- •Содержание
- •14 Устройства преобразования сигналов……………………...68
- •23 Последовательностные логические устройства……..102
- •Модуль 1. Элементная база электронных устройств
- •1 Современные методы проектирования электронных устройств и пассивные элементы
- •1.1 Основные этапы проектирования электронных устройств и параметры электрических сигналов
- •Частота сигнала будет
- •Резисторы, варисторы и конденсаторы. Условное графическое обозначение, виды, параметры и маркировка
- •1.3 Катушки индуктивности, трансформаторы и электромеханические элементы (переключатели, разъемы и т.Д.)
- •2 Полупроводниковые диоды
- •2.1 Принцип действия полупроводникового диода, его условное обозначения, характеристики и параметры
- •2.2 Математические модели диодов и их применение для анализа электрических схем
- •Обратное включение
- •Для расчета схем с диодами применяют часто графо – аналитический метод который представляет графическое решение систем уравнений. Пример образованный параметрами схемы графо-аналитическим методом.
- •2.3 Разновидности полупроводниковых диодов, их классификация и система обозначений
- •3 Биполярные транзисторы
- •3.1 Устройство и принцип действия биполярных транзисторов различного типа проводимости. Условные графические обозначения, классификация и маркировка
- •Структура биполярных транзисторов
- •3.2 Схемы включения биполярного транзистора
- •3.3 Математические модели биполярного транзистора для различных схем включения
- •Свойства
- •4 Полевые транзисторы и приборы с отрицательным сопротивлением.
- •4.1 Устройство и принцип действия полевых транзисторов с p-n переходом и с изолированным затвором
- •4.2 Схемы включения и математические модели полевых транзисторов
- •4.3 Тиристоры. Принцип действия, параметры и маркировка
- •4.4 Однопереходные транзисторы и туннельные диоды
- •5 Полупроводниковые датчики и индикаторные приборы
- •5.1 Полупроводниковые датчики температуры и усилия
- •5.2 Магнитно-полупроводниковые приборы
- •5.3 Источники и приёмники оптического излучения
- •Полупроводниковые лазерные диоды(аналогичны излучающим диодам, только после Iпр.Граничное происходит излучение когерентное и значительно увеличивается его мощность.)
- •5.4 Индикаторные приборы и их применения
- •Модуль 2. Схемотехника аналоговых и импульсных электронных устройств
- •6 Электронные усилители
- •6.1 Назначения усилителей, их параметры и характеристики
- •6.2 Обратная связь в усилителях и её разновидности
- •7 Усилительный каскад на биполярном транзисторе по схеме с общим эмиттером
- •7.1 Анализ работы усилительного каскада в режиме покоя
- •7.2 Эквивалентная схема замещения каскада. Расчет параметров усиления
- •8 Схемотехнические усилители каскадов на биполярных и полевых транзисторов
- •8.1 Усилительные каскады с общими коллектором и базой
- •8.2 Особенности применения полевых транзисторов усилительных каскадов
- •8.3 Пути повышения коэффициента усиления усилительных каскадов
- •9 Схемотехника Усилителей постоянного тока
- •9.1 Усилители постоянного тока на транзисторах с непосредственной связью и особенности его проектирования
- •9.2 Дифференциальные каскады на полевых и биполярных транзисторах
- •10 Усилители мощности
- •10.1 Общая характеристика и основные параметры
- •10.2 Двухтактный усилитель
- •11 Операционные усилители (оу)
- •11.1 Назначение, структура и основные характеристики операционного усилителя
- •11.2 Схемотехника усилителей на оу
- •12 Активные фильтры
- •12.1 Общие математические описания и классификация фильтров. Пассивные фильтры
- •12.2 Схемотехника активных фильтров
- •13 Работа полупроводниковых приборов в ключевом режиме
- •13.1 Ключевой режим
- •14 Устройства преобразования сигналов
- •14.1 Схемы положительных и отрицательных сигналов
- •14.2 Схемотехника нелинейных преобразователей аналоговых сигналов
- •15 Источники вторичного электропитания
- •15.1 Структурные схемы
- •15.2 Однофазные выпрямители
- •16 Непрерывные стабилизаторы постоянного тока
