8.2. Описание установки

Схема установки для исследования характеристик СИД и ИЛ представлена на рис. 8.1. Ток через эти приборы, поочередно подключаемые к схеме переключателем S1, регулируют резистором R1 и измеряют миллиамперметром РА. Резистор R2 большого сопротивления обеспечивает режим источника тока. Падение напряжения на СИД можно измерить вольтметром, который необходимо подключить к клеммам PU на передней панели стенда.

Рис. 8.1. Схема для исследования характеристик СИД и ИЛ

Световое излучение от исследуемого прибора через спектрофотометр СФ попадает на фоторезистор R3. При изменении сопротивления фоторезистора изменяется ток в его цепи, измеряемый микроамперметром, показания которого (в условных единицах) пропорциональны силе монохроматического света с длиной волны, соответствующей положению барабана СФ.

8.3 Проведение измерений

8.3.1. Исследование спектральных характеристик сид

Включить тумблеры "Сеть" спектрофотометра и вольтметра PU. Подключить к схеме первый СИД. Для этого переключатель S1, а также каретку, находящуюся с правой стороны СФ, следует перевести в положение 1. Должен загореться индикатор 1. Резистором R1 увеличить ток, протекающий через СИД, до максимального значения. Установить ширину щели 2 мм (регулятор "Щель" на лицевой панели спектрофотометра). Вращая ручку в левой нижней части установки, изменить длину волны проходящего через спектрофотометр излучения таким образом, чтобы показания микроамперметра PJ_ф были максимальны. Если микроамперметр PJ_ф зашкалит, следует уменьшить ширину щели. Отметить полученные длину волны и ширину щели. Исследовать зависимость J_ф от , регулируя длину волны от 450 до 950 нм через 50 нм, а в области излучения СИД – через 5 нм. Результаты занести в табл. 8.1.

Таблица 8.1

Номер светоизлучающего диода
1			2			3
, нм	Jф, у. е.		, нм	Jф, у. е.		, нм	Jф, у. е.

По такому же алгоритму исследовать спектральные характеристики светодиодов 2 и 3, не забыв переключить и каретку, и тумблер S1.

8.3.2. Исследование яркостных и вольт-амперных характеристик сид

Включить первый СИД. Установить длину волны, соответствующую максимуму спектральной характеристики, и ширину щели, полученные в 8.3.1. Резистором R1 изменять ток, протекающий через СИД, от 0 до максимального значения через 1 мА. При каждом значении тока регистрировать показания микроамперметра PJ_ф, пропорциональные интенсивности излучения J_ф, а также с помощью вольтметра, подключенного к гнездам РU стенда, определять напряжение на светоизлучающем диоде. Результаты измерений записать в табл. 8.2.

Таблица 8.2

I, мА	Номер полупроводникового излучателя
	1		2		3		4
	Jф, у. е.	U, В	Jф, у. е.	U, В	Jф, у. е.	U, В	Jф, у. е.

Аналогично исследовать характеристики светодиодов 2 и 3.