1.6. Содержание отчета

Отчет по лабораторной работе должен содержать:

-наименование, цель и программу работы;

- принципиальную схему лабораторной установки;

- описание хода работы с включением по его тексту:

- таблицы с экспериментальными данными и графики экспериментально снятых ВАХ;

- результаты обработки экспериментальных данных, оформленных в виде отдельных вычислений;

- анализ полученных результатов, оформленный в виде выводов по работе.

1.7. Вопросы для самоконтроля

1. В чем заключается цель данной работы и какова программа исследований, которую нужно выполнить в ней?

2. Как снимают ВАХ исследуемых приборов?

3. Пояснить назначение переключателей S1,S2,S3,S4.

4. Как определяется динамическое сопротивление стабилитрона и коэффициент стабилизации параметрического стабилизатора?

5. Что называется p-n-переходом?

6. Какие процессы происходят в p-n-переходе, находящемся в состоянии термодинамического равновесия?

7. Какие носители заряда в полупроводниках называются основными и неосновными?

8. Что такое область объемных зарядов p-n-перехода, чем определяется ее ширина и почему она обладает значительным электрическим сопротивлением?

9. Какие процессы происходят в p-n-переходе при прямом смещении? Что называется инжекцией неосновных носителей?

10. Как зависят избыточные концентрации неосновных носителей заряда от величины приложенного напряжения и температуры?

11. Какие процессы происходят в p-n-переходе при обратном смещении? Что называется экстракцией неосновных носителей?

12. Пояснить механизмы возникновения прямого и обратного токов через p-n-переход.

13. Что называется вольт-амперной характеристикой p-n-перехода? Как она выглядит?

14. Как влияет температура полупроводника на ВАХ p-n-перехода?

15. Чем отличается стабилитрон от диода?

16. Объясните роль рабочего участка стабилитрона?

17. Что такое коэффициент стабилизации стабилитрона?

1.8. Рекомендованная литература

1. Соболев В.Д. Физические основы электронной техники. – М.: Высш. шк., 1979.

2. Жеребцов И.П. Основы электроники. – Л.: Энергоатомиздат, Высш. шк., 1990.

3. Забродин Ю.С. Промышленная электроника. – М.: Высш. шк., 1982.

4. Тугов Н.М. Полупроводниковые приборы. – М.: Энергоатомиздат, 1990.

5. Основы промышленной электроники: Учебник / В.Г. Герасимов и др. – М.: Высш. шк., 1986.

2. Исследование импульсных свойств p-n-перехода

2.1. Цель работы

Целью работы является исследование переходных процессов в р-n-переходе при скачкообразном изменении приложенного к нему внешнего напряжения, определение времени жизни неосновных носителей и контактной разности потенциалов.

2.2. Программа работы

2.2.1. Ознакомиться с теорией и методом исследования переходных процессов в р-n-переходе, схемой лабораторной установки, назначением переключателей и измерительных приборов.

2.2.2. Исследовать переходные процессы в р-n-переходе при его включении и выключении путём скачкообразной подачи и снятия прямого напряжения.

2.2.3. Исследовать переходные процессы в р-n-переходе при его выключении путём подачи скачком обратного напряжения.

2.2.4. Обработкой полученных временных диаграмм рассчитать время жизни неосновных носителей в базе диода.

2.2.5. Экспериментально определить контактную разность потенциалов р-nперехода.