- •2. Транзисторы со структурой металл-диэлектрик полупроводник (мдп, mos — разновидность fet)
- •3.2. Вах идеализированного мдп транзистора
- •Малосигнальные параметры вах.
- •3.3. Cобственные емкости мдп транзистора и поле в канале
- •3.4. Схемы включения мдп транзистора
- •Общий затвор (оз)Общий исток(ои)Общий сток (ос)
- •3.5. Предельная частота идеального мдп транзистора
- •3.6. Пороговое напряжение
- •Основные результаты
- •4. Вах реального мдп транзистора с длинным каналом
- •4.1. Влияние потенциала подложки на пороговое напряжение.
- •4.2. Влияние неоднородности опз под затвором на вах
- •4.3. Подпороговый ток
- •4.4. Зависимость вах от температуры
- •Основные результаты
- •5. Эффекты малых размеров (короткий или узкий канал)
- •5.1. Класификация эффектов малых размеров.
- •5.2. Пороговое напряжение.
- •5.3. Смыкание опз стока и истока.
- •5.4. Ограничение дрейфовой скорости носителей в канале.
- •Реально скорость носителей всегда конечна. В кремнии
- •5.5. Модуляция длины канала
- •5.6. Вах короткоканального транзистора
- •Основные результаты
- •6. Модели мдп транзисторов
- •6.1. Классификация моделей
- •6.2. Эквивалентная схема для большого сигнала (нелинейная)
- •6.3. Эквивалентные схемы для малого сигнала (линейные)
- •7. Структуры мдпт
5.5. Модуляция длины канала
В пологой области ВАХ увеличивается длина участка канала, где , и. На участке длиной, гдетранзистор можно рассматривать каквиртуальный транзистор с длиной канала .Виртуальный транзистор работает на границе крутой области (для него ), причемуменьшается с ростом настоящего напряжения(эффектмодуляции длины канала напряжением ).
Для виртуального транзистора , где.При повышении :уменьшается,возрастает, иток стока возрастает.
Идеализированнвй (длинноканальный) транзистор: в пологой области , и.
Короткоканальный транзистор: в пологой области
, и значение конечо (уменьшается с уменьшением ).
Значение находится решением уравнения Пуассона на поверхности канала на участке, где :
, где .
5.6. Вах короткоканального транзистора
1 — ВАХ идет круче из-за снижения VT.
2 — VDS S уменьшается из-за насыщения скорости носителей.
3 — Ток растет из-за модуляции длины канала.
4 — Смыкание канала.
5 — Снижение VT из-за повышения VDS.
Основные результаты
1. Эффекты малых размеров в МДПТ связаны с краевыми эффекты в ОПЗ, разогревом носителей в канале продольным полем и новыми механизммами тока (из-за близости стока к истоку).
2. Пороговое напряжение п-канальных транзисторов уменьшатся при уменьшении длины канала, увеличении ширины канала и увеличении напряжения сток-исток; р-канальных — наоборот.
3. Смыкание ОПЗ стока и истока приводит к эффекту, аналогичному пробою.
4. Ограничение дрейфовой скорости носителей в канале приводит к тому, что в пологой области ВАХ канал на границе со стоком не перекрывается полностью. Ограничение дрейфовой скорости носителей уменьшает ток стока в пологой области ВАХ и снижает напряжение сток-исток насыщения.
5. При увеличении напряжения сток-исток в пологой области ВАХ уменьшается эффективная длина канала. В результате выходная проводимость транзистора конечна.
6. Модели мдп транзисторов
6.1. Классификация моделей
Класс |
Основа модели |
Разновидности |
Прим. |
Физические |
Ур-я движения частиц (метод Монте-Карло) |
|
|
Ур-я переноса частиц (диф. ур-я в частных производных) |
|
| |
Ур-я ВАХ и ВФХ элементов прибора (алгебраич. ур-я). Ур-я Кирхгоффа (обыкновенные диф. ур-я) |
Для большого сигнала (нелинейные) |
Уравнения Кирхгоффа представлены эквивалентной схемой | |
Для малого сигнала (линейные) | |||
Формализованные |
Ур-я ВАХ и ВФХ элементов прибора (алгебраич. ур-я). Ур-я Кирхгоффа (обыкновенные диф. ур-я) |
Для большого сигнала (нелинейные) | |
Для малого сигнала (линейные) |
6.2. Эквивалентная схема для большого сигнала (нелинейная)
Эквивалентная схема МДПТ соответствует его структуре.
Внешние напряжения: .
Внутренние напряжения: .
Токи: ;
Емкости:
;;
—емкости перекрытия затвора с п+-областями длиной .
; — суммы барьерных и диффузионных емкостей
р-п переходов п+- подложка.
. При :.
Идеализированнная модель:
определены
в разделах 3.2, 3.3.
; .