
- •2. Транзисторы со структурой металл-диэлектрик полупроводник (мдп, mos — разновидность fet)
- •3.2. Вах идеализированного мдп транзистора
- •Малосигнальные параметры вах.
- •3.3. Cобственные емкости мдп транзистора и поле в канале
- •3.4. Схемы включения мдп транзистора
- •Общий затвор (оз)Общий исток(ои)Общий сток (ос)
- •3.5. Предельная частота идеального мдп транзистора
- •3.6. Пороговое напряжение
- •Основные результаты
- •4. Вах реального мдп транзистора с длинным каналом
- •4.1. Влияние потенциала подложки на пороговое напряжение.
- •4.2. Влияние неоднородности опз под затвором на вах
- •4.3. Подпороговый ток
- •4.4. Зависимость вах от температуры
- •Основные результаты
- •5. Эффекты малых размеров (короткий или узкий канал)
- •5.1. Класификация эффектов малых размеров.
- •5.2. Пороговое напряжение.
- •5.3. Смыкание опз стока и истока.
- •5.4. Ограничение дрейфовой скорости носителей в канале.
- •Реально скорость носителей всегда конечна. В кремнии
- •5.5. Модуляция длины канала
- •5.6. Вах короткоканального транзистора
- •Основные результаты
- •6. Модели мдп транзисторов
- •6.1. Классификация моделей
- •6.2. Эквивалентная схема для большого сигнала (нелинейная)
- •6.3. Эквивалентные схемы для малого сигнала (линейные)
- •7. Структуры мдпт
5.5. Модуляция длины канала
В
пологой
области
ВАХ увеличивается длина участка канала,
где
,
и
.
На участке длиной, где
транзистор можно рассматривать каквиртуальный
транзистор
с длиной канала
.Виртуальный
транзистор
работает на границе крутой области (для
него
),
причем
уменьшается с ростом настоящего
напряжения
(эффектмодуляции
длины канала напряжением
).
Для
виртуального транзистора
,
где
.При
повышении
:
уменьшается,
возрастает, иток
стока возрастает.
Идеализированнвй
(длинноканальный) транзистор:
в пологой области
,
и
.
Короткоканальный транзистор: в пологой области
,
и значение
конечо (уменьшается с уменьшением
).
Значение
находится решением уравнения Пуассона
на поверхности канала на участке, где
:
,
где
.
5.6. Вах короткоканального транзистора
1 — ВАХ идет круче из-за снижения VT.
2 — VDS S уменьшается из-за насыщения скорости носителей.
3 — Ток растет из-за модуляции длины канала.
4 — Смыкание канала.
5 — Снижение VT из-за повышения VDS.
Основные результаты
1. Эффекты малых размеров в МДПТ связаны с краевыми эффекты в ОПЗ, разогревом носителей в канале продольным полем и новыми механизммами тока (из-за близости стока к истоку).
2. Пороговое напряжение п-канальных транзисторов уменьшатся при уменьшении длины канала, увеличении ширины канала и увеличении напряжения сток-исток; р-канальных — наоборот.
3. Смыкание ОПЗ стока и истока приводит к эффекту, аналогичному пробою.
4. Ограничение дрейфовой скорости носителей в канале приводит к тому, что в пологой области ВАХ канал на границе со стоком не перекрывается полностью. Ограничение дрейфовой скорости носителей уменьшает ток стока в пологой области ВАХ и снижает напряжение сток-исток насыщения.
5. При увеличении напряжения сток-исток в пологой области ВАХ уменьшается эффективная длина канала. В результате выходная проводимость транзистора конечна.
6. Модели мдп транзисторов
6.1. Классификация моделей
Класс |
Основа модели |
Разновидности |
Прим. |
Физические |
Ур-я движения частиц (метод Монте-Карло) |
|
|
Ур-я переноса частиц (диф. ур-я в частных производных) |
|
| |
Ур-я ВАХ и ВФХ элементов прибора (алгебраич. ур-я). Ур-я Кирхгоффа (обыкновенные диф. ур-я) |
Для большого сигнала (нелинейные) |
Уравнения Кирхгоффа представлены эквивалентной схемой | |
Для малого сигнала (линейные) | |||
Формализованные |
Ур-я ВАХ и ВФХ элементов прибора (алгебраич. ур-я). Ур-я Кирхгоффа (обыкновенные диф. ур-я) |
Для большого сигнала (нелинейные) | |
Для малого сигнала (линейные) |
6.2. Эквивалентная схема для большого сигнала (нелинейная)
Эквивалентная схема МДПТ соответствует его структуре.
Внешние
напряжения: .
Внутренние
напряжения: .
Токи: ;
Емкости:
;
;
—емкости
перекрытия затвора с п+-областями
длиной
.
;
— суммы барьерных и диффузионных
емкостей
р-п переходов п+- подложка.
.
При
:
.
Идеализированнная модель:
определены
в
разделах 3.2, 3.3.
;
.