Вопрос 140

Транзисторы, в которых проводящий канал возникает при подаче на затвор относительно истока напряжения, превышающего порогового

называют:

транзисторы с индуцированным каналом

транзисторы с встроенным каналом

транзисторы с изолированным затвором

транзисторы с управляющим p-n- переходом

вопрос 141

Зависимость фото-ЭДС солнечного преобразователя от ширины запрещенной зоны материала Е_g следующая

чем больше Е_g ,тем больше значение фото-ЭДС

фото-ЭДС не зависит от Е_g

чем больше Е_g ,тем меньше фото –ЭДС

вопрос 142

В качестве основных полупроводниковых материалов для изготовления светодиодов применяют:

GaAs_1-xP_x, GaN, GaP, GaAs

GaP, GaAs, GaN

GaN, GaAs, In

AlN, GaP, Ge

Вопрос 143

Если возрастет среднее время пробега электронов, то их подвижность

увеличится

уменьшится

не изменится

вопрос 144

Самая высокая подвижность электронов из перечисленных ниже нелегированных полупроводников у

GaAs

Ge

Si

GeSi

вопрос 145

При введении в кристалл Si с собственной проводимостью примеси Al (глубина уровня относительно ближайшей разрешенной зоны 0,068 эВ),кристалл Si при комнатной температуре приобретет

проводимость p-типа

проводимость n-типа

проводимость не изменится

вопрос 146

Образец нелегированного Ge осветили светом с длиной волны 2,5 мкм (энергия квантов примерно 0,5 эВ), как изменится проводимость образца?

проводимость не изменится

проводимость увеличится

проводимость уменьшится

вопрос 147

При введении в кристалл Ge с собственной проводимостью примеси B (глубина уровня относительно ближайшей разрешенной зоны 0,011эВ), кристалл Ge при комнатной температуре приобретет

проводимость p-типа

проводимость n-типа

тип проводимости не изменится

вопрос 148

Из полупроводников Ge, Si, GaAs больше других в производстве полупроводниковых приборов используется

Si

Ge

GaAs

№вопрос149

Из полупроводников Ge, Si, GaAs наименьшую ширину запрещенной зоны имеет

№да

Ge

№нет

Si

№нет

GaAs

№вопрос150

Самая большая ширина запрещенной зоны из соединений третьей и пятой группы GaN, AlP, GaP имеет

GaN

AlP

GaP

вопрос 151

Область пространственного заряда

это область, обедненная подвижными носителями заряда

эта область обогащенная носитеми заряда

эта область, где заряд подвижных носителей компенсирован зарядом ионов примесных атомов

вопрос 152

Измерения показали, что у диода №1 пробой носит лавинный характер, у диода №2 пробой носит туннельный характер. В каком из диодов пробивное напряжение выше?

в диоде №1

в диоде №2

пробивное напряжение не зависит от характера пробоя

№вопрос153

Величина электрического поля в р-п переходе от времени жизни носителей… заряда?

не зависит

да зависит

слабо зависит

вопрос 154

Электрическое поле в р-п переходе в области пространственного заряда направлено

от п области к р области

от р области к п области

параллельно границ р-п перехода

вопрос 155

Диод 3А530 изготовлен из

GaAs

GaN

AlP

GaP

Вопрос 156

Более резким будет переход, полученный

Сплавлением

Диффузией

не зависит от технологии получения

№вопрос157

Обратный ток р-п перехода при увеличении степени легирования его областей

уменьшится

увеличится

не изменится

вопрос 158

Высота потенциального барьера р-п перехода при освещении

уменьшается

не изменится

увеличится

вопрос 159

Диод 2Д220 изготовлен из

Si

Ge

GaAs

SiC

вопрос 160

При увеличении температуры контактная разность потенциалов

уменьшится

не изменится

увеличится

вопрос 161

При увеличении степени легирования р и п областей диода его обратный ток

уменьшится

не изменится

увеличится

№вопрос162

После радиационного облучения диода время жизни неосновных носителей заряда в р и п областях упало. Как изменилась контактная разность потенциалов?

не изменилась

увеличилась

уменьшилась

№вопрос163

При изготовлении выпрямителя было использовано параллельное соединение двух разнотипных диодов из Si. Диод 1 был более высоковольтным, чем диод 2. Как вы считаете, какой из них будет сильнее нагреваться, если прямые токи близки к предельно допустимым?

диод 2

диод 1

оба нагреются одинаково