Вопрос 105

Если осветить p-n- переход диода, то на его контактах возникнет разность потенциалов. Какова будет её полярность?

+ на р

– на p

+ на n

– на n

Вопрос 106

В диоде с p-n- переходом увеличили степень легирования одной из областей. Что произойдет с величиной емкости перехода (при нулевом смещении)?

увеличится

уменьшится

не изменится

Вопрос 107

Какой диод более высокочастотный : АД110 или 3А530?

3A530

АД110

граничные частоты у них одинаковы

№вопрос108

Каковы режимы работы транзистора и чем они отличаются?

инверсный, насыщения, отсечки, активный. Отличаются полярностью напряжений на p-n-переходах

активный и пассивный. Отличаются величиной тока базы

активный, насыщения, отсечки, инверсный. Отличаются величиной тока коллектора.

№вопрос109

Для увеличения быстродействия МДП-транзистора необходимо

уменьшать длину канала

применить подзатворный диэлектрик с меньшей диэлектрической проницаемостью

увеличить толщину подзатворного диэлектрика

№вопрос110

В зависимости от напряжения на аноде и тока протекающего через тиристор выделяют

5 Режимов работы (прямого запирания, включения, прямой проводимости, обратного запирания, обратного пробоя).

2 режима работы (прямого запирания и включения)

7 режимов работы (прямого запирания, включения, активного усиления, насыщения, обратной проводимости, обратного запирания, обратного пробоя).

Вопрос 111

Для увеличения чувствительности фототранзистора следует

увеличить толщину базы и время жизни носителей в базе

уменьшить толщину базы и время жизни носителей в базе

увеличить толщину базы и уменьшить время жизни носителей в базе

Вопрос 112

Оптопара- это

№да

устройство, которое содержит светоизлучатель и фотоприемник, конструктивно связанные через оптическую среду, но развязанные гальванически

устройство, которое содержит светодиод и фотодиод, питаемые с помощью одного источника тока

оптопара – пара оптических приемников

устройство, в котором светоизлучатель и фотоприемник, связаны гальванически через оптическую среду

№вопрос113

При увеличении температуры диода его обратное сопротивление возрастает или падает?

падает

возрастает

не изменяется

Вопрос 114

Обратный ток p-n- перехода при увеличении степени легирования его областей

уменьшиться

увеличиться

не изменится

Вопрос 115

Область пространственного заряда

это область, обедненная подвижными носителями заряда

это область с повышенной концентрацией подвижных носителей заряда

это область, где заряд положительных ионов компенсирован зарядом подвижных электронов

№вопрос116

В реальном p-n-переходе прямой ток больше или меньше чем в идеализированном и по какой причине?

больше, из-за влияния последовательного сопротивления базы

меньше, из-за тока термегенерации, который направлен против прямого тока.

больше, из-за тока рекомбинации электронов и дырок в обедненной области

меньше, из-за эффектов инжекции, экстракции неосновных носителей и их диффузии в нейтральных областях