В.В. Арсланов - Толковый англо-русский словарь по нанотехнологии - 2009

произвольной формы.

Van der Waals Forces:

Ван-дер-ваальсовы

силы (силы

Ван дер

Вальса): Силы взаимодействия между

молекулами

или

частицами.

Межмолекулярные ван-дер-ваальсовы

силы

определяются

тремя

составляющими

–

лондоновскими

силами

(см.

London

forces),

ориентационными

силами

(электростатическое

взаимодействие

молекул

с

постоянным

дипольным

моментом)

и индукционными силами.

Последние

возникают

в

результате

электромагнитного

взаимодействия

молекул,

обладающих

постоянным

дипольным

моментом

с

индуцированным

им

дипольным

моментом поляризованной молекулы.

Vapor Deposition:

Осаждение

из

газовой

фазы:

Химическое

осаждение из газовой фазы - получение

твердых

веществ

с

помощью

химических реакций, в которых

участвуют

газообразные

реагенты.

Используют

для

получения

текстурированных

покрытий,

монокристаллов,

эпитаксиальных

и

монокристаллических

пленок

(например, в планарной технологии),

нитевидных монокристаллов ("усов"),

барьерных

слоев

(предотвращающих

разрушение покрытий на соплах ракет),

при

изготовлении

различных изделий

сложной конфигурации и др.

Viscometer:

Вискозиметр:

Прибор

для

определения

вязкости

вещества.

Вискозиметры

бывают: капиллярные, ротационные, с

падающим шариком.

Viscosimetry (Viscometry):

Вискозиметрия: Раздел физики,

посвящѐнный

изучению методов измерения вязкости.

Существующее разнообразие методов и

конструкций

приборов

для

измерения

вязкости

—

вискозиметров

—

обусловлено

как широким

диапазоном

значений вязкости (от 10-5 Н·с/м2 у газов

до 1012 Н с/м2 у ряда полимеров), так и

необходимостью измерять

вязкость

в

условиях

низких

или

высоких

температур и давлений (например,

сжиженных

газов,

расплавленных

металлов, водяного пара при высоких

давлениях и т.д.). Вязкость определяется

также

по

затуханию

периодических

колебаний пластины, помещѐнной в

исследуемую среду. Особую группу

образуют методы измерения вязкости в

малых объѐмах среды (микровязкость).

Они

основаны

на

наблюдении

броуновского движения, подвижности

ионов, диффузии частиц

Viscosity:

Вязкость

):

Свойство

текучих тел (жидкостей и газов)

оказывать сопротивление перемещению

одной их части относительно другой.

Одно из трѐх явлений переноса.

Вязкость твѐрдых тел обладает рядом

специфических

особенностей

и

рассматривается

обычно

отдельно.

Вязкость измеряется в пуазах (Па*с).

Viscosity Coefficient:

Коэффициент

вязкости:

Отношение

напряжения сдвига к скорости сдвига в

уравнении

Ньютона

для

вязкого

течения.

VLSI (Very-Large-Scale Integration):

СБМИ

(сверхбольшая

масштабная

интеграция): Процесс (технология)

создания сверхбольших

интегральных

схем и сама схема, содержащая от

100000 до 1000000 компонентов.

Volta Potential:

Потенциал

Вольта

(Вольта-потенциал,

внешний потенциал):

W

Washburn Equation:

Уравнение Уошбурна: Описывает капиллярное

течение

жидкости

в

пористых

материалах. Получено для случая

цилиндрических

капилляров

в

отсутствие поля силы тяжести. L2 =

γDt/4η, где t – время, за которое

жидкость

с

вязкостью

η

и

поверхностным натяжением γ проникает

в полностью смачиваемый, пористый

материал со средним диаметром пор D

на расстояние L.

Wavelength:

Длина волны:

Расстояние

между

двумя

ближайшими друг к другу точками,

колеблющимися в одинаковых фазах,

обычно

длина

волны

обозначается

греческой буквой λ. По аналогии с

возникающими волнами в воде от

брошенного в неѐ камня - расстояние

между двумя

соседними

гребнями

волны. Одна из основных характеристик

колебаний. Измеряется в единицах

расстояния (метры, сантиметры и т.п.).

Величина k = 2 / , обратная длине

волны, называется волновым числом и

имеет смысл пространственной частоты.

Wettability:

Смачиваемость: Свойство твердого материала

допускать свое смачивание. Процесс,

при котором граничащая вначале с

газовой

фазой

поверхность твердого

материала приходит в контакт с

жидкостью.

Характер

смачиваемости

можно определять по краевому углу, с

помощью

которого

можно

также

определять

поверхностное

натяжение.

Если

возникают

нежелательные

проблемы со смачиванием, с помощью

соответствующей

обработки

поверхности

можно

изменить

смачиваемость или, соответственно,

повысить смачиваемость для того,

чтобы, например, сделать возможным

склеивание,

выполнение

печати,

лакирование или пайку на поверхности.

Wetting

Смачивание:

Поверхностное

явление,

наблюдаемое при контакте жидкости с

твердым телом в присутствии третьей

фазы-газа (пара) или др. жидкости,

которая не смешивается с первой (т. н.

избирательное смачивание).