- •16.1 Общие положения
- •16.2 Компенсационные стабилизаторы
- •17 Импульсные и ключевые регуляторы и стабилизаторы постоянного напряжения
- •17.1 Основные требования ир. Статические и динамические потери
- •17.2 Режимы импульсного регулирования мощности и схемы импульсных усилителей
- •17.3 Схемотехника ключевых стабилизаторов им методика их расчёта
- •Квыпр c1
- •18 Многофазовые выпрямители и сглаживающие фильтры
- •18.1 Трёхфазные выпрямители и их схемотехника
- •18.2 Сглаживающие фильтры и особенности работы выпрямителя на ёмкостную нагрузку
- •18.3 Внешние характеристики и методика расчётов выпрямителя
- •19 Электронные регуляторы переменного напряжения
- •19.1 Способы изменения переменного напряжения
- •19.2 Схемотехника электронных регуляторов переменного напряжения
- •19.3 Энергетические характеристики вентильных преобразователей и их влияние на питающую сеть
- •20 Транзисторные преобразователи напряжения
- •20.1 Схемы преобразователей
- •20.2 Расчет преобразователей
- •22 Комбинационные логические устройства
- •22.1 Синтез логических устройств
- •22.2 Типовые комбинационные устройства
- •23 Последовательностные логические устройства
- •23.1 Триггеры
- •23.2 Регистры
- •23.3 Счетчики
- •24 Аналого – цифровые и цифро – аналоговые схемы
- •24.1 Компаратор
- •24.2 Интегральный таймер
- •24.3 Цифро – аналоговые преобразователи (цап)
- •24.4. Аналого – цифровые преобразователи (ацп)
- •Литература
5.2 Магнитно-полупроводниковые приборы
В этих приборах основной параметр определяется величиной магнитной индукции.
Есть множество магнитополупроводниковых приборов, которые применяются как бесконтактные датчики.
Основным магнитоприбором является датчик Холла (призматический кристалл с двумя выводами, включённый в цепь).
I
Когда появится магнитное поле, то гальванометр покажет разность потенциалов.
Кроме указанных датчиков применяются магнитодиоды, магнитотранзисторы, магнитотерристоры.
Для магнитотранзисторов ток коллектора определяется величиной магнитной индукции. Для магнитотерристоров напряжения включения определяются величиной магнитной индукции (магнитная индукция выполняет роль управляющего электрода).
5.3 Источники и приёмники оптического излучения
В качестве датчиков оптического излучения применяются оптико-электронные приборы. Оптическое излучение может быть видимо и в инфракрасном диапазоне.
Оптическое излучение – это электромагнитные волны, длина волны которых от 10-8м до 10-3м (частоты от 3ּ1016 до 3ּ1011 Гц).
Видимая область от 0.4ּ10-6 до 0.7ּ10-6м (0.4 – 0.7 мкм).
рентгеновское ультрафиолетовое
видимая инфракрасная
излучение
область область
І—————————————————І——————І—————————————І
10-8м
0.4ּ10-6
0.7ּ10-6
10-3
Основной параметр – длина волны
Преимущество оптического сигнала – высокая помехоустойчивость, хорошее согласование цепей с разными Rвх и Rвых (Zвх и Zвых), возможность электрической развязки входной и выходной цепей.
Кроме применяют следующие параметры:
- интенсивность;
- поляризация;
- степень монохроматичности и когерентности;
- направленность.
Оптический сигнал может передаваться от источника к приёмнику по воздуху (вакууму) или по специальным световодам. В качестве источников применяются тепловые (лампы накаливания, нагретые тела), электролюминисцентные, полупроводниковые и т.д.
В настоящее время в качестве источников оптического излучения широко применяются светоизлучающие диоды. Делятся на светодиоды(в видимой области), инфракрасные диоды.
Излучающие диоды – источники некогерентного излучения. Рабочей является прямая ветвь ВАХ.
Параметры : Iпр; Uпр; Pизл.
Схема включения:
Характеристики светодиодов
Спектральная характеристика:
Срок службы – до 106 часов.
Для светодиодов в видимой области применяется зависимость яркости от Iпр.
Применяются в качестве источников непрерывного и импульсного излучения.
Маркировка: И П Д 04 А — 1 К
цвет излучения
Излучающий полупроводниковый диод (красный)
Старая маркировка: АЛ107Б и т.д.