6.2 Схема дослідження.

6.3 Перелік приладів.

6.4 Результати вимірювань (таблиці).

6.5 Вхідні статичні характеристики транзистора І_Б = f(U_БЕ), при U_БЕ = const (на міліметровому папері).

6.6 Вихідні статичні характеристики транзистора І_К = f(U_КЕ), при І_Б = const (на міліметровому папері).

6.7 Розрахунок основних параметрів транзистора: вхідного і вихідного опорів, коефіцієнтів підсилення струму, напруги, потужності.

6.8 Висновки.

7 Контрольні питання:

7.1 Чому БТ називається біполярним.

7.2 Які режими роботи має БТ?

7.3 Що називається динамічним режимом роботи БТ.

7.4 Яка схема включення найбільш використовується і чому?

7.5 Назвіть h-параметри БТ і їх фізичні властивості?

7.6 Які електроди має БТ і вимоги до них?

7.7 У якій області знаходиться транзистор p-n-p- структури, якщо U_БЕ = - 0,2 В В; U_КЕ = 6В?

8 Література:

8.1 Васильєва Л.Д., Медеведенко Б.І., Якименко Ю.І. «Напівпровідникові прилади»: Підручник . – К.: ІВЦ «Видавництво «Політехніка»», 2003. – 388 с.

8.2 Ю.П. Колонтаєвський, А.Г. Сосков, “Промислова електроніка та

мікросхемотехніка: теорія і практикум.».- К.: «Каравела», 2004. – 368 с.

8.3 В.Ю. Лавриненко, «Справочник по полупроводниковым приборам. 10-е изд., перераб. И доп. – К.: Техника, 1984. – 424 с.

8.4 Мілих В.І., Шавьолкін О.О. Електротехніка, електроніка та мікропроцесорна техніка: Підручник. За ред.. В.І. Мілих. – К.: Каравела, 2007. – 688 с.

8.5 Конспект лекцій.

Лабораторна робота № 7

Тема: Дослідження польового транзистора

1 Мета роботи: Вивчення особливостей роботи польового транзистора з керуючим p-n переходом, побудова статичних ВАХ та визначення його основних параметрів.

2 Апаратура та прилади: ПЕОМ, програма Electronics Workbench.

3 Схема дослідження:

1 Ом

5В 10В

1кОм

1 кОм

Рис.1

4 Основні теоретичні положення:

Польовим транзистором - називається трьохелектродний напівпровідниковий прилад, в якому струм створюють основні носії заряду під дією подовжнього електричного поля, а керування величиною струму здійснюється поперечним електричним полем, що утворюється напругою, прикладеною до керуючого електроду. Тобто польові транзистори керуються електричним полем.

Елементи польових транзисторів:

Виток (В) – електрод, від якого починається рух носіїв заряду.

Стік (С) – електрод, до якого рухаються носії заряду.

Затвор (З) – керуючий електрод.

Канал – ділянка напівпровідника між стоком та витоком, де тече електричний струм.

Принцип дії польових транзисторів базується на зміні поперечного перерізу каналу: І_C = f(S_K )

В польових транзисторах з керуючим p-n переходом (унітронах) площа поперечного перерізу каналу змінюється за рахунок зміни зворотної напруги на p-n- переході затвор – канал.

Рис.2

Для визначення параметрів польових транзисторів використовують дві сім′ї статичних характеристик:

- стокові (вихідні) І_С = f(U_СВ), при U_ЗВ = const (рис.3);

- стокозатворні (характеристики керування) І_С = f(U_ЗВ), при U_СВ = const (рис.4).