- •21. Элементы эмиттерно-функциональной логики (эфл).
- •22. Элементы мало сигнальной эмиттерно-связанной логики (мэсл).
- •23. Особенности применения элементов эсл. Реализация монтажных логических операций.
- •24. Элементы инжекционной интегральной логики. Статические характеристики (и2л).
- •Статические характеристики.
- •25. Элементы инжекционной интегральной логики. Динамические арактеристики.
- •28. Типовые элементы мдп – логики. Статические характеристики.
- •29. Типовые элементы кмдп логики. Динамические характеристики.
- •30. Разновидности элементов мдп – логики и принцип их работы.
- •31. Типовой элемент кмдп – логики. Статические характеристики.
- •32. Типовые элементы кмдп – логики. Динамические характеристики.
- •33. Особенности построения, элементарная база и структура бис (сбис).
- •34.Общая структура бис, входные и выходные транзисторы.
- •35. Преобразователи уровней цифровых имс. Общие сведения.
- •36. Преобразование уровней ттл к мдп и обратно.
- •37. Преобразователи уровней ттл, эсл и обратно.
- •38. Преобразователи уровней ттл, и2л и обратно.
- •39. Преобразователи уровней ттл, кмдп и обратно.
35. Преобразователи уровней цифровых имс. Общие сведения.
Для согласования логических уровней сигналов между цифровыми блоками, в которых использованы логические элементы, отличающиеся уровнями напряжения сигналов, входными и выходными сопротивлениями, служат преобразователи уровней (ПУ). Параметры ИМС основных технологий приведены в табл. 8.2.
Таблица 8.2
|
Параметр |
ТТЛ |
р- МДП |
КМДП |
ЭСЛ |
И2Л |
|
Un.n.,В |
5 |
-12…-27 |
3…15 |
-5 |
1…2 |
|
U0,В |
0,4 |
-7…-20 |
0,3 |
-1,6 |
0,05 |
|
U1,В |
2,4…4,5 |
-2…-3 |
2…14 |
-0,8 |
0,6…0,8 |
|
I1+,мА |
0,1 |
1,5мкА |
1,5мкА |
0,3 |
0 |
|
I1-,мА |
1,6 |
15мкА |
15мкА |
0 |
10…50мкА |
|
I2+,мА |
1 |
2,5 |
2,5 |
3…22 |
0 |
|
I2-,мА |
16 |
2,5 |
2,5 |
3 |
20мкА |
|
Uном,В |
0,6 |
1 |
0,9 |
0,2 |
0,1 |
Номенклатуру ПУ можно существенно уменьшить, если все преобразования осуществлять через некоторый промежуточный стандарт, в качестве которого чаще всего используют стандарт ТТЛ. При этом вместо 20 типов ПУ требуется лишь 8 для преобразователей сигналов ТТЛ в другие 4 типа и для обратного преобразования.
36. Преобразование уровней ттл к мдп и обратно.

Рис. 1.38
Транзистор VT1 (рис.1.38)
работает в ключевом режиме. Входная
цепь (R1, R2)
рассчитана так, чтобы выполнялось
следующее условие: уровень ТТЛ U0
0,4 В должен обеспечить режим насыщения
транзистора VT1 при
минимальном
min
: уровень ТТЛ U1
2,4 В должен обеспечить режим отсечки
транзистора VT1 ; входной
ток ПУ12 Imax
не должен превышать I2
ТТЛ.
В результате на выходе ПУ12
формируются уровни U20
- Uun
и U21
0.
Быстродействующие ПУ12 определяются
частными свойствами VT1,
работающие в режиме насыщения. Введение
нелинейной обратной связи через диод
Шотки VD повышает
быстродействие.

37. Преобразователи уровней ттл, эсл и обратно.
К элементам передачи сигналов от ТТЛ – схем к ЭСЛ (ПУ14) и от ЭСЛ – схем к ТТЛ (ПУ41) предъявляется требование сохранения высокого быстродействия. К ним относятся ПУ, входящие в состав серий К100, К500 (К100ПУ124, К500ПУ124, К100ПУ125, К500ПУ125). В ИМС К100ПУ124 (К500ПУ124) входит четыре преобразователя уровней, каждый из которых имеет по два входа и два выхода (прямой U22 и инверсный U21). В ИМС К100ПУ124 (К500ПУ124) все транзисторы работают без насыщения, благодаря чему задержка сигнала схемой сведена к минимуму. Недостаток ПУ14 – сложность схемы и высокое энергопотребление. Более простой вариант ПУ14 (рис. 1.39).

Рис. 1.39
В зависимости от состояния транзистора
VT1 (МЭТ),VD2
заперт, либо открыт. При запертом диоде
VD2 потенциал базы транзистора
VT2 и выхода определяется
током базы Iб20
протекающего генератор R2.
Тогда на выходе ПУ14 формируется
потенциал низкого уровня: U20
= - Iб20 R2
– Uбэ2 U0
- 1,6 В.
Подключение МЭТ VT1 в
инверсный активный режим высокими
уровнями U11 , U12,
повышает потенциал базы VT2
приблизительно на 0,7 В. Соответственно
повышается уровень выходного напряжения
до U21
-
0,9 В. Недостатки схемы (рис.1.39) большой
входной ток Iвх0
из-за малого сопротивления R1
и работа транзистора VT2
в режиме, близком к насыщению. Кроме
того, ПУ14 имеет низкую
помехозащищенность. Недостаток большое
время задержки сигнала (около 200 нс)
из-за инерционности .
Преобразователи логических уровней ИМС типа ЭСЛ к стандарту ТТЛ выполняет микросхема К100ПУ125 (К500ПУ125), содержащая четыре аналогичных ПУ14, которая обеспечивает усиление логического перепада ЭСЛ до необходимого логического перепада ТТЛ.
