
- •Методическое пособие по курсовому проектированию
- •Содержание:
- •Введение
- •2. Мощный каскад
- •3. Модуляторы
- •4. Драйверы силовых транзисторов
- •5. Расчет тепловых потерь мощного ключа
- •6. Задатчик
- •6.1 Задатчик на базе терморезисторов
- •7. Расчет коэффициента передачи усилителя
- •Выбор схемы усилителя
- •9. Защиты
- •9.1 Защита от токов короткого замыкания
- •9.2. Защита от длительного пускового режима
- •10. Отрицательная обратная связь по току
- •11. Построение схемы электронного блока
- •12. Методические указания
- •12.1 Последовательность выполнения курсового проекта
- •Литература
- •Варианты* заданий на курсовое проектирование
- •Усилители на базе оу
- •Инвертирующий усилитель
- •Неинвертирующий усилитель
- •Усилитель-повторитель
- •Разностный (дифференциальный) усилитель
- •Измерительный усилитель
- •Двигатели
- •Датчики температур
- •Mosfet транзисторы n-типа
- •Igbt транзисторы
- •Характеристики igbt-модулей со (Встречно-включенный диод и мощный радиатор)
- •N-канальные sense-мдп-транзисторы
- •Драйверы*
- •Оптопары транзисторные
- •Оптопары диодно – транзисторные
- •Адреса поиска сайтов фирм-производителей
- •Пример типовой ведомости учета элементов
Оптопары транзисторные
-
Наименование
(производитель)
Входное напряжение при входном токе, не более
IвхмА/UпрВ
Выходное остаточное напряжение, не более
UостВ
Коэффициент передачи по току KI=Iвых/Iвх
Время нарастания/спада, tнар/tспмкс
Входной максимальный ток, Iвх maxмА
Выходной максимальный ток, Iвых maxмА
Выходное коммутируемое напряжение, UкомВ
Сопротивление резистора база–эмиттер, RбэкОм
Диапазон рабочей температуры, T°С
АОТ 128А
10/1.6
0.3
1
5/5
40
8
50
100
-45..+85
АОТ 147Б
10/1.8
0.4
0.05
3/3
30
3
30
*
-60..+70
АОТ 174А
20/1.5
0.2
0.8-1.6
18/18
50
50
35
*
-45..+100
АОТ 128Б
10/1.6
0.4
0.25
5/5
40
32
30
100
-45..+85
4N35
(Fairchild)
10/1.5
0.3
1
2/2
60
50
30
100
-55..+100
PC817C
(Sharp)
20/1.4
0.2
2-4
4/3
50
50
35
*
-30..+100
TLP521-1GB
(Toshiba)
10/1.3
0.4
1-6
2/3
70
50
55
*
-55..+100
CNY17-4
(Vishay)
10/1.65
0.4
1.6-3.2
4.6/15
60
50
70
100
-55..+100
*Диапазон сопротивления база-эмиттер смотри на сайтах производителя
Оптопары диодно – транзисторные
-
Наименование
(производитель)
Входное напряжение при входном токе, не более
IвхмА/UпрВ
Выходное остаточное напряжение, не более
UостВ
Коэффициент передачи по току KI=Iвых/Iвх
Время нарастания/спада, tнар/tспмкс
Входной максимальный ток, Iвх maxмА
Выходной максимальный ток, Iвых maxмА
Выходное коммутируемое напряжение, UкомВ
Диапазон рабочей температуры, T°С
КОЛ 201А
10/1.5
0.5
1/1
10
10
10
-60..+70
ПРИЛОЖЕНИЕ 10
Адреса поиска сайтов фирм-производителей
№ |
1 |
2 |
Фирма |
Примечания | |
1 |
ABB Semiconductors AG |
http://www.abbsemi.com/ |
2 |
Eupec GmbH |
http://www.eupec.com/ |
3 |
Fairchild Semiconductors Corp. |
http://www.fairchildsemi.com/ |
4 |
Fuji Electric Co. |
http://www.fujielectric.co.jp/ |
5 |
General Electric |
см. Intersil |
6 |
Harris Semiconductors |
см. Intersil |
7 |
Hitachi, Ltd. |
http://www.renesas.com/ |
8 |
Infineon Technologies AG |
http:// www.infineon.com/ |
9 |
International Rectifier |
http://www.irf.com/ |
10 |
Intersil, Inc. |
http://www.intersil.com/ |
11 |
IXYS Corp. |
http://www.ixys.com/ |
12 |
Japanese Electronical Laboratory |
http://www.rohm.com/ |
13 |
Mitsubishi Electric Corp. |
http://www.renesas.com/ |
14 |
Motorola Inc. |
Силовую продукцию см. в фирме ON Semiconductor |
15 |
NXP Semiconductors |
Отделение Philips http://www.nxp.com/ |
16 |
On Semiconductor |
Ранее отделение Motorola, http://www.onsemi.com/ |
17 |
Philips Semiconductors |
http://www.semiconductors.philips.com/ |
18 |
RCA |
см. Intersil |
19 |
Samsung Semiconductor |
Силовую продукцию см. в фирме Fairchild Semiconductors |
20 |
Semikron |
http://www.semikron.com/ |
21 |
Siemens Semiconductor |
см. Infineon Technologies |
22 |
STMicroelectronics, Inc. |
http://www.st.com/ |
23 |
Thomson–CSF |
см. STMicroelectronics |
24 |
Tokin |
http://www.tokin.com/ |
25 |
Toshiba America Electronic Components, Inc. |
http://www.toshiba.com/ |
26 |
Vishay (Vishay Seliconix) |
http://www.vishay.com/ |
ПРИЛОЖЕНИЕ 11