- •Методическое пособие по курсовому проектированию
- •Содержание:
- •Введение
- •2. Мощный каскад
- •3. Модуляторы
- •4. Драйверы силовых транзисторов
- •5. Расчет тепловых потерь мощного ключа
- •6. Задатчик
- •6.1 Задатчик на базе терморезисторов
- •7. Расчет коэффициента передачи усилителя
- •Выбор схемы усилителя
- •9. Защиты
- •9.1 Защита от токов короткого замыкания
- •9.2. Защита от длительного пускового режима
- •10. Отрицательная обратная связь по току
- •11. Построение схемы электронного блока
- •12. Методические указания
- •12.1 Последовательность выполнения курсового проекта
- •Литература
- •Варианты* заданий на курсовое проектирование
- •Усилители на базе оу
- •Инвертирующий усилитель
- •Неинвертирующий усилитель
- •Усилитель-повторитель
- •Разностный (дифференциальный) усилитель
- •Измерительный усилитель
- •Двигатели
- •Датчики температур
- •Mosfet транзисторы n-типа
- •Igbt транзисторы
- •Характеристики igbt-модулей со (Встречно-включенный диод и мощный радиатор)
- •N-канальные sense-мдп-транзисторы
- •Драйверы*
- •Оптопары транзисторные
- •Оптопары диодно – транзисторные
- •Адреса поиска сайтов фирм-производителей
- •Пример типовой ведомости учета элементов
Mosfet транзисторы n-типа
1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
6 |
7 |
8 |
9 |
10 |
11 |
Название (фирма производитель)* |
Макс.рабочее напряж. сток-истока Vds (B) |
Сопротивление сток-исток в открытом состоянии при напряжении затвора Vg=10В Rdson max (мОм) |
Ток стока при Ткорп=25°C Id (А) |
Заряд затвора Qg (нК) |
Рассеивающая мощность при Ткорп=25°C Pd (Вт) |
Абсолютное макс. напряжение затвора Vgs max (В) |
Время задержки вкл./выкл. td(on) / td(off) (нс) |
Время нарастания/спада тока стока (при условиях как для времени задержки) tR / tF (нс) |
Тепловое сопротивление переход-корпус ТJC (°C/Вт) |
Ток затвора статический IG СТ. (нА) |
IRLU3103 (IR) |
30 |
19 |
46 |
33.3 |
69 |
±16 |
9/20 VDD = 15 V ID = 34 A RG = 3.4 Ω RD = 0.43Ω |
210/54 |
1.4 |
±100 |
PMN49EN (NXP) |
30 |
5 |
4.6 |
8.8 |
100 |
±30 |
4.1/12.9 VDS = 15 V RL = 15 VGS = 10 V RG = 6 |
4.3/4.9 |
1.4 |
±100 |
IRF3708 (IR) |
30 |
12 |
62 |
24 |
87 |
±12 |
7.2/17.6 VDD = 15 V VGS = 10 V ID =24.8A RG = 0.6 Ω |
50/3.7 |
1.73 |
±100 |
SiJ400DP (VISH/IR) |
30 |
4 |
32 |
100 |
69 |
±20 |
48/49 VDD = 15 V RL = 1.5 Ω ID = 10 A RG = 1 Ω |
66/20 |
1.3 |
±100 |
IRF1010N (IR) |
55 |
11 |
72 |
80 |
130 |
±20 |
13/39 VDD = 28 V VGS = 10 V ID = 43 A RG = 3.6 Ω |
76/78 |
0.85 |
±100 |
STB28NM50N (ST) |
50 |
13.5 |
21 |
50 |
150 |
±25 |
13.6/62 VDD = 250 V VGS = 10 V ID = 10.5 A RG = 4.7 Ω |
19/52 |
0.83 |
±100 |
IRLZ44ZS (IR) |
55 |
13.5 |
51 |
24 |
80 |
±16 |
14/25 VDD = 50 V VGS = 5 V ID = 31 A RG = 7.5 Ω |
160/42 |
1.87 |
±200 |
ПРИЛОЖЕНИЕ 5 (продолжение)
1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
6 |
7 |
8 |
9 |
10 |
11 |
NTD3055-094-1G (ONS) |
60 |
94 |
12 |
10.9 |
48 |
±20 |
7.7/25.2 VDD = 48 V VGS = 10 V ID = 12 A RG = 9.1 Ω |
32.3/23.9 |
3.13 |
