- •Содержание
- •14 Устройства преобразования сигналов……………………...68
- •23 Последовательностные логические устройства……..102
- •Модуль 1. Элементная база электронных устройств
- •1 Современные методы проектирования электронных устройств и пассивные элементы
- •1.1 Основные этапы проектирования электронных устройств и параметры электрических сигналов
- •Частота сигнала будет
- •Резисторы, варисторы и конденсаторы. Условное графическое обозначение, виды, параметры и маркировка
- •1.3 Катушки индуктивности, трансформаторы и электромеханические элементы (переключатели, разъемы и т.Д.)
- •2 Полупроводниковые диоды
- •2.1 Принцип действия полупроводникового диода, его условное обозначения, характеристики и параметры
- •2.2 Математические модели диодов и их применение для анализа электрических схем
- •Обратное включение
- •Для расчета схем с диодами применяют часто графо – аналитический метод который представляет графическое решение систем уравнений. Пример образованный параметрами схемы графо-аналитическим методом.
- •2.3 Разновидности полупроводниковых диодов, их классификация и система обозначений
- •3 Биполярные транзисторы
- •3.1 Устройство и принцип действия биполярных транзисторов различного типа проводимости. Условные графические обозначения, классификация и маркировка
- •Структура биполярных транзисторов
- •3.2 Схемы включения биполярного транзистора
- •3.3 Математические модели биполярного транзистора для различных схем включения
- •Свойства
- •4 Полевые транзисторы и приборы с отрицательным сопротивлением.
- •4.1 Устройство и принцип действия полевых транзисторов с p-n переходом и с изолированным затвором
- •4.2 Схемы включения и математические модели полевых транзисторов
- •4.3 Тиристоры. Принцип действия, параметры и маркировка
- •4.4 Однопереходные транзисторы и туннельные диоды
- •5 Полупроводниковые датчики и индикаторные приборы
- •5.1 Полупроводниковые датчики температуры и усилия
- •5.2 Магнитно-полупроводниковые приборы
- •5.3 Источники и приёмники оптического излучения
- •Полупроводниковые лазерные диоды(аналогичны излучающим диодам, только после Iпр.Граничное происходит излучение когерентное и значительно увеличивается его мощность.)
- •5.4 Индикаторные приборы и их применения
- •Модуль 2. Схемотехника аналоговых и импульсных электронных устройств
- •6 Электронные усилители
- •6.1 Назначения усилителей, их параметры и характеристики
- •6.2 Обратная связь в усилителях и её разновидности
- •7 Усилительный каскад на биполярном транзисторе по схеме с общим эмиттером
- •7.1 Анализ работы усилительного каскада в режиме покоя
- •7.2 Эквивалентная схема замещения каскада. Расчет параметров усиления
- •8 Схемотехнические усилители каскадов на биполярных и полевых транзисторов
- •8.1 Усилительные каскады с общими коллектором и базой
- •8.2 Особенности применения полевых транзисторов усилительных каскадов
- •8.3 Пути повышения коэффициента усиления усилительных каскадов
- •9 Схемотехника Усилителей постоянного тока
- •9.1 Усилители постоянного тока на транзисторах с непосредственной связью и особенности его проектирования
- •9.2 Дифференциальные каскады на полевых и биполярных транзисторах
- •10 Усилители мощности
- •10.1 Общая характеристика и основные параметры
- •10.2 Двухтактный усилитель
- •11 Операционные усилители (оу)
- •11.1 Назначение, структура и основные характеристики операционного усилителя
- •11.2 Схемотехника усилителей на оу
- •12 Активные фильтры
- •12.1 Общие математические описания и классификация фильтров. Пассивные фильтры
- •12.2 Схемотехника активных фильтров
- •13 Работа полупроводниковых приборов в ключевом режиме
- •13.1 Ключевой режим
- •14 Устройства преобразования сигналов
- •14.1 Схемы положительных и отрицательных сигналов
- •14.2 Схемотехника нелинейных преобразователей аналоговых сигналов
- •15 Источники вторичного электропитания
- •15.1 Структурные схемы
- •15.2 Однофазные выпрямители
- •16 Непрерывные стабилизаторы постоянного тока
- •16.1 Общие положения
