Характеристики igbt-модулей со (Встречно-включенный диод и мощный радиатор)

(Для ознакомления. Не использовать в курсовом проекте)

1	2	3	4	5	6	7	8	9
Название (фирма производитель)*	Макс.рабочее напряж. коллектор-эммитер V_CES (B)	Макс. ток коллектора Iс (А)	Напряж. насыщения коллектор-эммитер V_CE(on) typ. (B) при V_GE =10 (B)	Время задержки вкл./выкл. при Ткорп=25°C td(on) / td(off) (нс)	Время нарастания/спада тока стока (при условиях как для времени задержки) t_R / t_F (нс)	Время восстановления демпферного дидода t_RR (нс)	Тепловое сопротивление переход-охладитель R_ThJH(°C /Вт)	Конфигурация схемы
IGBT-модули серии U
CM350DU-5F (СМ)	250	350	1.2	1100/900	2400/500	300	0.13	Полумост
CM600HU-12H (СМ)	600	600	2.4	300/350	600/350	160	0.08	Отд. ключ
CM300DU-12H (СМ)	600	300	2.4	250/350	500/300	160	0.14	Полумост
CM75BU-12H (СМ)	600	75	2.4	100/200	250/300	160	0.4	Мост
IGBT-модули серии A (CSTBT) в корпусе серии U
CM400HA-24A (СМ)	1200	400	3.0	550/600	180/350	250	0.053	Отд. ключ
CM600HB-24A (СМ)	1200	600	3.0	660/700	190/350	250	0.034	Отд. ключ
CM150DY-24A (СМ)	1200	150	3.0	200/400	100/350	150	0.13	Полумост
CM300DY-24A (СМ)	1200	300	3.0	500/500	140/350	250	0.046	Полумост

*Расшифровка фирм производителей (подробнее см. приложение 10)

IR - International Rectifier

ST - STMicroelectronics, Inc.

СМ - Mitsubishi Electric Corp.

ПРИЛОЖЕНИЕ 7

N-канальные sense-мдп-транзисторы

1	2	3	4	5	6	7	8	9	10	11
Название (фирма производитель)*	Макс.рабочее напряж. сток-истока Vds (B)	Сопротивление сток-исток в открытом состоянии при напряжении затвора Vg=10В Rdson max (мОм)	Ток стока при Ткорп=25°C Id (А)	Заряд затвора Qg (нК)	Рассеивающая мощность при Ткорп=25°C Pd (Вт)	Абсолютное макс. напряжение затвора Vgs max (В)	Время задержки вкл./выкл. td(on) / td(off) (нс)	Время нарастания/спада тока стока (при условиях как для времени задержки) tR / tF (нс)	Тепловое сопротивление переход-корпус Т_JC	Ток затвора статический I_G_СТ.(нА)
BUK7C06-40AITE (NXP)	40	4.7	155	120 V_DS=32V V_GS=10V I_D=25A	272	±20	35/155 V_DS=30V R_L=1.2Ω V_GS=10V R_G=10Ω	115/110	0.55 К/Вт	±1000
BUK7C06-40AITE (NXP)	V_GS= 20В K₀= I_D/ I_SENSE= 650
BUK7C08-55AITE (NXP)	55	6.8	130	116 V_DS=44V V_GS=10V I_D=25A	272	±20	35/155 V_DS=30V R_L=1.2Ω V_GS=10V R_G=10Ω	115/110	0.55 К/Вт	±1000
BUK7C08-55AITE (NXP)	V_GS= 20В K₀= I_D/ I_SENSE= 488
BUK7C10-75AITE (NXP)	75	8.8	114	121 V_DS=60V V_GS=10V I_D=25A	272	±20	35/185 V_DS=30V R_L=1.2Ω V_GS=10V R_G=10Ω	108/100	0.55 К/Вт	±1000
BUK7C10-75AITE (NXP)	V_GS= 20В K₀= I_D/ I_SENSE= 500
BUK7105-40AIE (NXP)	40	4.5	155	120 V_DS=32V V_GS=10V I_D=25A	272	±20	35/155 V_DS=30V R_L=1.2Ω V_GS=10V R_G=10Ω	115/110	0.55 К/Вт	±1000
BUK7105-40AIE (NXP)	V_GS= 20В K₀= I_D/ I_SENSE= 506
BUK7107-55AIE (NXP)	55	5.8	140	116 V_DS=44V V_GS=10V I_D=25A	272	±20	36/159 V_DS=30V R_L=1.2Ω V_GS=10V R_G=10Ω	115/111	0.55 К/Вт	±1000
BUK7107-55AIE (NXP)	V_GS= 20В K₀= I_D/ I_SENSE= 502
BUK7108-40AIE (NXP)	40	6	117	78 V_DS=44V V_GS=10V I_D=25A	221	±20	19/121 V_DS=30V R_L=1.2Ω V_GS=10V R_G=10Ω	76/122	0.68 К/Вт	±300
BUK7108-40AIE (NXP)	V_GS= 20В K₀= I_D/ I_SENSE= 490
BUK7109-75AIE (NXP)	75	8	120	121 V_DS=60V V_GS=10V I_D=25A	272	±20	35/185 V_DS=30V R_L=1.2Ω V_GS=10V R_G=10Ω	108/100	0.55 К/Вт	±1000
BUK7109-75AIE (NXP)	V_GS= 20В K₀= I_D/ I_SENSE= 500
BUK7905-40AI (NXP)	40	4.5	155	120 V_DS=32V V_GS=10V I_D=25A	272	±20	35/155 V_DS=30V R_L=1.2Ω V_GS=10V R_G=10Ω	115/110	0.55 К/Вт	±100
BUK7905-40AI (NXP)	V_GS= 20В K₀= I_D/ I_SENSE= 507

