- •2. Транзисторы со структурой металл-диэлектрик полупроводник (мдп, mos — разновидность fet)
- •3.2. Вах идеализированного мдп транзистора
- •Малосигнальные параметры вах.
- •3.3. Cобственные емкости мдп транзистора и поле в канале
- •3.4. Схемы включения мдп транзистора
- •Общий затвор (оз)Общий исток(ои)Общий сток (ос)
- •3.5. Предельная частота идеального мдп транзистора
- •3.6. Пороговое напряжение
- •Основные результаты
- •4. Вах реального мдп транзистора с длинным каналом
- •4.1. Влияние потенциала подложки на пороговое напряжение.
- •4.2. Влияние неоднородности опз под затвором на вах
- •4.3. Подпороговый ток
- •4.4. Зависимость вах от температуры
- •Основные результаты
- •5. Эффекты малых размеров (короткий или узкий канал)
- •5.1. Класификация эффектов малых размеров.
- •5.2. Пороговое напряжение.
- •5.3. Смыкание опз стока и истока.
- •5.4. Ограничение дрейфовой скорости носителей в канале.
- •Реально скорость носителей всегда конечна. В кремнии
- •5.5. Модуляция длины канала
- •5.6. Вах короткоканального транзистора
- •Основные результаты
- •6. Модели мдп транзисторов
- •6.1. Классификация моделей
- •6.2. Эквивалентная схема для большого сигнала (нелинейная)
- •6.3. Эквивалентные схемы для малого сигнала (линейные)
- •7. Структуры мдпт
5. Эффекты малых размеров (короткий или узкий канал)
5.1. Класификация эффектов малых размеров.
3 группы эффектов:
1). Краевые эффекты в ОПЗ.
2). Увеличение продольного поля и разогрев носителей в канале.
3). Новые механизмы тока (из-за близости стока к истоку).
5.2. Пороговое напряжение.
При малых значениях и—(эффект 1-й группы).
1). Влияние длины канала.
При малой длине каналауменьшается эффективный объем ОПЗ и эффективный заряд :
; Следует заменить .
;.; .
;
, где
; ,—толщина ОПЗ под истоком и стоком, — толщина -областей, — контактная разность потенциалов -область — -подложка.
а) (эффекткороткого канала).
б) уменьшается приуменьшении и приувеличении (т.е. при пропорциональном уменьшении).
в) Пороговое напряжение п-канальных транзисторов уменьшается, а р-канальных — увеличивается. В любом случае увеличивается ток стока.
г): При малой длине канала пороговое напряжение зависит от напряжения сток-исток —через зависимость .
2). Влияние ширины канала.
При малой ширине канала увеличиваетсяэффективный объем ОПЗ и эффективный заряд :
Fz Z lT Fz0 lT lT
;
.
а) (эффектузкого канала).
б) не зависит оти.
в) Пороговое напряжение п-канальных транзисторов увеличивается, а р-канальных — уменьшается. В любом случае уменьшается ток стока.
5.3. Смыкание опз стока и истока.
При малой длине канала близость ОПЗ стока и истока приводит к их смыканию при увеличении напряжения сток-исток до величины за счет расширения ОПЗ под стоком(эффект 3-й группы).
В режиме смыкания () сглаживается потенциальный барьер для электронов вп+-области истока.
К основному току канала добавляется ток инжектированных в подложку носителей.
Эффект смыкания похож на пробой —ток стока резко возрастает при .
Условие смыкания:
, (5.3.1)
, (5.3.2) (5.3.3).
Подставляя (5.3.2) и (5.3.3) в (5.3.1), получим напряжение смыкания:
.
Напряжение смыкания резко снижается при уменьшении длины канала до.Для повышения напряжения смыкания следует увеличивать концентрацию примеси в подложке NВ (уменьшаются ).
5.4. Ограничение дрейфовой скорости носителей в канале.
Эффект 2-й группы. Уменьшение увеличение продольного поля разогрев носителей в канале возбуждение оптических фононов снижение подвижности носителей (насыщение дрейфовой скорости).
Реально скорость носителей всегда конечна. В кремнии
см/с.
Из-за насыщения скорости канал не перекрывается полностью.
Следствия:
1). Насыщение тока наступает при меньшем напряжении VDS S .
2). В пологой области CDS 0.
3). В пологой области ВАХ ток стока ID возрастает с ростом VDS:
В разделе 3.3. мы получили:
При :. Отсюда:
, где .
В крутой области: . На границе ():
.
а) При (длинный канал):
, ;;.
Проходная ВАХ квадратична; крутизна ;
предельная частота .
б) При (короткий канал):
, ;;;,
где — время пролета носителей через канал.
Проходная ВАХ линейна; крутизна не зависит от и;
предельная частота соответствует времени пролета.