1.4 Розрахунок кількості інших робітників
Інші категорії робітників визначаються у % від загальної кількості основних робітників.
Допоміжні робітники Рдоп - становить до 20% від основних
(14)
де
-
загальна кількість основних робітників.
[чол]
Інженерно технічні робітники:
(15)
де
-
загальна кількість основних робітників.
[чол]
Службові працівники:
(16)
де
-
загальна кількість основних робітників.
[чол]
Молодший обслуговуючий персонал:
(17)
де
-
загальна кількість основних робітників.
[чол]
1.5 Розрахунок потрібної кількості площ
Загальна площа складається з виробничої площі Sвир та допоміжної.
Sзаг=Sвир +Sдоп (18)
Виробнича площа розраховується за формулою:
Sвир= Σ (L*В)+ Σ Sприл. (19)
де (L*В) - габарити обладнання (мм)
Sприл.=L*500+2В*500+L*1500 (20)
Для того, щоб знайти прилеглу площу заповнюємо таблицю 4:
Таблиця 4.Площа під обладнання.
|
Найменування операції |
Марка обладнання |
Параметри обладнання
L*B |
Площа під обл.
|
Sприл
|
Sвир
|
|
1 Підготовка підложок |
ДП-125/3-15 |
2000*2000 |
4 |
6 |
10 |
|
2.Окислення підложок |
СДШ-150 |
1000*1000 |
1 |
3 |
7 |
|
3.Перша фотолітографія для отримання вікон під схований шар |
ФОВ-2 |
2000*2000 |
4 |
6 |
10 |
|
4.Дифузія миш’яку |
СДО -125/3-15 |
2000*2000 |
4 |
6 |
10 |
|
5. Видалення шару окислу з поверхні |
ВПП-6 |
2000*2000 |
4 |
6 |
10 |
|
6. Епітаксійне нарощування кремнію н-типу |
УНЕС 2- ПВ |
3500*1500 |
5,25 |
8,5 |
13,75 |
|
7. Окислення пластини |
СДШ-150 |
1000*1000 |
1 |
3 |
4 |
|
8. Друга фотолітографія під розділяючи дифузію |
ФОВ-2 |
2000*2000 |
4 |
6 |
10 |
|
9. Дифузія акцепторної домішки, отримання розділяючи карманів |
СДО -125/3-15 |
2000*2000 |
4 |
6 |
10 |
|
10. Третя фотолітографія під дифузію базової області та резисторів |
ФОВ-2 |
2000*2000 |
4 |
6 |
10 |
|
11. Дифузія бора |
ВІЗУВІЙ 2 |
2000*1500 |
3 |
5,5 |
8,5 |
|
12.Четверта фотолітографія під емітерні області та підколекторні контакти |
ФОВ-2 |
1000*1000 |
1 |
3 |
4 |
|
13. Дифузія фосфору |
СДО -125/3-15 |
3500*1500 |
5,25 |
8,5 |
13,75 |
|
14. П’ята фотолітографія для видалення окисного шару під n+- областями ,які служать нижніми обкладками конденсаторів |
ФОВ-2 |
1500*2000 |
3 |
5 |
8 |
|
15.Нарощування нового окисного шару, який служить діелектриком конденсаторів. |
УВН -2М -2 |
2500*2000 |
5 |
7 |
12 |
|
16.Шоста фотолітографія для отримання вікон під кконтакти. |
ФОВ-2 |
2500*1000 |
2,5 |
6 |
8,5 |
|
17. Напилення плівки алюмінію на поверхню пластини. |
ОРАТОРІЙ-5 |
3500*1500 |
5,25 |
8,5 |
13,75 |
|
18. Сьома фотолітографія для видалення зайвих ділянок плівки. |
ФОВ-2 |
2000*2000 |
4 |
6 |
10 |
|
19. Контроль мікросхем на функціонування.. |
ВС-68 |
1000*1000 |
1 |
3 |
4 |
|
20. Різка пластини на кристали. |
АЛМАЗ 6М |
1500*2000 |
3 |
5 |
8 |
|
21. Монтаж кристалів в корпус. |
МЕУ-103 |
2000*2500 |
5 |
6,5 |
11,5 |
|
22. приєднання виводів. |
ЗОНД А12 |
1000*1000 |
1 |
3 |
4 |
|
23. Герметизація. |
КВАНТ-17 |
2000*2000 |
4 |
6 |
10 |
|
24. Контроль мікросхеми. |
ТЕСТ-УМ5 |
1000*1000 |
1 |
3 |
4 |
|
Загальна кількість |
|
80 |
133 |
213 |
|
Користуючись
таблицею 5 за формулою (18) знаходимо
загальну виробничу площу:
Sвир=80+113=213 (м2)
Допоміжну площу знаходимо за формулою:
,
де (21)
у – норматив площі допоміжної на 1 робітника
Таблиця 5. Карта побутових площ
|
Найменування |
Площа на од., м2 |
К-ть од. на 100 робітників |
Площа на 1 робітника, м2 |
|
Гардероб |
- |
- |
0,32-0,55 |
|
Умивальник (кран) |
1,05 |
5 |
0,052 |
|
Душова |
0,81 |
9 |
0,074 |
|
Туалет (1 унітаз) |
2,5 |
4 |
0,12 |
|
Доп. площа |
- |
- |
0,5 |
|
Адміністратив. |
- |
- |
0,5 |
|
у |
|
|
1,796 |
Sвир = (109+20+10+4+2)*1,796 = 260,42 м2
Sзаг = 213 + 260,42 = 473,42 м2