- •Методическое пособие по курсовому проектированию
- •Содержание:
- •Введение
- •2. Мощный каскад
- •3. Модуляторы
- •4. Драйверы силовых транзисторов
- •5. Расчет тепловых потерь мощного ключа
- •6. Задатчик
- •6.1 Задатчик на базе терморезисторов
- •7. Расчет коэффициента передачи усилителя
- •Выбор схемы усилителя
- •9. Защиты
- •9.1 Защита от токов короткого замыкания
- •9.2. Защита от длительного пускового режима
- •10. Отрицательная обратная связь по току
- •11. Построение схемы электронного блока
- •12. Методические указания
- •12.1 Последовательность выполнения курсового проекта
- •Литература
- •Варианты* заданий на курсовое проектирование
- •Усилители на базе оу
- •Инвертирующий усилитель
- •Неинвертирующий усилитель
- •Усилитель-повторитель
- •Разностный (дифференциальный) усилитель
- •Измерительный усилитель
- •Двигатели
- •Датчики температур
- •Mosfet транзисторы n-типа
- •Igbt транзисторы
- •Характеристики igbt-модулей со (Встречно-включенный диод и мощный радиатор)
- •N-канальные sense-мдп-транзисторы
- •Драйверы*
- •Оптопары транзисторные
- •Оптопары диодно – транзисторные
- •Адреса поиска сайтов фирм-производителей
- •Пример типовой ведомости учета элементов
Пример типовой ведомости учета элементов
Поз. обознач. |
Наименование |
Кол. |
Температурн. диапазон |
Примечание | ||||||||||
|
|
|
| |||||||||||
|
Конденсаторы |
|
| |||||||||||
|
|
|
| |||||||||||
C1 |
Чип танталовый В-6.3 В 10 мкф±20% |
1 |
-40…105 °С |
| ||||||||||
C2,C3 |
Чип керамический 1206-Y5V-0,1 мкф+80/-20% |
2 |
-25…85 °С |
Не входит в диапазон | ||||||||||
C4 – C17 |
Чип керамический 1206-NPO-39 пф±5% |
14 |
-55…125 °С |
| ||||||||||
|
|
|
| |||||||||||
|
Микросхемы |
|
| |||||||||||
|
|
|
| |||||||||||
DA1 |
AD7705BR |
1 |
-40…85 °С |
Не входит в диапазон | ||||||||||
DA2 |
ADR127AUJZ-R2 |
1 |
-40…125 °С |
| ||||||||||
DD1 |
DS1305EN |
1 |
-30…80 °С |
Не входит в диапазон | ||||||||||
|
|
|
| |||||||||||
|
|
|
| |||||||||||
|
|
|
| |||||||||||
|
|
|
| |||||||||||
|
|
|
| |||||||||||
|
|
|
| |||||||||||
|
|
|
| |||||||||||
|
|
|
| |||||||||||
|
|
|
| |||||||||||
|
|
|
| |||||||||||
|
|
| ||||||||||||
|
|
|
|
|
ГУИР.687274.010 ПЭ3 | |||||||||
|
|
|
|
| ||||||||||
Изм |
Лист |
№ докум |
Подп. |
Дата | ||||||||||
Разраб. |
Иванов |
|
|
Плата блока измерения Перечень элементов |
Лит |
Лист |
Листов | |||||||
Пров. |
Петров |
|
|
|
О |
|
1 |
5 | ||||||
|
|
|
|
Кафедра СУ гр. 922404 | ||||||||||
|
|
|
| |||||||||||
|
|
|
|
ПРИЛОЖЕНИЕ 11 (продолжение)
Поз. обознач. |
Наименование |
Кол. |
Температурн. диапазон |
Примечание | |||||
|
Резисторы |
|
| ||||||
|
|
|
| ||||||
R1,R2 |
MF-25-2,67 кОм±0,1% |
2 |
-40…150 °С |
| |||||
R3-R5 |
MF-25-249 Ом±0,1% |
3 |
-40…155 °С |
| |||||
R12 |
Чип 1206-220 Ом±5% |
1 |
-50…150 °С |
| |||||
|
|
|
| ||||||
VD1-VD4 |
Диод LL4448 ТУ РБ 07601151.004-94 |
4 |
-65…175 °С |
| |||||
VD5,VD6 |
Стабилитрон BZV55-C6V2 ТУ РБ 07601151.007-95 |
2 |
-65…175 °С |
| |||||
VD7 |
Диод MBR0530Е1 |
1 |
-50…125 °С |
| |||||
VT1 |
Транзистор FV303N |
1 |
-40…120 °С | ||||||
VT2 |
Транзистор NDT452AP 932-632 Farmel |
1 |
-65…150 °С | ||||||
|
| ||||||||
|
|
|
|
|
ГУИР.687274.010 ПЭ3 |
Лист | |||
|
|
|
|
|
2 | ||||
Изм. |
Лист |
№ докум. |
Подп. |
Дата |