Вопрос 126

После радиационного облучения диода время жизни неосновных носителей заряда в p и n областях упало. Как изменилась контактная разность потенциалов?

не изменилась

увеличилась

Уменьшилась

Вопрос 127

Как изменится обратный ток p-n -перехода в SiC при уменьшении степени легирования его областей, если все остальные параметры остались неизменными?

не изменится

увеличится

Уменьшится

Вопрос 128

У диода, включенного в прямом направлении определенный участок ВАХ можно апроксимировать прямой линией. При нагреве диода эта прямая линия будет смещаться к началу координат. Чем объясняется это смещение?

уменьшением контактной разности потенциалов

увеличением обратного тока диода

изменением сопротивления толщи областей материала диода

Вопрос 129

Существующие полевые транзисторы различаются

физической структурой и способом управления проводимостью канала

типом проводимости полупроводникового материала

способом изоляции затвора и канала

№вопрос130

Полупроводниковые фотоприемники с p-n переходом могут работать

в двух режимах: фотогенерации и фотопреобразования

-) в одном режиме -фотоактивном

в темновом и освещенном режимах

в трех режимах: фотоактивном, фотогенерации и фотопреобразования

№вопрос131

Основными характеристиками светодиодов являются

вольтамперная характеристика, частотно-яркостная характеристика

энергетическая, спектральная, излучательная

зависимость плотности тока от напряжения, зависимость обратного тока от обратного смещения

яркостная, спектральная, вольт-амперная

Вопрос 132

На начальном участке ВАХ ток смещенного в прямом направлении p-n- перехода завиcит от напряжения

по экспоненциальному закону

по линейному закону

по квадратичному закону

Вопрос133

На основе Si изготовили два диода с симметричным p-n- переходом. Степень легирования областей диода 1 составляет 10¹⁶ см^-3, у второго диода 10¹⁵ см^-3. У какого из диодов напряжение пробоя выше?

второго диода

диода 1

обоих диодов одинаково

№вопрос134

При прямых токах, превышающих предельно допустимое значение, диод, как правило, выходит из строя. Какова наиболее частая причина отказа?

тепловой пробой или выгорание p-n-перехода

электрический пробой

туннельный пробой

№вопрос135

Гетеропереход принципиально отличается от гомоперехода

наличием различных барьеров для электронов и дырок, что позволяет получить одностороннюю инжекцию

наличием областей с различной шириной запрещенной зоны

возможностью образования как анизотипных, так и изотипных переходов

видом ВАХ, сильно зависящим от концентрации дефектов вблизи металлургической границы

№вопрос136

Из какого материала изготовлен диод 2С139Д-1?

Кремния

арсенида галлия

карбида кремния

Германия

№вопрос137

Можно ли с помощью вольтметра непосредственно измерить величину потенциального барьера в p-n- переходе (подключив вольтметр к контактам к p и n областям) ?

Нет

Да

Так можно измерить контактная разность потенциалов в p-n- переходе

один правильный

№вопрос138

Можно ли с помощью вольтметра непосредственно измерить величину контактной разности потенциалов в p-n- переходе (подключив вольтметр к контактам к p и n областям) ?

Нет

Да

Так можно измерить величину потенциального барьера в p-n- переходе

№вопрос139

По принципу действия транзисторы делятся на

биполярные

полевые

диффузионные

дрейфовые