- •16.2 Компенсационные стабилизаторы
- •17 Импульсные и ключевые регуляторы и стабилизаторы постоянного напряжения
- •17.1 Основные требования ир. Статические и динамические потери
- •17.2 Режимы импульсного регулирования мощности и схемы импульсных усилителей
- •17.3 Схемотехника ключевых стабилизаторов им методика их расчёта
- •Квыпр c1
- •18 Многофазовые выпрямители и сглаживающие фильтры
- •18.1 Трёхфазные выпрямители и их схемотехника
- •18.2 Сглаживающие фильтры и особенности работы выпрямителя на ёмкостную нагрузку
- •18.3 Внешние характеристики и методика расчётов выпрямителя
- •19 Электронные регуляторы переменного напряжения
- •19.1 Способы изменения переменного напряжения
- •19.2 Схемотехника электронных регуляторов переменного напряжения
- •19.3 Энергетические характеристики вентильных преобразователей и их влияние на питающую сеть
- •20 Транзисторные преобразователи напряжения
- •20.1 Схемы преобразователей
- •20.2 Расчет преобразователей
- •22 Комбинационные логические устройства
- •22.1 Синтез логических устройств
- •22.2 Типовые комбинационные устройства
- •23 Последовательностные логические устройства
- •23.1 Триггеры
- •23.2 Регистры
- •23.3 Счетчики
- •24 Аналого – цифровые и цифро – аналоговые схемы
- •24.1 Компаратор
- •24.2 Интегральный таймер
- •24.3 Цифро – аналоговые преобразователи (цап)
- •24.4. Аналого – цифровые преобразователи (ацп)
- •Литература
4.2 Схемы включения и математические модели полевых транзисторов
Схемы включения: общий сток, общий затвор т.к. входное сопротивление транзистора очень большое (обратно смещение p-n переход) конденсатор, то математическая модель для всех транзисторов представляется в виде генератора напряжения.
C
Cзс
З S*Ri
Сзи
U
4.3 Тиристоры. Принцип действия, параметры и маркировка
Тиристор может быть в двух устойчивых состояниях и имеет участок отрицательного сопротивления. Тиристор состоит из 3 и более p-n переходов.
A K A K
Динистор
Ia IK1=IБ2
A VT1
Ia=Ik1+Ik2=Iaα2+Ik0+Ia
VT2
Ia = Ik0\ 1-( α1+ α2) -
K Аналитическое выражение ВАХ
IБ1=Ik2 Ik=Ia
Iа
α1+ α2> 1 α1+ α2= 1
Iвкл
2
Iус2 Iус1
Uвкл
Iспрямления α1+ α2< 1 Uак
Тиристор который имеет дополнительное управление электричеством – называют тринистором.
А К
У.Э.
I спрямления – величина тока управления электрода при котором тиристор превращается в диод.
Для коммутации переменного тока используют 2 встречных включения тиристора который помещается в один корпус называются симистором.
У.Э.
Двух операционный тиристор может и включатся и выключатся управлением тока.
4.4 Однопереходные транзисторы и туннельные диоды
Однопереходной транзистор состоит из полупроводниковый
p и n типа. Б2
VT1 Б2
Э Э
Б1
Iэ UБ2,Б1= 0
UБ2,Б1>0 Б1
0 U0 UБк1 UэБ1
Однопереходные транзистор имеет участок отрицательного сопротивления в точке 1,2 его характеристика напоминает характеристику динистора.
Туннельный диод.
Участок 1,2 участок отрицательного сопротивления.
Участок 1,2 участок 1
Отрицательного
Сопротивления.
2
U
Литература : [1].- (стр.52-66). [2].- (стр.89-124) [3].- (стр. 118- 133).
5 Полупроводниковые датчики и индикаторные приборы
5.1 Полупроводниковые датчики температуры и усилия
Для измерения температуры можно применять любой полупроводниковый прибор, так как их характеристика зависит от температуры. Наиболее часто для измерения температуры применяются терморезисторы.
Условное обозначение терморезисторов:
Основная характеристика терморезисторов – температурный коэффициент сопротивления (ТКС). Указанный коэффициент определяет степень изменения сопротивления при изменении температуры на .
Терморезисторы делятся на две группы:
-
термисторы;
-
позисторы.
Отличаются характеристиками:
Термисторы применяются для измерения температуры от до .
Датчики усилия применяются для измерения моментов и усилий в несущих конструкциях и на валах.
Условное обозначение:
Тензорезистор
Выпускаются в виде тонкой плёнки, которая наклеивается на место измерения.
При деформации меняется сопротивление тензорезистора.