напряжение на коллекторе Uкэ = 1 В и измерить напряжение на эмиттере Uбэ. Данные занести в табл. 5.2.
Для определения h22э при отпущенной кнопке S4 установить напряжение = 10 мВ (на пределе вольтметра PU1 "10 мВ"). Повторить измерение при нажатой кнопке S4. Найти разность полученных значений. Измерить переменное напряжение на коллекторе Uкэ. Данные занести в табл. 5.2.
Повторить все измерения при постоянном токе базы IБ = 0,3 мА и том же постоянном напряжении на коллекторе.