- •Вопрос 1
- •Вопрос 14
- •Вопрос 75
- •Вопрос 67
- •Вопрос 68
- •Вопрос 69
- •Вопрос 71
- •Вопрос 72
- •Вопрос 73
- •Вопрос 74
- •Вопрос 81
- •Вопрос 82
- •Вопрос 83
- •Вопрос 92
- •Вопрос 93
- •Вопрос 94
- •Вопрос 96
- •Вопрос 97
- •Вопрос 105
- •Вопрос 106
- •Вопрос 107
- •5 Режимов работы (прямого запирания, включения, прямой проводимости, обратного запирания, обратного пробоя).
- •Вопрос 111
- •Вопрос 112
- •Вопрос 114
- •Вопрос 115
- •Вопрос 117
- •Вопрос 118
- •Вопрос 119
- •Вопрос 121
- •Вопрос 122
- •Вопрос 124
- •Вопрос 125
- •Вопрос 132
- •Вопрос133
- •Вопрос 151
- •Вопрос 152
- •Вопрос 164
- •Вопрос 165
- •Вопрос 166
- •Вопрос 167
- •Вопрос 169
- •Вопрос 170
- •Вопрос171
- •Вопрос 210
автор= Курбанов М.К.
№дисциплина= Физические основы электроникики
№модуль= Физические основы работы полупроводниковых приборов
Вопрос 1
Собственным называется
полупроводник, не содержащий акцепторных и донорных примесей
полупроводник, имеющий монокристаллическую структуру
полупроводник, имеющий поликристаллическую структуру
полупроводник с равной долей примесей акцепторов и доноров
вопрос2
Удельное сопротивление полупроводников лежит в пределах
10-4-1010 Ом·м
10-4-10-6 Ом·м
1010-1020 Ом·м
более 1020 Ом·м
вопрос 3
Уровень Ферми располагается в собственном полупроводнике
вблизи середины запрещенной зоны
вблизи зоны проводимости
в валентной зоне
на дне зоны проводимости
вопрос 4
Примесным называется полупроводник
содержащий в небольшом концентрации атомы других веществ с валентностью, отличной от валентности основного вещества
содержащий кроме собственных атомов атомов легирующей примеси
В котором содержание атомов легирующей примеси больше . чем собственных атомов
вопрос 5
Основными подвижными носителями заряда в полупроводнике р-типа являются
дырки
положительные ионы
отрицательные ионы
электроны
вопрос 6
Основными подвижными носителями заряда в полупроводнике n-типа являются
электроны
дырки
положительные ионы
отрицательные ионы
вопрос 7
Причиной диффузионного движения носителей заряда в полупроводниках является
градиент их концентраций
разность их концентраций
электрическое поле
тепловое хаотическое движение
градиент температуры
вопрос8
Причиной дрейфового движения носителей заряда в полупроводниках является
электрическое поле
градиент их концентраций
тепловое хаотическое движение
градиент температуры
вопрос 9
Полупроводниковым диодом называют
электропреобразовательный прибор с одним p-n переходом, имеющий два вывода
электропреобразовательный прибор с одним p-n переходом, имеющий три вывода
полупроводниковый прибор с линейной вольтамперной характеристикой и двумя выводами
вопрос 10
Основными подвижными носителями заряда в полупроводнике р-типа являются
дырки
электроны
положительные ионы
отрицательные ионы
вопрос 11
основными подвижными носителями заряда в полупроводнике n-типа являются
электроны
положительные ионы
отрицательные ионы
Дырки
правильного ответа нет
вопрос 12
Вольтамперная характеристика идеального диода описывается следующим выражением
-
верно
вопрос 13
Анодом полупроводникового диода называется вывод
изготовленный к области p-типа
к которому подключают положительный полюс источника тока при включении диода в прямом направлении
изготовленный к области n-типа
к которому подключают отрицательный полюс источника тока при включении диода в прямом направлении
к которому подключают положительный полюс источника тока при включении диода в обратном направлении
