О граничение “сверху”.

2) Ограничение “снизу”. 3) Двустороннее ограничение.

В качестве простейшего нелинейного элемента в ограничителях служат диоды.

В зависимости от способа включения диодов и присоединяемой нагрузки различают последовательные и параллельные ограничители.

5 .2.

R пр. Rн., Rобр.  ∞

5 .3.

Для параллельных обязательное включение Rогр.

Rпр.  Rогр.  Rн.  Rобр.

Если необходимо выполнить ограничения на некотором другом уровне, отличном от 0 для схемы параллельного ограничения, то последовательно с диодом выключают источник смещения.

5 .4. Комбинированные формирования импульсов сроятся из уже известных формирователей импульсов с применением ограничителей по амплитуде.

6. Усилители импульсов.

6.1. Усилители импульсов с резистивной связью.

6.2. Токи цепей нагрузки и коллектора.

6.3. Токи цепей базы и смещения.

6.1. В электронных схемах в качестве усилителей импульсов чаще всего применяются транзисторы. Примем условно за высокий потенциал — потенциал О, за низкий потенциал — потенциал 1.

У транзистора типа р - п - р выходной сигнал будет существовать по длительности на выходе ровно столько, сколько существует входной.

Rc - сопр. связи.

-Uкз (1)

+Uк (0)

Если транзистор закрыт, то потенциал его выхода равен (-Uкз), если же транзистор открыт, то потенциал его выхода равен 0 (за потенциал выхода принять +Uк). Транзистор имеет следующие характеристики: входную и выходную.

А) Входная. Iб = f (Uб) при Iк = Const.

Uб  Uк — условие того, что транзистор открыт.

Uб  Uк — условие того, что транзистор закрыт.

Б) Выходная

Выходная динамическая характеристика строится из уравнения транзистора:

Uк = Uк - IкRк

Uк — напряжение на выходе: при Uк = 0  Iк = (точка А)

при Iк = 0,  Uк = Uк (точка В).

Построим переходную характеристику транзистора.

В справочной литературе приводятся либо max.

6.1.1. нагрузку к усилительному

каскаду можно подключать между

выходом и -Uк и между выходом и +Uк.

Uк — потеря U на переходе эмиттер - коллектор.

6.2.1. При работе усилительных каскадов необходимо обеспечить надежное открытое и закрытое состояния. Это состояние должно быть обеспечено при всем сочетании наихудших параметров. Определим условия, при которых транзистор будет надежно закрыт.

Дестабилизирующими факторами,

стремящимися открыть транзистор, будут:

а) Iко — обратный ток коллектора

б) внешняя отрицательная помеха Uно

в) увеличение смещения

г) снижение Uсм.

Iсм.з. = Iко + Iно

Определим условия, при которых транзистор будет надежно открыт:

Пусть в открытом состоянии

обеспечивается ток коллектора Iк. Тогда:

Iс = Iбном + Iпз + Iсмо

Iпз — ток помехи на закрытие.

 Iс = Iк + ( Iпз + Iсмо ).