Вопрос 167

При освещении кремниевого р-п перехода между контактами к р и п областям появляется разность потенциалов

в результате разделения фотогенерированных носителей электрическим полем р-п перехода

в результате нагрева падающим светом возникает термогенерация носителей в р и п областях

появление разности потенциалов между контактами к р и п областям связано с уменьшением сопротивления р и п областей при освещении

№вопрос168

Минимальное усиление транзистора по току в усилительном каскаде

с общей базой (ОБ)

с общим эмиттером (ОЭ)

с общим коллектором (ОК)

Вопрос 169

Предельная частота усиления биполярного транзистора при возрастании подвижности инжектированных носителей возрастет

в два раза

в четыре раза

не изменится

Вопрос 170

Если у транзистора увеличивать толщину базы, то его тепловой ток I_ко (неуправляемый ток коллекторного перехода) будет

возрастать

уменьшится

не изменится

Вопрос171

Максимальное усиление транзистора по мощности в усилительном каскаде

с общим эмиттером (ОЭ)

с общей базой (ОБ)

с общим коллектором (ОК)

№вопрос1

Для полевого транзистора с управляющим р-n переходом и р-каналом, включенном по схеме с общим истоком, полярность напряжения на затворе (Uзи) и на стоке (Uси) относительно земли должна быть следующая

Uзи > 0, Uси < 0

Uзи < 0, Uси < 0

Uзи < 0, Uси > 0

вопрос 172

Ток стока полевого транзистора с управляющим р-n переходом при увеличении напряжения на затворе

уменьшается

увеличивается

не изменится

вопрос 173

Величина крутизны (S) для полевого транзистора с управляющим р-п переходом (ПТУП) от напряжения отсечки

зависит, чем больше напряжение отсечки U_o, тем меньше крутизна

зависит, чем больше напряжение отсечки U_o, тем больше крутизна

не зависит

вопрос 174

Крутизна МДП транзистора от напряжения на затворе при Uз >Uп (Uп - пороговое напряжение)

зависит линейно

зависит обратно пропорционально

зависит квадратично

вопрос 175

Для МДП транзистора с индуцированным р-каналом, включенным по схеме с общим истоком, полярность напряжения на затворе (Uзи) и на стоке (Uси) относительно земли должна быть следующая

Uзи < 0, Uси < 0

Uзи < 0, Uси > 0

Uзи > 0, Uси < 0

вопрос 176

Полупроводники классифицируют как вещества, имеющие при комнатной температуре удельную электропроводность σ

от 10^-8 до 10⁶ Ом^-1см^-1

от 10² до 10⁸ Ом^-1см^-1

от 10^-4 до 10² Ом^-1см^-1

вопрос 177

Твердое тело принадлежит к полупроводникам, если ширина запрещенной зоны лежит в диапазоне

-(0,1÷3,0) эВ

-(0,1÷2,0) эВ

(1÷5) эВ

вопрос 178

Верхняя, не полностью заполненная зона в полупроводниках называется

зоной проводимости

валентной зоной

запрещенной зоной

примесной зоной

вопрос 179

Собственные полупроводники – это полупроводники

в которых нет примесей (доноров и акцепторов)

в которых только одного типа примеси

в которых концентрации доноров и акцепторов равны

№вопрос180

Если в полупроводник, состоящий из элементов четвертой группы, ввести в качестве примеси элементы из пятой группы, то получится

донорный полупроводник

акцепторный полупроводник

компенсированный полупроводник

нет правильного ответа

вопрос 181

Если в полупроводник, состоящий из элементов четвертой группы, ввести в качестве примеси элементы третьей группы, то получится

акцепторный полупроводник

донорный полупроводник

собственный полупроводник

нет правильного ответа

вопрос 182

Для невырожденного полупроводника концентрация электронов в зоне проводимости равна

№вопрос183

Для невырожденного полупроводника концентрация доноров в валентной зоне равна

вопрос 184

Для невырожденного полупроводника произведение концентрации электронов и дырок равна