ПРИЛОЖЕНИЕ 7 (продолжение)

1	2	3	4	5	6	7	8	9	10	11
Si4730EY (VISH/IR)	30	15	11.7	34 V_DS=15V V_GS=10V I_D=11.7A	3.6 на 1”x1”	±20	13/60 I_D=1A R_L=15Ω V_DD=15V V_GEN=10V R_G=6Ω	10/20	-	±100
Si4730EY (VISH/IR)	V_GS= 16В K₀=I_D/I_SENSE=345 при R_S=1.1Ω K₀=I_D/I_SENSE=418 при R_S=2.2Ω K₀=I_D/I_SENSE=660 при R_S=4.7Ω K₀=I_D/I_SENSE=815 при R_S=6.6Ω
Si6862DQ (VISH/IR)	20	15	6.6	25 V_DS=10V V_GS=4.5V I_D=5.2A	1.8 на 1”x1”	±20	28/80 I_D=1A R_L=10Ω V_DD=10V V_GEN=4.5V R_G=6Ω	40/45	-	±100
Si6862DQ (VISH/IR)	V_GS= 12В K₀=I_D/I_SENSE=200 при R_S=1.06Ω K₀=I_D/I_SENSE=370 при R_S=4.73Ω K₀=I_D/I_SENSE=593 при R_S=9.97Ω K₀=I_D/I_SENSE=798 при R_S=14.96Ω K₀=I_D/I_SENSE=940 при R_S=17.97Ω
SUM50N03-13LC (VISH/IR)	30	13	50	35 V_DS=15V V_GS=20V I_D=50A	83	±20	10/30 I_D=50A R_L=0.3Ω V_DD=15V V_GEN=10V R_G=2.5Ω	93/10	1.8 °C/Вт	±100
SUM50N03-13LC (VISH/IR)	V_GS= 20В K₀=I_D/I_SENSE=420 при R_S=0.5Ω K₀=I_D/I_SENSE=500 при R_S=1.1Ω K₀=I_D/I_SENSE=610 при R_S=2.2Ω K₀=I_D/I_SENSE=920 при R_S=4.7Ω K₀=I_D/I_SENSE=1135 при R_S=6.6Ω
SUM60N08-07C (VISH/IR)	75	7	60	110 V_DS=35V V_GS=10V I_D=60A	300	±20	15/75 I_D=60A R_L=0.6Ω V_DD=35V V_GEN=10V R_G=2.5Ω	130/120	0.5 °C/Вт	±100
SUM60N08-07C (VISH/IR)	V_GS= 20В K₀=I_D/I_SENSE=1830 при R_S=1Ω K₀=I_D/I_SENSE=2090 при R_S=2Ω K₀=I_D/I_SENSE=2600 при R_S=5Ω K₀=I_D/I_SENSE=2920 при R_S=6Ω

*Расшифровка фирм производителей (подробнее см. приложение 10)

VISH/IR- Vishay (Vishay Seliconix)

ONS - On Semiconductor

NXP- NXP Semiconductor

ПРИЛОЖЕНИЕ 8

<<< < Предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 1718 / 2118 19 20 21 > Следующая >>>

Соседние файлы в папке ДПТ. Последняя редакция(новая новая)

#
24.02.2016218.56 Кб28333.jpg
#
24.02.2016264.35 Кб27444.jpg
#
24.02.2016214.45 Кб24555.jpg
#
24.02.2016210.2 Кб25666.jpg
#
24.02.2016208.63 Кб25777.jpg
#
24.02.20165.6 Mб236metoda_po_kursachu_SvSU_samaya_poslednyaya_redaktsia(10.11.14).doc