Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Test ответыФОЭ 2015.doc
Скачиваний:
49
Добавлен:
15.02.2016
Размер:
1 Мб
Скачать

автор= Курбанов М.К.

№дисциплина= Физические основы электроникики

№модуль= Физические основы работы полупроводниковых приборов

Вопрос 1

Собственным называется

полупроводник, не содержащий акцепторных и донорных примесей

полупроводник, имеющий монокристаллическую структуру

полупроводник, имеющий поликристаллическую структуру

полупроводник с равной долей примесей акцепторов и доноров

вопрос2

Удельное сопротивление полупроводников лежит в пределах

10-4-1010 Ом·м

10-4-10-6 Ом·м

1010-1020 Ом·м

более 1020 Ом·м

вопрос 3

Уровень Ферми располагается в собственном полупроводнике

вблизи середины запрещенной зоны

вблизи зоны проводимости

в валентной зоне

на дне зоны проводимости

вопрос 4

Примесным называется полупроводник

содержащий в небольшом концентрации атомы других веществ с валентностью, отличной от валентности основного вещества

содержащий кроме собственных атомов атомов легирующей примеси

В котором содержание атомов легирующей примеси больше . чем собственных атомов

вопрос 5

Основными подвижными носителями заряда в полупроводнике р-типа являются

дырки

положительные ионы

отрицательные ионы

электроны

вопрос 6

Основными подвижными носителями заряда в полупроводнике  n-типа являются

электроны

дырки

положительные ионы

отрицательные ионы

вопрос 7

Причиной диффузионного движения носителей заряда в полупроводниках является

градиент их концентраций

разность их концентраций

электрическое поле

тепловое хаотическое движение

градиент температуры

вопрос8

Причиной дрейфового движения носителей  заряда в полупроводниках является

электрическое поле

градиент их концентраций

тепловое хаотическое движение

градиент температуры

вопрос 9

Полупроводниковым диодом называют

электропреобразовательный прибор с одним p-n переходом, имеющий два вывода

электропреобразовательный прибор с одним p-n переходом, имеющий три вывода

полупроводниковый прибор с линейной вольтамперной характеристикой и двумя выводами

вопрос 10

Основными подвижными носителями заряда в полупроводнике  р-типа являются

дырки

электроны

положительные ионы

отрицательные ионы

вопрос 11

основными подвижными носителями заряда в полупроводнике  n-типа являются

электроны

положительные ионы

отрицательные ионы

Дырки

правильного ответа нет

вопрос 12

Вольтамперная характеристика идеального диода описывается следующим выражением

- верно

вопрос 13

Анодом полупроводникового диода называется вывод

изготовленный к области p-типа

к которому подключают положительный полюс источника тока при включении диода в прямом направлении

изготовленный к области n-типа

к которому подключают отрицательный полюс источника тока при включении диода в прямом направлении

к которому подключают положительный полюс источника тока при включении диода в обратном направлении

Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]