Вопрос 185

Для случая энергия Ферми в собственном полупроводнике

№вопрос186

Величина электронной компоненты, в полной проводимости определяется выражением

Вопрос 187

Величина дырочной компоненты в полной проводимости определяется выражением

Вопрос 188

Дрейфовая компонента электронного тока в полупроводниках дается выражением

№да

вопрос 189

Диффузионная компонента электронного тока в полупроводниках дается выражением

вопрос 190

Уравнение непрерывности имеет вид

верно

вопрос 191

Соотношение, связывающее коэффициент диффузии , диффузионную длину и время жизни неравновесных носителей заряда имеет вид

вопрос 192

Металлургическим р-п переходом называется

граница областей донорной и акцепторной примеси

плоскость р-п перехода, в которой концентрация донорных примесей равна концентрации акцепторных

граница обедненной и электронейтральной области в р-п переходе

граница металлического контакта и полупроводника

вопрос 193

Физическим р-п переходом называется

граница, где уровень Ферми пересекает середину запрещенной зоны

плоскость р-п перехода, в которой концентрации электронов и дырок равны

граница, разделяющая области р и п-типа

вопрос 194

Ширину равновесного р-п перехода находят из выражения

верно

вопрос 195

Барьерная емкость - это

емкость р-п перехода при обратном смещении U<0, обусловленная изменением заряда ионизированных атомов в области пространственного заряда

емкость р-п перехода при прямом смещении, обусловленная захватом электронов ионизированными атомами

паразитная емкость р-п перехода, обусловленная наличием неоднородности распределения зарядов в обедненной области

емкость, связанная с диффузией основных носителей через р-п переход

вопрос 196

Зависимость барьерной емкости от приложенного обратного напряжения называется

вольт-фарадная характеристика

вольт-амперная характеристика

характеристика напряжение-емкость

барьерная характеристика

вопрос 197

Полупроводниковый прибор, реализующий зависимость барьерной емкости от приложенного обратного напряжения называют

варикапом

варистором

варактором

динистором

вопрос 198

При увеличении обратного смещения емкость варикапа

уменьшается

увеличивается

не меняется

нет правильного ответа

вопрос 199

Гетеропереходом называют

контакт между различными двумя полупроводниками

контакт между полупроводниками с разными типами проводимости

контакт между полупроводниками с различными концентрациями примеси

вопрос 200

Одним из главных свойств диодов на основе р-п перехода

несимметричность ВАХ

линейная ВАХ

наличие обедненной области

нет правильного ответа

вопрос 201

На прямом участке ВАХ диода дифференциальное сопротивление

невелико и составляет несколько Ом

велико и составляет десятки кОм

равно значению сопротивления по постоянному току

вопрос 202

На обратном участке ВАХ дифференциальное сопротивление диода

велико, стремится к бесконечности

невелико, составляет несколько Ом

соответствует сопротивлению по постоянному току

нет правильного ответа

вопрос 203

Коэффициент выпрямления – это

отношение прямого тока к обратному току при одном и том же приложенном напряжении

отношение обратного тока к прямому току при постоянном напряжении

коэффициент, характеризующий проводимость диода

нет правильного ответа

вопрос 204

На прямом участке ВАХ диода сопротивление по постоянному току

больше, чем дифференциальное сопротивление

меньше, чем дифференциальное сопротивление

равно дифференциальному сопротивлению

вопрос 205

На обратном участке ВАХ диода сопротивление по постоянному току

меньше дифференциального сопротивления

больше дифференциального сопротивления

равно дифференциальному сопротивлению

вопрос 206

Для Si диодов в обратном направлении преобладает

тепловой ток

генерационный ток

инжекционный ток

рекомбинационный ток

вопрос 207

У реальных диодов омический участок на ВАХ связан

с сопротивлением базы диода

с сопротивлением эмиттерной области диода

с сопротивлением переходной области диода

нет правильного ответа

вопрос 208

Стабилитроном называется полупроводниковый диод, ВАХ которого имеет

область резкой зависимости тока от напряжения на обратном участке ВАХ

область слабой зависимости тока от напряжения на обратном участке ВАХ

область сильной зависисмости тока от напряжения на прямом участке ВАХ

вопрос 209

Туннельным диодом называют

полупроводниковый прибор с сильнолегированными областями, на прямом участке ВАХ которой наблюдается N-образная зависимость тока от напряжения

полупроводниковый прибор с сильнолегированными областями, на обратном участке ВАХ которой наблюдается N-образная зависимость тока от напряжения

диод, основанный на явлении туннельного пробоя

нет правильного ответа