Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Скачиваний:
72
Добавлен:
05.06.2015
Размер:
1.93 Mб
Скачать

Для проведения параметрического анализа напряжение во входном источнике на схеме задаем переменной Vco, затем в окне редактирования переменных (см. рис. 6.3) нажимаем Copy From, и задаем значение Vco равным 1.6. Затем в меню Tools выбираем Parametric Analysis.

Появившееся окно приводим в соответствие с рис. 8.2.

рис. 8.2 Окно параметрического анализа.

рис. 8.3 Запуск параметрического анализа.

Запускаем анализ (в меню Analysis строка Start, см. рис. и графики с рис. 8.5.

8.3), появляется окно с рис. 8.4,

рис. 8.4 Ход параметрического анализа.

рис. 8.5 Результаты параметрического анализа.

рис. 8.6 Определение коэффициента передачи по передаточной характеристике ГУН.

Для определения коэффициента передачи ГУН по его передаточной характеристике воспользуемся маркерами (в окне с графиком 2 иконки слева - Crosshair Marker A(B), либо меню Markers либо кнопки a и b на клавиатуре). Выставив маркеры, как показано на рис. 8.6, в нижней части окна читаем величину slope, это и будет крутизна.

Для проведения параметрического анализа по разбросу напряжения питания в источнике Vdd с рис. 6.11 необходимо задать номинал напряжения через переменную, далее получить передаточные характеристики и определить коэффициенты передачи для требуемых Vdd.

рис. 8.7 Окно изменения температуры.

Далее изменяем рабочую температуру (в окне симуляции с рис. 7.6 в меню Setup строка Temperature – появляется окно с рис. 8.7, в поле Degrees вводим требуемое значение температуры, в поле Scale ставим Celsius) и снова снимаем передаточные характеристики и определяем коэффициенты передачи для каждого значения температуры.

рис. 8.8 Передаточная характеристика сместилась при изменении температуры.

рис. 8.9 Окно перехода к схеме.

рис. 8.10 Переход к окну изменения отображаемых параметров.

Для оценки напряжений на транзисторах в схеме их номиналы выводятся на экран. Для этого в тестовой схеме (см. рис. 5.5) щелкаем по символу ГУН, затем переходим к схемотехническому представлению ГУН (в меню Design выбираем Hierarchy и Descent Edit, либо нажимаем Shift+e на клавиатуре – появляется окно с рис. 8.9, причем в меню View Name должна стоять строка Schematic). На схеме выбираем один транзистор и в меню Edit выбираем строку Component Display (см. рис. 8.10). Появившееся окно приводим в соответствие с рис. 8.11.

Теперь на схеме видны величины напряжений на транзисторах (см. рис. 8.12).

Также для отчета по работе потребуются временные диаграммы напряжений ГУН – как входных, так и выходных. Примерный вид их представлен на рис. 8.13 и рис. 8.14.

рис. 8.11 Окно изменения отображаемых параметров.

рис. 8.12 Отображены величины напряжений на транзисторах.

рис. 8.13 Временные диаграммы входных и выходных напряжений ГУН.

рис. 8.14 Временные диаграммы напряжений ГУН для отчета.

Соседние файлы в папке tks=labs