Вопрос 132

На начальном участке ВАХ ток смещенного в прямом направлении p-n- перехода завиcит от напряжения

по экспоненциальному закону

по линейному закону

по квадратичному закону

Вопрос133

На основе Si изготовили два диода с симметричным p-n- переходом. Степень легирования областей диода 1 составляет 10¹⁶ см^-3, у второго диода 10¹⁵ см^-3. У какого из диодов напряжение пробоя выше?

второго диода

диода 1

обоих диодов одинаково

№вопрос134

При прямых токах, превышающих предельно допустимое значение, диод, как правило, выходит из строя. Какова наиболее частая причина отказа?

тепловой пробой или выгорание p-n-перехода

электрический пробой

туннельный пробой

№вопрос135

Гетеропереход принципиально отличается от гомоперехода

наличием различных барьеров для электронов и дырок, что позволяет получить одностороннюю инжекцию

наличием областей с различной шириной запрещенной зоны

возможностью образования как анизотипных, так и изотипных переходов

видом ВАХ, сильно зависящим от концентрации дефектов вблизи металлургической границы

№вопрос136

Из какого материала изготовлен диод 2С139Д-1?

Кремния

арсенида галлия

карбида кремния

Германия

№вопрос137

Можно ли с помощью вольтметра непосредственно измерить величину потенциального барьера в p-n- переходе (подключив вольтметр к контактам к p и n областям) ?

Нет

Да

Так можно измерить контактная разность потенциалов в p-n- переходе

один правильный

№вопрос138

Можно ли с помощью вольтметра непосредственно измерить величину контактной разности потенциалов в p-n- переходе (подключив вольтметр к контактам к p и n областям) ?

Нет

Да

Так можно измерить величину потенциального барьера в p-n- переходе

№вопрос139

По принципу действия транзисторы делятся на

биполярные

полевые

диффузионные

дрейфовые

вопрос 140

Транзисторы, в которых проводящий канал возникает при подаче на затвор относительно истока напряжения, превышающего порогового

называют:

транзисторы с индуцированным каналом

транзисторы с встроенным каналом

транзисторы с изолированным затвором

транзисторы с управляющим p-n- переходом

вопрос 141

Зависимость фото-ЭДС солнечного преобразователя от ширины запрещенной зоны материала Е_g следующая

чем больше Е_g ,тем больше значение фото-ЭДС

фото-ЭДС не зависит от Е_g

чем больше Е_g ,тем меньше фото –ЭДС

вопрос 142

В качестве основных полупроводниковых материалов для изготовления светодиодов применяют:

GaAs_1-xP_x, GaN, GaP, GaAs

GaP, GaAs, GaN

GaN, GaAs, In

AlN, GaP, Ge

Вопрос 143

Если возрастет среднее время пробега электронов, то их подвижность

увеличится

уменьшится

не изменится

вопрос 144

Самая высокая подвижность электронов из перечисленных ниже нелегированных полупроводников у

GaAs

Ge

Si

GeSi

вопрос 145

При введении в кристалл Si с собственной проводимостью примеси Al (глубина уровня относительно ближайшей разрешенной зоны 0,068 эВ),кристалл Si при комнатной температуре приобретет

проводимость p-типа

проводимость n-типа

проводимость не изменится

вопрос 146

Образец нелегированного Ge осветили светом с длиной волны 2,5 мкм (энергия квантов примерно 0,5 эВ), как изменится проводимость образца?

проводимость не изменится

проводимость увеличится

проводимость уменьшится

вопрос 147

При введении в кристалл Ge с собственной проводимостью примеси B (глубина уровня относительно ближайшей разрешенной зоны 0,011эВ), кристалл Ge при комнатной температуре приобретет

проводимость p-типа

проводимость n-типа

тип проводимости не изменится

вопрос 148

Из полупроводников Ge, Si, GaAs больше других в производстве полупроводниковых приборов используется

Si

Ge

GaAs

№вопрос149

Из полупроводников Ge, Si, GaAs наименьшую ширину запрещенной зоны имеет

№да

Ge

№нет

Si

№нет

GaAs

№вопрос150

Самая большая ширина запрещенной зоны из соединений третьей и пятой группы GaN, AlP, GaP имеет

GaN

AlP

GaP