Whisker:

Нитевидный кристалл (вискер, ус): Прочный

монокристалл небольшой

толщины c

высоким

характеристическим

отношением. С точки зрения как

фундаментальной науки, так и практики

вискеры являются одним из наиболее

перспективных

кристаллических

материалов

с уникальным

комплексом

Wilhelmy Plate Method:

Метод пластинки

Вильгельми:

Метод

измерения

поверхностного

натяжения

жидкости. Определяется сила, которая

необходима

для

уравновешивания

тонкой пластинки, погруженной в

жидкость;

обычно

используется

полностью

смачиваемая

жидкостью

пластинка

Универсальный

метод,

особенно

подходит

для

измерения

поверхностного

натяжения

в

течение

длительного

промежутка

времени.

Широко используется

в

установках

Ленгмюра-Блоджетт.

Work Function:

Работа выхода: Минимальная энергия (обычно

измеряемая

в

электрон-вольтах),

которую

необходимо

затратить

для

удаления электрона из объема твѐрдого

тела. Электрон удаляется из твердого

тела через данную поверхность и

перемещается

в

точку,

которая

расположена

достаточно

далеко

от

поверхности

по

атомным

масштабам

(чтобы электрон прошел весь двойной

слой), но достаточно близко по

сравнению

с

размерами

макроскопических граней

кристалла.

При этом пренебрегают дополнительной

работой, которую необходимо затратить

на преодоление внешних полей,

возникающих из-за перераспределения

поверхностных зарядов. Таким образом,

работа выхода для одного и того же

вещества

для

различных

кристаллографических

ориентаций

поверхности оказывается различной.

X

X-ray Lithography:

Рентгенолитография:

Разновидность

оптической бесконтактной печати, в

которой длина волны экспонирующего

облучения лежит в диапазоне 0.4 - 5 нм.

Несмотря на то, что при рентгеновской

литографии используется бесконтактная

экспонирующая

система,

проявление

дифракционных эффектов уменьшено за

счет малой длины волны рентгеновского

излучения.

Основная

причина

разработки

метода

рентгеновской

литографии заключалась в возможности

получения высокого разрешения и, в то

же время, высокой производительности

оборудования. Кроме того, за счет

малой

величины

энергии

мягкого

рентгеновского излучения уменьшается

проявление

эффектов рассеяния

в

резистах и подложке.

X-ray Photoelectron Spectroscopy (XPS),

Рентгеновская

фотоэлектронная

Electron

Spectroscopy

for

спектроскопия, РФЭС: Метод анализа

Chemical Analysis (ESCA):

поверхности,

основанный

на

регистрации

энергетических

спектров

электронов,

возникающих

вследствие

внешнего фотоэффекта при облучении

исследуемого

объекта

электромагнитным

излучением

рентгеновского

диапазона

спектра.

Используется

также

термин

«электронная

спектроскопия

для

химического анализа», (ЭСХА).

Xerogel:

Ксерогель: Твердое тело, образованное из геля

в результате его сушки. Обычно

обладает

высокими

пористостью

(до

25 %), площадью поверхности (150 –

900 м2/г) и небольщим размером пор (1

– 10 нм).

Y

Yttrium

Barium

Copper

Oxide

Иттриево-бариевая

керамика:

Твердый,

(YBACUO):

хрупкий

керамический

материал,

обладающий

сверхпроводящими

свойствами.

Z

Zener Diode:

Диод

Зенера:

Полупроводниковое,

двухполюсное

устройство

с

обратным

смещением

в

область

пробоя.

Устройство

имеет

высокий

импеданс

при приложении напряжения ниже, чем

напряжение пробоя. Ток увеличивается

существенно

при

приложении

напряжения выше напряжения пробоя.

Следовательно,

устройство применяется

как регулятор напряжения.

Zeptosecond:

Зептосекунда

(зс

,

Zs):

Отрезок

времени,

составляющий

10-21

часть секунды.

Удобно

использовать

при

наблюдении

за движением атомных ядер.

Zero Offset:

Смещение нуля (коррекция нуля): Выходной

сигнал

сенсора

при

нулевом

входном

сигнале

и

при

определенном

напряжении питания или токе.

Zinc Finger:

Цинковый палец:

Одна

из

основных

групп

белков, связывающих ДНК. Являются

регуляторами транскрипции,

содержат

характерный домен, который включает 2

цистеиновых

и

2

гистидиновых

остатков.

Эти

аминокислоты

взаимодействуют с ионом цинка, а

расположенная

между

ними

полипептидная цепочка образует петлю

в виде «пальца». Цинковые пальцы

C2H2 образуют важное

семейство

связывающихся

с

ДНК

белковых

доменов,

встречающихся

в

транскрипционных

факторах

эукариот.

С2Н2-домены, относятся к одному из

наиболее перспективных с точки зрения

практического

применения

ДНК-

узнающих белков. Предполагается, что

изучение

этих

доменов

позволит

проектировать

белки

с

цинковыми

пальцами, которые будут узнавать

специфические последовательности, что

актуально в системах диагностики и

генной инженерии. С2Н2 домены

обязаны своей структурой в первую

очередь атому цинка и связывающим

его остаткам цистеина и гистидина.

Отсутствие атома цинка ведет к распаду

структуры.

Zinc Sulfide:

Сульфид цинка:

Полупроводник (химическая

формула ZnS), у которого ширина

запрещенной зоны одна из самых

больших

среди

полупроводников,

используемых на практике. Материал

может использоваться для получения

излучателя синего света.