±100 |
IRFP3077 (IR) |
75 |
3.3 |
200 |
160 |
340 |
±20 |
25/69 VDD = 38 V VGS = 10 V ID = 75 A RG = 2.1 Ω |
87/95 |
0.44 |
±100 |
IRFSL3107 (IR) |
75 |
3 |
230 |
160 |
370 |
±20 |
17/100 VDD = 49 V VGS = 10 V ID = 160 A RG = 2.7 Ω |
80/64 |
0.4 |
±100 |
AUIRF2807 (IR) |
75 |
13 |
82 |
106.7 |
200 |
±20 |
13/49 VDD = 38 V VGS = 10 V ID = 78 A RG = 2.5 Ω |
64/48 |
0.65 |
±100 |
IRF1407PBF (IR) |
75 |
7.8 |
75 |
160 |
330 |
±20 |
11/150 VDD = 38 V VGS = 10 V ID = 78 A RG = 2.5 Ω |
15/140 |
0.45 |
±200 |
NTB52N10G (ONS) |
100 |
30 |
52 |
72 |
178 |
±20 |
15/74 VDD = 80 V VGS = 10 V ID = 52 A RG = 9.1 Ω |
95/100 |
0.7 |
±100 |
IRF3710 (IR) |
100 |
23 |
57 |
86.7 |
200 |
±20 |
12/45 VDD = 50 V VGS = 10 V ID = 28 A RG = 2.5 Ω |
58/47 |
0.75 |
±100 |
NTD12N10G (ONS) |
100 |
165 |
12 |
14 |
56.6 |
±20 |
11/22 VDD = 80 V VGS = 10 V ID = 12 A RG = 9.1 Ω |
30/32 |
2.65 |
±100 |
IRF540N (IR) |
100 |
44 |
33 |
47.3 |
140 |
±20 |
11/39 VDD = 50 V VGS = 10 V ID = 16 A RG = 5.1 Ω |
35/35 |
1.15 |
±100 |
MTD6N15T4 (ONS) |
150 |
300 |
6 |
15 |
20 |
±20 |
50/200 VDD = 25 V VGS = 10 V ID = 3 A RG = 50 Ω |
180/100 |
6.25 |
±100 |
NTB35N15T4G (ONS) |
150 |
50 |
37 |
70 |
178 |
±20 |
20/90 VDD = 120 V VGS = 10 V ID = 37 A RG = 9.1 Ω |
125/120 |
0.7 |
±100 |
IRF3315 (IR) |
150 |
70 |
21 |
63.3 |
94 |
±20 |
9.6/49 VDD = 75 V ID = 12 A RD = 5.9 Ω |
32/38 |
1.6 |
±100 |
ПРИЛОЖЕНИЕ 5 (продолжение)
1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
6 |
7 |
8 |
9 |
10 |
11 |
IRFB4019 (IR) |
150 |
95 |
17 |
13 |
80 |
±20 |
7/12 VDD = 75 V VGS = 10 V ID = 10 A RG = 2.4 Ω |
13/7.8 |
1.88 |
±100 |
NTB30N20T4 (ONS) |
200 |
81 |
30 |
75 |
214 |
±30 |
10/40 VDD = 100 V VGS = 10 V ID = 18 A RG = 2.5 Ω |
20/24 |
0.7 |
±100 |
MTW32N20EG (ONS) |
200 |
75 |
32 |
85 |
180 |
±20 |
25/75 VDD = 100 V VGS = 10 V ID = 32 A RG = 6.2 Ω |
120/91 |
0.7 |
±100 |
IRF5801 (IR) |
200 |
2200 |
0.6 |
3.9 |
2 |
±30 |
6.5/8.8 VDD = 100 V VGS = 10 V ID = 0.36 A RG = 53 Ω |
8/19 |
- |
±100 |
IRF230 (IR) |
200 |
400 |
9 |
25 |
75 |
±20 |
35/60 VDD = 100 V VGS = 10 V ID = 9 A RG = 7.5 Ω |
80/40 |
1.67 |
±100 |
IRFSL5620 (IR) |
200 |
77.5 |
24 |
25 |
144 |
±20 |
8.6/17.1 VDD = 100 V VGS = 10 V ID = 15 A RG = 2.4Ω
|
14.6/9.9 |
1.045 |
±100 |
IRFP4232 (IR) |
250 |
35.7 |
60 |
160 |
430 |
±20 |
37/64 VDD = 125 V VGS = 10 V ID = 42 A RG = 5.0 Ω |
100/63 |
0.35 |
±100 |
IRF634PBF (VISH/IR) |
250 |
450 |
32 |
41 |
74 |
±20 |
9.6/42 VDD = 125 V ID = 5.6 A Rg = 12 Ω RD = 22 Ω |
21/19 |
1.7 |
±100 |
IRFU224 (VISH/IR) |
250 |
1100 |
15 |
14 |
42 |
±20 |
7/20 VDD = 125 V ID = 4.4 A RG = 18 Ω RD = 28 Ω |
13/12 |
3.0 |
±100 |
IRFS4229PBF (IR) |
250 |
48 |
45 |
72 |
330 |
±30 |
18/30 VDD = 125 V VGS = 10 B ID = 26 A |
31/21 |
0.45 |
±100 |
ПРИЛОЖЕНИЕ 5 (продолжение)
*Расшифровка фирм производителей (подробнее см. приложение 10)
IR - International Rectifier
VISH/IR- Vishay (Vishay Seliconix)
ONS - On Semiconductor
ST - STMicroelectronics, Inc.
NXP- NXP Semiconductor
ПРИЛОЖЕНИЕ 6