носителями одного знака. Измеренная на ширине ЭДС Холла составляет 6×3
N мВ. Найти: а) удельную электропроводность полупроводника; б) концентрацию носителей заряда; в) подвижность носителей заряда.
|
|
|
|
|
|
|
–4 |
3 |
|
|
|
|
|
|
4.2. Через |
полупроводник |
|
с |
удельным |
|
N Ом×м, |
который |
|||||||
|
сопротивлением5×10 × |
|
||||||||||||
характеризуется |
коэффициентом |
Холла3×10–4 |
м3/Кл пропускают |
|
электрический , ток |
|||||||||
|
|
|
|
|
3 |
|
|
|
|
2 |
|
|
||
обусловленный |
носителями |
одного |
знака |
N мА/мм |
в |
поперечном |
||||||||
плотностью10/ |
|
|
||||||||||||
магнитном поле с индукцией 2 Тл. Определить: а) напряженность холловского поля;
б) напряженность внешнего электрического поля, необходимого для создания заданной плотности тока; в) подвижность носителей заряда.
4.3. Прямоугольная |
пленка |
полупроводникаn-типа |
размерами 20 |
мм ´ |
10 мм |
с |
||
подвижностью электронов 0,1 |
м2/(В×с) расположена |
в плоскости, перпендикулярной |
||||||
магнитному полю |
Земли с |
индукцией44×3 |
|
мТл. Измеренная на |
ширине |
ЭДС |
Холла |
|
N |
||||||||
составляет 1/ 3
N мВ. Определить:
а) разность потенциалов, приложенную вдоль длины пленки; б) дрейфовую скорость электронов.
ТЕМА 5. Электрические свойства р-n-переходов
5.1. Имеется р-n-переход с концентрацией донорной примеси1023 акцепторной примеси 1022 м-3. Для заданных полупроводника определить:
а) контактную разность потенциалов;
б) напряжение, при котором плотность прямого тока будет в1000×N обратного тока насыщения.
м-3 |
и концентрацией |
и |
рабочей температуры |
раз больше плотности
5.2. Удельное сопротивлениер-области р-n-перехода 0,02 Ом×м, а удельное сопротивление n-области 0,01 Ом×м. Вычислить для заданных полупроводника и рабочей температуры:
а) высоту потенциального барьера р-n-перехода;
б) напряжение, при котором плотность прямого тока будет в2000×N раз больше плотности обратного тока насыщения.
5.3. Имеется р-n-переход при заданной в табл.3 температуре с концентрацией донорной примеси 1023 м-3 и концентрацией акцепторной примеси 1022 м-3. Определить:
а) плотность обратного тока насыщения; б) отношение дырочной составляющей этого тока к электронной;
в) напряжение, при котором плотность прямого тока будет 105 А/м2.
ТЕМА 6. Емкость р-n-перехода
6.1. При заданной в табл.3 температуре в несмещённом резком р-n-переходе сечением 1 мм2 с относительной диэлектрической проницаемостью 13 концентрация донорной примеси 1023 м- 3 , а концентрация акцепторной примеси 1022 м-3. Найти:
а) ширину несмещенного р-n-перехода;
26
б) барьерную ёмкость р-n-перехода;
в) напряжение, при котором барьерная ёмкость уменьшится в 2 раза.
6.2. В резком-n-переходе сечением 0,01 см2 и относительной диэлектрической проницаемостью 13 при заданной в табл.3 температуре Т концентрация донорной примеси равна 1023 м-3 , а концентрация акцепторной примеси равна 1022 м-3. При напряжениях 0 и –5 В найти:
а) ширину р-n-перехода;
б) барьерную ёмкость р-n-перехода.
6.3. При заданной температуре в резком-n-переходе сечением 1 мм2 и относительной диэлектрической проницаемостью 13 концентрация донорной примеси равна1023 м-3 и концентрация акцепторной примеси равна1022 м-3. Пробивное напряжение в 50 раз больше контактной разности потенциалов. При напряжении, равном нулю и пробивном напряжении найти:
а) ширину р-n-перехода;
б) барьерную ёмкость р-n-перехода.
СПИСОК РЕКОМЕНДОВАНОЇ ЛІТЕРАТУРИ
1.Смит Р. Физика полупроводников. –М. : “Мир”, 1982г.
2.Зи С. Физика полупроводниковых приборов. –М. : “Мир”, 1984г.
3.Викулин И.М., Стафеев В.И. Физика полупроводниковых приборов. –М : “Радио и связь”
, 1990г.
4.Фистуль В.И. Введение в физику полупроводников. –М. : “Высшая школа ”, 1975г.
5.Бонч-Бруевич В.Л. , Калашников С.Г. Физика полупроводников. –М. : “Наука”, 1977г.
6.Анисимова И.Д. , Викулин И.М. , Заитов Ф.А. , Курмашов Ш.Д. Полупроводниковые фотоприемники. –М. : “Радио и связь” , 1984г.
27