Содержание и оформление курсового проекта Задание на курсовой проект

Студент выполняет одно из двух представленных заданий на курсовой проект. Каждое задание состоит из десяти вариантов. Номер задания и его вариант определяется преподавателем.

Задание 1

I.Представить расчет распределения примесей в кремнии при диффузионном легировании.

1. Рассчитать и построить распределение заданной примеси в кремнии при одностадийной диффузии из источника бесконечной мощности.

2. Рассчитать и построить распределение примеси при двухстадийной диффузии той же примеси в кремнии для получения p-n перехода.

3. Расcчитать глубину залегания p-n перехода.

II. Рассчитать характеристики замедления ионов при имплантации, параметры распределения заданной примеси в кремнии используя симметричное распределение Гаусса.

1. Расcчитать глубину залегания p-n переходов.

2. Представить профиль распределения концентрации примесей.

3. Рассчитать средний полный пробег ионов заданной примеси (R),

средний нормальный пробег (R_p) и среднеквадратичное отклонение пробега ( ΔR_p).

Задание 2

I Представить расчет режимов технологического процесса формирования биполярной структуры, полагая, что локальное легирование производиться методом диффузии.

1. Представить профиль распределения концентрации примесей в отдельных областях структуры.

2. Построить профиль суммарного распределения примесей эмиттера и базы.

3. Расcчитать глубины залегания коллекторного и эмиттерного переходов.

II. Представить расчет режимов технологического процесса формирования биполярной структуры полагая, что локальное легирование производиться методом ионной имплантации.

1. Расcчитать глубины залегания коллекторного и эмиттерного переходов.

2. Представить профиль распределения концентрации примесей в отдельных областях структуры.

3. Построить профиль суммарного распределения примесей эмиттера и базы.

Варианты заданий

Таблица 1- Исходные данные

Вариант		Эмиттер			База			Коллектор
	Примесь	ТДИФ, 0С	t мин	Примесь	N см -2	ТДИФ, 0С	t час	Cв, см -3
1	As	1150	10	B	5ּ10 14	1250	1	1,5ּ10 16
2	B	1200	20	As	10 14	1300	2	10 15
3	P	1150	20	B	5ּ10 15	1200	2	10 15
4	B	1200	20	P	10 12	1300	2	10 16
5	Sb	1300	10	B	5ּ10 15	1200	1,5	10 17
6	B	1200	10	Sb	10 13	1300	1,5	10 16
7	As	1150	15	Ga	5ּ10 12	1250	1,5	10 15
8	P	1050	10	Ga	10 12	1150	1	10 15
9	As	1150	15	B	5ּ10 14	1250	2	10 15
10	P	1050	10	B	5ּ10 15	1150	1	10 16
11	B	1000	20	As	5ּ10 13	1100	2	1.5 ּ 10 15
12	Al	1150	15	Bi	5ּ10 13	1250	2	10 16
13	Bi	1300	20	In	5ּ10 13	1400	3	10 14
14	Sb	1300	20	Al	5ּ10 14	1400	3	10 15
15	As	1150	10	B	5ּ10 15	1250	1	10 17

Таблица 2- Исходные данные

Вариант	Эмиттер								База		Коллектор
	Примесь	E кэВ	N, см -2	Примесь		E кэВ		N, см -2		Cв, см -3
1	11B+	40	10 15	31P+		200		5ּ10 13		10 16
2	31P+	100	10 14	11B+		80		10 12		10 15
3	75As+	180	10 16	11B+		140		10 14		10 17
4	11B+	20	10 15	14N+		100		10 13		10 16
5	31P+	40	10 14	27Al+		120		5ּ10 12		10 15
6	75As+	60	10 15	70Ga+		200		5ּ10 13		10 16
7	115In+	40	10 16	122Sb+		200		10 14		10 17
8	27Al+	60	10 15	11B+		100		5ּ10 13		10 16
9	11B+	20	10 15	31P+		160		10 13		10 15
10	122Sb+	160	10 14	11B+		80		5ּ10 12		10 15
11	75As+	140	10 16	11B+		80		10 14		10 17
12	14N+	40	10 15	27Al+		140		5ּ10 13		10 16
13	14N+	60	10 16	11B+		80		10 14		10 16
14	70Ga+	160	10 15	14N+		100		5ּ10 13		10 16
15	122Sb+	180	10 14	27Al+		140		5ּ10 12		10 15

Срок сдачи законченной работы руководителю - декабрь 201 г.

Преподаватель........................................Горбунова В.Н.