- •1.1 Терминология.
- •1.2 Классификация микросхем и условные обозначения.
- •1.3 Корпуса микросхем.
- •1.4 Параметры микросхем.
- •1.5 Сравнение различных типов микросхем.
- •1.6 Микросхемы полупроводниковой памяти.
- •1.8 Взаимозаменяемость и аналоги микросхем.
- •1.9 Маркировка.
- •2/1.1 Классификация и система обозначений приборов.
- •2.1.2 Параметры диодов.
- •2.1.4 Излучающие оптоэлектронные приборы.
- •2.2.1 Классификация и условные обозначения транзисторов.
- •2.2.3 Корпуса транзисторов.
- •2.2.4 Выбор транзисторов.
- •2.3 Тиристоры.
- •2.3.1 Классификация и система условных обозначений тиристоров.
- •3. Конденсаторы.
- •4.Резисторы.
- •5. Электрические соединения
- •6. Трансформаторы и дроссели.
2.3.1 Классификация и система условных обозначений тиристоров.
Тиристроры классифицируются по следующим признакам:
1) по кол-ву выводов;
2) по виду выходной ВАХ;
3) по способам вкл. и управления и по др. признакам.По кол-ву выводов различают:
1) диодные тиристоры, имеющие 3 вывода (2 основных и 1 управляющий);
2) четырех электродные тиристоры, имеющие 4 вывода (2 вх. и 2 вых.).По виду выходной ВАХ:
1) тиристоры, не проводящие в обратном направлении;
2) тиристоры, проводящие в обратном направлении;
3) симметричные, кот. могут переключатся в открытое состояние в обоих
направлениях.По способу выключения:
1) не запираемые;
2) запираемые.
По способу управления:
1)Тиристоры -управляются внеш. эл. сигналом по управляющему электроду;
2) фототиристоры - внеш. оптическим сигналом;
3) оптотиристоры - внутренним оптическим сигналом.
По мере создания и освоения новых видов и классификационных групп тиристоровразвивалась и совершенствовалась система их условных обозначений. Начиная с 1968
года, она трижды претерпевала изменения. Начиная с 1980 года введена новая,действующая до настоящего времени, система обозначений унифицированныхсиловых приборов по ГОСТ 20859.1-89
тиристоры _
Триак - симметричный триодный тиристор.Диак - диодный тиристор.
Тиристоры
По
виду вых.ВАХ
По
кол-вувыводов
По
способувьнеяючения
По
способууправления
Динисторы
не
запираемые
тиристоры
не
проводящиев
обратномнаправлении
тиристоры(триодные)
запираемые
фототиристоры
проводящие"в"
обратномнаправлении
тетродные
-симисторы
оптотиристоры
лавинные
2.3.2 Параметры теристоров
Важнейшими параметрами как двух электродных, так и трех электродных теристоров
является следующее.
dU_ = dUkJ вкл - ток включения определяется из условия fij dJ
U вкл - напряжение включения - представляет собой максимальное прямоенапряжение на теристоре.
J уд - удерживающий ток - это минимальное значение тока, при которомтеристор еще может находится в открытом состоянии.
При изменении основного или действующего тока до значений, меньших J уд , приборпереключается в закрытое состояние.
U омор -падение напряжения во включенном состоянии.(постоянноенапряжение в открытом состоянии).
J обр- обратный ток при определенном обратном напряжении.
J ун - коммутирующий постоянный ток, ток уравнения - минимальноезначение постоянного тока управляющего электрода, при котором включаетсятеристор.
Этот параметр, характеризует управляющие свойства прибора, соответствующимопределенному заданному напряжению включения.
Инерционность процессов включения и выключения тиристора при подаче на негоимпульсов напряжения характеризуется временем включения и выключения.
t вкл - время включения, интервал времени с момента подачи импульса втечении которого напряжение на теристоре уменьшается от уровня 0.9 до уровня 0.1своего максимального значения. Параметр существенно снижается с возрастаниеммощности переключающего сигнала и возрастает при увеличении тока нагрузки иуменьшением напряжения источника питания.
t выкл - время выключения, интервал времени в течении которого теристор изоткрытого состояния переходит в запертое, определяется теми же процессами, что и втранзисторе, при переключении его в режим насыщения.
Время выключения может быть уменьшено при подаче на теристор напряженияобратной полярности.
Для характеристики максимально допустимого режима работы тиристора указываютсяследующие параметры.
U обр.мах - максимальное значение постоянного обратного напряжения, прикотором обеспечивается заданная надежность при длительной работе. Параметрограничивается пробивным напряжением одного из крайних переходов тиристора (сместным пробивным напряжением)
J обр.мах максимальная величина прямого тока обеспечивающего заданнуюнадежность при длительной работе. Параметр ограничивается мах. Мощностьювыделяемой на переходе тиристора.
2.3.3 Корпуса тиристоров.
Конструкции корпусов тиристоров такие же как и корпуса диодов и транзисторов.
2.3.4 Маркировка полупроводниковых элементов.
В соответствии с ГОСТ 20859.1-89. на каждом приборе или модуле, должны бытьнанесены четкими нестирающимися знаками, следующие данные.
1). Товарный знак предприятия изготовителя.
2). Условное обозначение прибора.
3). Климатическое исполнение и категория нумерация (и исполнение и категория ненаносят и не допускают наносить если одно климатическое исполнение )
4). Символ полярности для приборов (кроме симметричных амперметров) и схемавнутреннего соединения и расположения выходов для модулей.
5). Условное обозначение выводов (если это предусмотрено в технических условиях наконкретные линии приборов и модулей)
6). Дата изготовления (месяц, год), для приборов и модулей, не предусмотренных для
экспорта.
Допускается указывать дополнительные данные, если это предусмотрено ТУ на
конкретные типы приборов и модулей.
Цветовое обозначения выводов должно быть :1). Вывод катода эмиттера- красный
2). Вывод анода коллектора - синий или черный.
3). Вывод управляющего электрода и базы - желтый или белый.
Если поверхность прибора которая может быть использована для маркировки приборане более 3 см2 то допускается применения других способов кодирования маркировки(при сохранении требуемой информации) которая указана в ТУ на приборыконкретных типов.Литература.
1) Тиристоры. Справочник Григорьев О.П, Замятин В.А
2) Вершинин О.С, Мироненко Н.Г Нонсенс радиоэлектронной аппаратуры.
3). Тугов Н.М и др. Полупроводниковые приборы.
4). Овчинников Полупроводниковые приборы.
5). под ред. Герасимова В.Г Основы промышленной электроники.
6). Н.Н Васерин и др. Применение полупроводниковых индикаторов.
7). ГОСТ 23900-87 Приборы полупроводниковые,силовые.Габариты.
8). Справочник Полупроводниковые диоды
9). Справочник Транзисторы.
10). ГОСТ 25486-82 Изделия Электронной техники, Маркировка.
11). ГОСТ 20859.1-89 . Приборы полупроводниковые, основные технические условия(маркировка, условные обозначения)
12). ГОСТ 19095-73 Транзисторы полевые, термины обозначения.
13). ГОСТ 18472-88 Полупроводниковые приборы, конструкция, размеры.
14). ГОСТ 17456-80 Диоды полупроводниковые. Основные параметры.
15). ГОСТ 17466-80 Транзисторы биполярные и полевые. Основные параметры.