6.2 Схема дослідження.

6.3 Перелік приладів.

6.4 Результати вимірювань (таблиці 1 і 2).

6.5 Графік ВАХ (на міліметровому папері).

6.6 Розрахунок та визначення основних параметрів стабілітрону.

6.7 Висновки . Розшифрувати маркування дослідженого стабілітрону.

7 Контрольні питання:

7.1 Яке призначення сітки у тріоді?

7.2 Як буде змінюватися напруга запирання при збільшенні (зменшенні) анодної напруги?

7.3 Як зміниться положення анодних характеристик тріода при збільшенні від'ємної напруги зміщення на сітці?

8 Література:

8.1 И.П. Жеребцов, “Основы электроники». – 4-е узд., перераб. И доп. – Л.: Энергоатомиздат. Ленингр. отд-ние, 1985. – 352 с.

8.2 В.Ю. Лавриненко, «Справочник по полупроводниковым приборам. 10-е изд., перераб. И доп. – К.: Техника, 1984. – 424 с.

8.3 Конспект лекцій.

Лабораторна робота № 5

Тема: Дослідження тунельного діоду

1 Мета роботи: Вивчення принципу дії і особливостей роботи тунельного

діоду,побудова ВАХ та визначення його параметрів.

2 Обладнання: лабораторний макет.

3 Схема дослідження:

Рис.1

4 Основні теоретичні положення:

Тунельний діод – це напівпровідниковий діод, в якому носії переходять через p-n перехід внаслідок тунельного ефекту і в ВАХ яких є ділянка з негативним диференційним опором.

Тунельні діоди виготовляють з германію, арсеніду галію та антимоніду галію з високою концентрацією домішок (вироджені напівпровідники). Це дозволяє одержати дуже вузький p-n перехід. Найбільше використовують германієві тунельні діоди.

Принцип дії тунельного діоду – базується на тунельному ефекті.

Основна характеристика тунельних діодов - вольтамперна характеристика (ВАХ).

Робоча ділянка (АБ) – на цій ділянці p-n перехід надає змінному струму деякий від′ємний опір.

Рис.2

Оскільки тунельний струм не пов'язаний з порівняно повільними процесами дифузії і дрейфу електронів, тунельні діоди є практично безінерціонними приладами.

Тунельний діод не має властивості односторонньої провідності.

Робочим для тунельних діодів є пряме включення.

Застосовуються тунельні діоди: у перемикачах; підсилювальних і генераторних схемах НВЧ діапазону.

Тому що тунельні діоди працюють при низьких робочих температурах, вони потребують високостабільних джерел живлячих напруг.

Різновидом тунельних діодів є обернуті діоди – це тунельні діоди, у яких максимум струму на прямій гілці ВАХ або незначний або повністю відсутній. Провідність обернутих діодів у області малих напруг при зворотній напрузі вища, ніж в прямої.

Основні параметри тунельних діодов:

- піковий струм I_п – прямий струм в точці максимуму вольтамперной характеристики;

- струм западини І_з – прямий струм в точці мінімуму вольтамперной характеристики;

- напруга піку U_п – пряма напруга, відповідна піковому струму;

- напруга западини U_з – пряма напруга, відповідна мінімальному струму;

- напруга розчину U_рр. – пряма напруга на другій висхідній гілці при струмі, рівному піковому;

- ємність діоду С_д – сумарна ємність переходу і корпусу діода при заданій напрузі зміщення.