Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
ДПТ. Последняя редакция(новая новая) / metoda_po_kursachu_SvSU_samaya_poslednyaya_redaktsia(10.11.14).doc
Скачиваний:
236
Добавлен:
24.02.2016
Размер:
5.6 Mб
Скачать

Mosfet транзисторы n-типа

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

Название

(фирма производитель)*

Макс.рабочее напряж. сток-истока

Vds (B)

Сопротивление сток-исток в открытом состоянии

при напряжении затвора Vg=10В

Rdson max (мОм)

Ток стока при Ткорп=25°C

Id (А)

Заряд затвора

Qg (нК)

Рассеивающая мощность при Ткорп=25°C

Pd (Вт)

Абсолютное макс. напряжение затвора

Vgs max (В)

Время задержки вкл./выкл.

td(on) / td(off) (нс)

Время нарастания/спада тока стока

(при условиях как для времени задержки)

tR / tF (нс)

Тепловое сопротивление переход-корпус

ТJC C/Вт)

Ток затвора статический

IG СТ. (нА)

IRLU3103 (IR)

30

19

46

33.3

69

±16

9/20

VDD = 15 V

ID = 34 A

RG = 3.4 Ω

RD = 0.43Ω

210/54

1.4

±100

PMN49EN (NXP)

30

5

4.6

8.8

100

±30

4.1/12.9

VDS = 15 V RL = 15  VGS = 10 V RG = 6 

4.3/4.9

1.4

±100

IRF3708 (IR)

30

12

62

24

87

±12

7.2/17.6

VDD = 15 V

VGS = 10 V

ID =24.8A

RG = 0.6 Ω

50/3.7

1.73

±100

SiJ400DP (VISH/IR)

30

4

32

100

69

±20

48/49

VDD = 15 V RL = 1.5 Ω

ID = 10 A

RG = 1 Ω

66/20

1.3

±100

IRF1010N (IR)

55

11

72

80

130

±20

13/39

VDD = 28 V

VGS = 10 V

ID = 43 A

RG = 3.6 Ω

76/78

0.85

±100

STB28NM50N (ST)

50

13.5

21

50

150

±25

13.6/62

VDD = 250 V

VGS = 10 V

ID = 10.5 A

RG = 4.7 Ω

19/52

0.83

±100

IRLZ44ZS (IR)

55

13.5

51

24

80

±16

14/25

VDD = 50 V

VGS = 5 V

ID = 31 A

RG = 7.5 Ω

160/42

1.87

±200

ПРИЛОЖЕНИЕ 5 (продолжение)

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

NTD3055-094-1G (ONS)

60

94

12

10.9

48

±20

7.7/25.2

VDD = 48 V

VGS = 10 V

ID = 12 A

RG = 9.1 Ω

32.3/23.9

3.13

±100

IRFP3077 (IR)

75

3.3

200

160

340

±20

25/69

VDD = 38 V

VGS = 10 V

ID = 75 A

RG = 2.1 Ω

87/95

0.44

±100

IRFSL3107 (IR)

75

3

230

160

370

±20

17/100

VDD = 49 V

VGS = 10 V

ID = 160 A

RG = 2.7 Ω

80/64

0.4

±100

AUIRF2807 (IR)

75

13

82

106.7

200

±20

13/49

VDD = 38 V

VGS = 10 V

ID = 78 A

RG = 2.5 Ω

64/48

0.65

±100

IRF1407PBF (IR)

75

7.8

75

160

330

±20

11/150

VDD = 38 V

VGS = 10 V

ID = 78 A

RG = 2.5 Ω

15/140

0.45

±200

NTB52N10G (ONS)

100

30

52

72

178

±20

15/74

VDD = 80 V

VGS = 10 V

ID = 52 A

RG = 9.1 Ω

95/100

0.7

±100

IRF3710 (IR)

100

23

57

86.7

200

±20

12/45

VDD = 50 V

VGS = 10 V

ID = 28 A

RG = 2.5 Ω

58/47

0.75

±100

NTD12N10G (ONS)

100

165

12

14

56.6

±20

11/22

VDD = 80 V

VGS = 10 V

ID = 12 A

RG = 9.1 Ω

30/32

2.65

±100

IRF540N (IR)

100

44

33

47.3

140

±20

11/39

VDD = 50 V

VGS = 10 V

ID = 16 A

RG = 5.1 Ω

35/35

1.15

±100

MTD6N15T4 (ONS)

150

300

6

15

20

±20

50/200

VDD = 25 V

VGS = 10 V

ID = 3 A

RG = 50 Ω

180/100

6.25

±100

NTB35N15T4G (ONS)

150

50

37

70

178

±20

20/90

VDD = 120 V

VGS = 10 V

ID = 37 A

RG = 9.1 Ω

125/120

0.7

±100

IRF3315 (IR)

150

70

21

63.3

94

±20

9.6/49

VDD = 75 V

ID = 12 A

RD = 5.9 Ω

32/38

1.6

±100

ПРИЛОЖЕНИЕ 5 (продолжение)

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

IRFB4019 (IR)

150

95

17

13

80

±20

7/12

VDD = 75 V

VGS = 10 V

ID = 10 A

RG = 2.4 Ω

13/7.8

1.88

±100

NTB30N20T4 (ONS)

200

81

30

75

214

±30

10/40

VDD = 100 V

VGS = 10 V

ID = 18 A

RG = 2.5 Ω

20/24

0.7

±100

MTW32N20EG (ONS)

200

75

32

85

180

±20

25/75

VDD = 100 V

VGS = 10 V

ID = 32 A

RG = 6.2 Ω

120/91

0.7

±100

IRF5801 (IR)

200

2200

0.6

3.9

2

±30

6.5/8.8

VDD = 100 V

VGS = 10 V

ID = 0.36 A

RG = 53 Ω

8/19

-

±100

IRF230 (IR)

200

400

9

25

75

±20

35/60

VDD = 100 V

VGS = 10 V

ID = 9 A

RG = 7.5 Ω

80/40

1.67

±100

IRFSL5620 (IR)

200

77.5

24

25

144

±20

8.6/17.1

VDD = 100 V

VGS = 10 V

ID = 15 A

RG = 2.4Ω

14.6/9.9

1.045

±100

IRFP4232 (IR)

250

35.7

60

160

430

±20

37/64

VDD = 125 V

VGS = 10 V

ID = 42 A

RG = 5.0 Ω

100/63

0.35

±100

IRF634PBF (VISH/IR)

250

450

32

41

74

±20

9.6/42

VDD = 125 V

ID = 5.6 A

Rg = 12 Ω

RD = 22 Ω

21/19

1.7

±100

IRFU224 (VISH/IR)

250

1100

15

14

42

±20

7/20

VDD = 125 V

ID = 4.4 A

RG = 18 Ω

RD = 28 Ω

13/12

3.0

±100

IRFS4229PBF (IR)

250

48

45

72

330

±30

18/30

VDD = 125 V

VGS = 10 B

ID = 26 A

31/21

0.45

±100

ПРИЛОЖЕНИЕ 5 (продолжение)

*Расшифровка фирм производителей (подробнее см. приложение 10)

IR - International Rectifier

VISH/IR- Vishay (Vishay Seliconix)

ONS - On Semiconductor

ST - STMicroelectronics, Inc.

NXP- NXP Semiconductor

ПРИЛОЖЕНИЕ 6

Соседние файлы в папке ДПТ. Последняя редакция(новая новая)