- •1.1 Терминология.
- •1.2 Классификация микросхем и условные обозначения.
- •1.3 Корпуса микросхем.
- •1.4 Параметры микросхем.
- •1.5 Сравнение различных типов микросхем.
- •1.6 Микросхемы полупроводниковой памяти.
- •1.8 Взаимозаменяемость и аналоги микросхем.
- •1.9 Маркировка.
- •2/1.1 Классификация и система обозначений приборов.
- •2.1.2 Параметры диодов.
- •2.1.4 Излучающие оптоэлектронные приборы.
- •2.2.1 Классификация и условные обозначения транзисторов.
- •2.2.3 Корпуса транзисторов.
- •2.2.4 Выбор транзисторов.
- •2.3 Тиристоры.
- •2.3.1 Классификация и система условных обозначений тиристоров.
- •3. Конденсаторы.
- •4.Резисторы.
- •5. Электрические соединения
- •6. Трансформаторы и дроссели.
2.2.1 Классификация и условные обозначения транзисторов.
В настоящее время выпускается большое кол-во транзисторов различных типов иназначений. Транзисторы классифицируют по их функциональному назначению, физ.св-ам, основным эл. параметрам, по конструктивно технологическим признакам и типуисходного ПП материала. Транзисторы выпускаются на мощности от 200мВт до сотенватт, с граничными частотами от 100 кГц до десяти гигогерц, с так допустимыминапряжениями от единиц до тысяч вольт и токами от 5 мА до сотен ампер, с уровнемсобственных шумов от единиц до десятков децибел. Они могут выпускаться вразличного вида корпусах и бес корпусном исполнении для гибридных ИСтранзисторных микро приборах.
Биполярные транзисторы в соответствии с основными областями примененияподразделяются на ряд групп: усилительные НЧ, высокочастотные,сверхвысокочастотные. По мощности транзисторы подразделяются на маломощные,средней и большой мощности.
По изготовлению транзисторы делятся на силовые, диффузионные, конвертные,диффузионно-силовые, планарные и т.д.
Биполярные транзисторы изготовляются в дискретном исполнении и в качествекомпонентов ИС.
Полевые приборы выполняют те же функции, что и биполярные.
И полевые и биполярные транзисторы управляются зарядом, но передачауправляющего заряда осуществляется по разному:
Напряжением - в полевых (через емкость)
Током - в биполярных (через сопротивление)
Система обозначений современных транзисторов основана на их физ. св-вах иконструктивно-технологических принципах. В основу системы положен буквенно-цифровой код.
Условные обозначения биполярных транзисторов, разработанных до 1964 года ивыпускаемых до настоящего времени, состоит из 2 или 3 эл-ов.
2.2.2 параметры предельных режимов работы транзистора и влияниетемпературы на его параметры.
Транзистор, также как любой эл. прибор, хар-ся предельными режимами,превышение кот., как правило, приводит к нарушению нормальной работы прибора ивыходу его из строя.
Мах допустимыми параметрами наз. значения режимов транзисторов, кот. недопускается превышать ни при каких условиях эксплуатации и при кот. езеобеспечивается заданная надежность.
Система параметров транзисторов насчитывает более 50 параметров и хар-к, как идля диодов, параметры транзисторов подразделяются на параметры имеющиепредельно допустимые значения и параметры, значения кот. хар-ют св-ва приборов -хар-щие или рабочие параметры.
Рассмотрим систему предельно допустимых параметров, к ней относятся:
1) max мощность, рассеиваемая на коллекторе Рх тах;
коэф. собственного шума
статический коэф. усиления на ходу;
Jkmax - max допустимый постоянный ток коллектора;
J3 max - max допустимый постоянный ток эмиттера;
Jemax - max допустимый постоянный ток базы.
Мах допустимые импульсные режимы приводятся для заданной длительностиимпульсов tH.
J ки max - max допустимый импульсный ток коллектора;
J3H max - max допустимый постоянный импульсный ток эмиттера;
JK нас max - max допустимый постоянный импульсный ток коллектора в режименасыщения;
jg нас max - max допустимый постоянный импульсный ток базы в режиме насыщения.
2) К параметрам предельного напряжения относятся:
иэ б max - max допустимое постоянное напряжение эмиттер-база;
UK э max - max допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер;
UK эй max - max допустимое импульсное напряжение коллектор-эмиттер;
UK би max - max допустимое импульсное напряжение эмиттер-база.
3) Важнейшим параметром предельных режимов явл. предельная мощность:
рк max - max допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора;
рк и max - max допустимая импульсная рассеиваемая мощность коллектора;
Ри max - max допустимая импульсная рассеиваемая мощность.
Мах допустимые напряжения, ограничиваются пробивными напряжениямисоответствующих переходов, тахдопустимые мощность и ток, ограничиваются maxтемпературой перехода и тепловым пробоем.
Диапазон работы температур транзисторов, так же как и диодов, определяетсятемпературными св-ми p-n-перехода в свою очередь зависит от температуры окр.среды и от той эл. мощности, кот. рассеивается в переходе в виде тепла.
Для определения влияния рассеиваемой в транзисторе мощности на температурукристалла вводятся тепловые параметры транзистора, хар-щие его устойчивость приработе в широком диапазоне температур.
tK max - max температура работы транзистора, кот. зависит от max температурыколлекторного перехода.
to max - max температура окр. среды, усиливается в результате расчетов и обработкиэкспериментальных данных работы прибора при различных температурах.
Rn k - тепловое сопротивление переход-корпус, кот. показывает, на сколько градусовповысится температура перехода относительно корпуса при рассеивании на переходезаданной мощности.
(1) Rn k = (tn - tr) / P, где tn - температура перехода, tk - температура
корпуса.
Тепловое сопротивление Rn k приводится в справочниках для транзисторов средней ибольшой мощности, используемых с внеш. теплоотводами.
Для транзисторов малой и средней мощности (а также большой мощности безтеплоотводов) приводится обычно тепловое сопротивление переход-окр. среда.(Кпо).В этом случае температура перехода определяется по формуле:
(2) tn = to + P*Rn о, где t0 - температура окр. среды.
С изменением температуры, изменяются все параметры транзистора.Основными параметрами полевых транзисторов явл. :
1) крутизна хар-ки передачи S=dJc / сШзи, при UCH - const
2) дифференциальное сопротивление стока (канала) на участке насыщения R=dUCH/ dJc при U3H - const
В качестве предельно допустимых параметров нормируется: max допустимыенапряжения UCH max, U3H max; max допустимая мощность стока Рс max; max допустимыйток стока - Jc max.