4. Результаты исследований

Вычислим пористость ПК (p, %):

(4)

Вычислим абсолютную погрешность измерения пористости ПК вычисляется:

Относительная погрешность измерения пористости ПК (, %), вычисляется по формуле

(6)

5. Заключение

6. Использованная литература

11. Porosity and pore size distributions of porous silicon layers / R. Herino [et al.] // J. Electrochem. Soc. – 1987. – Vol. 134, № 8. – P. 1994–2000.

27. Наноэлектроника : учеб. пособие для студентов специальности «Микроэлектроника» : в 3 ч. / В.Е. Борисенко, А.И. Воробьева. – Минск : БГУИР, 2003. – Ч. 2 : Нанотехнология. – 2003. – 48 с.

28. Лабунов, В.А. Формирование пористого кремния на кремнии n⁺-типа проводимости / В.А. Лабунов, В.П. Бондаренко, Л.К. Глиненко // Известия АН БССР. – 1983. – № 1. – С. 55–59.

29. Lehmann V. On the morphology and the electrochemical formation mechanism of mesoporous silicon / V. Lehmann, R. Stengl, A. Luigart // Mat. Sci. Eng. B. – 2000. – Vol. 69–70. – P. 11–22.

30. Herino, R. Nanocomposite materials from porous silicon / R. Herino // Mat. Sci. Eng. B. – 2000. – Vol. 69–70. – P. 70–76.

31. Granitzer, P. Porous silicon – a versatile host material / P. Granitzer, K. Rumpf // Materials. – 2010. – Vol. 3. – P. 943–998.

32. Grosman, А. Chemical composition of fresh porous silicon / A. Grosman, C. Ortega // Properties of porous silicon / L.T. Canham; ed. by L.T. Canham. – London, INSPEC, 2004. – Chap. 5, sec. 5.1. – P. 145–153.

33. Canham, L.T. Chemical composition of ‘aged’ porous silicon / L.T. Canham // Properties of porous silicon / L.T. Canham; ed. by L.T. Canham. – London, INSPEC, 2004. – Chap. 5, sec. 5.2. – P. 154–157.