Вопрос 210
Граничная частота туннельного диода
выше, чем выпрямительного диода
ниже, чем выпрямительного диода
такая же как и в диодах на основе лавинного пробоя
№вопрос211
Обращенный диод – это
туннельный диод без участка с отрицательным дифференциальным сопротивлением
диод с участком ВАХ, на котором наблюдается отрицательное дифференциальное сопротивление
полупроводниковый прибор, предназначенный для детектирования переменных сигналов с напряжением более 1 вольт
вопрос 212
Биполярный транзистор состоит из
трех областей монокристаллического полупроводника с разными типами проводимости: эмиттера, базы и коллектора
из трех полупроводников с разным типом проводимости
из трех областей: истока стока и затвора
нет правильного ответа
вопрос 213
В каком из режимов управление биполярным транзистором наиболее эффективно?
активном
отсечки
насыщения
инверсии
вопрос 214
Дрейфовым называют биполярный транзистор
с неравномерным распределением примесей в базе, которые создают в ней электрическое поле
с однородным распределением примесей в базе
в котором основным механизмом переноса носителей является дрейф
в котором ток через коллекторный переход является дрейфовым
вопрос 215
Диффузионным называют биполярный транзистор
если электрическое поле в базе отсутствует
если ток через эмиттерный и коллекторный переход имеет диффузионную природу
если ток через коллекторный переход является диффузионным
вопрос 216
В рабочем режиме биполярного транзистора протекают следующие физические процессы:
инжекция, диффузия, рекомбинация, экстракция
инжекция и экстракция
диффузия и дрейф
генерация, рекомбинация, диффузия и дрейф
вопрос 217
В схеме с общим эмиттером ток эмиттера
№да
IЭ=IБ+IК
IЭ=IБ-IК
IЭ= IК-IБ
вопрос 218
Ток коллектора и эмиттера биполярного транзистора в схеме с общей базой связаны выражением
вопрос 219
Коэффициент усиления по току биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером β равен
вопрос 220
МДП транзистор – это
полевой транзистор, в котором управляющий электрод –затвор отделен от канала диэлектрической прослойкой
транзистор с барьером Шоттки в качестве затвора
биполярный транзистор со структурой металл-диэлектрик-полупровдник
вопрос 221
Коэффициент эмиттерного тока α характеризует
изменение коллекторного тока IК при вызвавшем его изменении эмиттерного тока IЭ
изменение эмиттерного тока IЭ при вызвавшем его изменении коллекторного тока IК
изменение тока базы IБ при изменении тока эмиттера IЭ
вопрос 222
«Эффектом Эрли» называют
изменение коэффициента передачи α биполярного транзистора вследствие модуляции ширины базы при изменении коллекторного напряжения UК
изменение коэффициента усиления биполярного транзистора вследствие модуляции ширины базы при изменении коллекторного напряжения UК
изменение ширины эмиттерного перехода при изменении коллекторного напряжения UК
изменение ширины коллекторного перехода при изменении коллекторного напряжения UК
№вопрос223
Поскольку величина коэффициент передачи α в биполярном транзисторе близка к единице (α<1), то из этого следует, что коэффициент усиления β будет
существенно больше единицы (β>>1)
существенно меньше единицы (β<<1)
β не зависит от α
нет правильного ответа
вопрос 224
Напряжение на затворе UЗ МДП-транзистора, при котором происходит формирование инверсионного канала называется
пороговым напряжением
критическим напряжением
инверсионным напряжением
затворным напряжением
вопрос 225
Тиристор – это полупроводниковый прибор
с тремя и более р-п переходами
с тремя и более р-п переходами, ВАХ которого имеет участок с отрицательным дифференциальным сопротивлением
с тремя и менее р-п переходами
предназначенный для выпрямления переменного тока
вопрос 226
Сколько выводов имеет динистор?
Два
вопрос 227
Сколько выводов имеет триодный тиристор?
Три
№вопрос228
Диод Ганна – это
полупроводниковый диод, состоящий из однородного полупроводника, генерирующий СВЧ-колебания при приложении постоянного электрического поля
полупроводниковый диод, предназначенный для детектирования СВЧ-колебаний
полупроводниковый прибор, предназначенный для выпрямления переменного тока
№вопрос229
Диоды Ганна изготавливают из
арсенида галлия
кремния
германия
непрямозонных полупроводников
вопрос 230
Светодиодом называют
полупроводниковый диод на базе р-п перехода, излучающий кванты света при протекании через него прямого тока
полупроводниковый диод на базе р-п перехода, излучающий кванты света при протекании обратного тока
полупроводниковые диоды с излучением света в видимой области спектра
вопрос 231
Физической основой излучения света в светодиоде является
рекомбинация неровновесных носителей
генерация неравновесных носителей
образование избыточных носителей
нет правильного ответа
вопрос 232
В светодиодах видимого диапазона используют
прямозонные полупроводники с шириной запрещенной зоны 1,8-2,8 эВ
непрямозонные полупроводники с шириной запрещенной зоны 1,5-2, эВ
кремний
сильнолегированные полупроводники
вопрос 233
Использование гетеропереходов в светодиодах позволяет
уменьшить пороговый ток
улучшить когерентность излучения
уменьшить размеры
упростить технологию
вопрос 234
Фоторезистор – это
полупроводниковый прибор, изменяющий свое сопротивление под действием падающего света
полупроводниковый резистор, электрическое сопротивление которого зависит от падающего света
оптический прибор, сопротивление которого растет при освещении