- •Физические основы электронной техники
- •Содержание
- •1. Исследование характеристик полупроводникового выпрямительного диода и кремниевого стабилитрона
- •1.1. Цель работы
- •1.2. Программа работы
- •1.3. Краткие теоретические сведения
- •1.4. Описание лабораторного стенда
- •1.5. Указания к выполнению работы
- •1.6. Содержание отчета
- •1.7. Вопросы для самоконтроля
- •1.8. Рекомендованная литература
- •2. Исследование импульсных свойств p-n-перехода
- •2.1. Цель работы
- •2.2. Программа работы
- •2.3. Динамические процессы в р-n-переходе
- •2.4. Описание лабораторной установки
- •2.5. Указания к выполнению работы
- •2.6. Содержание отчета
- •2.7. Контрольные вопросы
- •2.8. Рекомендованная литература
- •3.4. Описание лабораторной установки
- •3.5. Указания к выполнению работы
- •3.6. Содержание отчета
- •3.7. Вопросы для самоконтроля
- •3.8. Рекомендованная литература
- •4. Исследование вольтамперных характеристик полупроводниковых оптопар
- •4.1. Цель работы
- •4.2. Программа работы
- •4.3. Краткие теоретические сведения
- •4.4. Описание лабораторной установки
- •4.5. Указания к выполнению работы
- •4.6. Содержание отчета
- •4.7. Вопросы для самоконтроля
- •4.8. Рекомендованная литература
- •5. Исследование статического и динамического режимов работы биполярного транзистора
- •5.1. Цель работы
- •5.2. Программа работы
- •5.3. Статический и динамический режимы работы биполярного транзистора
- •5.4. Описание лабораторной установки
- •5.5. Указания к выполнению работы
- •5.6. Содержание отчета
- •5.7. Вопросы для самоконтроля
- •5.8. Рекомендуемая литература
- •6. Исследование однокаскадного усилителя на биполярном транзисторе.
- •6.1. Цель работы
- •6.2. Программа работы
- •6.3. Усилительный каскад с общим эмиттером
- •6.4. Описание лабораторной установки
- •6.5. Указания к выполнению работы
- •6.6. Содержание отчета
- •6.7. Вопросы для самоконтроля
- •6.8. Рекомендуемая литература
- •7.4. Описание лабораторной установки
- •7.5. Указания к выполнению работы
- •7.6. Содержание отчёта
- •8.4. Указания к выполнению работы
- •8.5. Содержание отчета
- •8.6. Рекомендуемая литература
4.4. Описание лабораторной установки
Принципиальная электрическая схема лабораторной установки изображена на рис.4.17. Передняя панель лабораторного стенда на рис.4.18.
|
|
Цепь излучателя расположена в левой части схемы рис.4.17. Изменение прямого напряжения на излучающем диоде осуществляется потенциометром RР1. Измерение прямого напряжения и тока излучающего диода осуществляется вольтметром РV1 и амперметром РА1 соответственно.
Цепь фотоприемника расположена в правой части схемы рис.4.17. Изменение напряжения на фотоприемнике осуществляется потенциометром RР2. Измерение напряжения и тока фотоприемника осуществляется вольтметром РV2 и амперметром РА2 соответственно. В зависимости от подключенного фотоприемника вольтметр РV2 и амперметр РА2 могут быть встроенными или внешними (подключаемыми к гнездам ХS1, ХS2 и ХS3, ХS4 соответственно).
Подключение необходимого фотоэлемента осуществляется переключателями VD,VT,VSиS4. Для подключения диодного фотоприемника необходимо установить переключатель S4 в положение 3, включить тумблер VD и выключить тумблеры VТ и VS. В этом режиме измерение напряжения фотоприемника осуществляется внешним вольтметром (разъемXS1,XS2), а тока - внешним амперметром (разъемXS3,XS4). Для подключения транзисторного фотоприемника необходимо установить переключатель S4 в положение 1, включить тумблер VТ и выключить тумблеры VD и VS. В этом режиме измерение напряжения фотоприемника осуществляется внешним вольтметром, а тока – амперметромPA2. Для подключения тиристорного фотоприемника необходимо установить переключатель S4 в положение 2, включить тумблер VS и выключить тумблеры VТ и VD. В этом режиме измерение напряжения фотоприемника осуществляется вольтметромPV2, а тока – амперметромPA2.
4.5. Указания к выполнению работы
К пункту 4.2.1. Включить стенд тумблером «Сеть» (рис.4.18). Подключить диодный фотоприемник. Изменяя потенциометром RР1 входное напряжение, снять ВАХ излучающего диода. Результаты свести в таблицу. По результатам эксперимента построить ВАХ излучающего диода.
К пункту 4.2.2. Подключить внешние вольтметр и амперметр к гнездам ХS1, ХS2 и ХS3, ХS4 соответственно, а так же диодный фотоприемник. Выставить на вольтметре и амперметре необходимые пределы измерений и режимы работы (при использовании приборов с ручной настройкой). Задавая ток излучающего диода потенциометром RР1, и изменяя напряжение фотоприемника потенциометром RР2 снять ВАХ фотоприемника для значений тока излучающего диода 1мА, 5мА и 12 мА. Результаты свести в таблицу. По результатам эксперимента построить семейство ВАХ диодного фотоприемника (на одном рисунке).
К пункту 4.2.3. Подключить транзисторный фотоприемник. Аналогично предыдущему опыту, задавая ток излучающего диода потенциометром RР1, и изменяя напряжение фотоприемника потенциометром RР2, снять ВАХ фотоприемника для значений тока излучающего диода 1мА, 2 мА и 5 мА. Результаты свести в таблицу. По результатам эксперимента построить семейство ВАХ транзисторного фотоприемника (на одном рисунке).
К пункту 4.2.4. Подключить тиристорный фотоприемник. Задавая ток излучающего диода потенциометром RР1, и изменяя напряжение фотоприемника потенциометром RР2, снять ВАХ фотоприемника для значений тока излучающего диода 1мА и 12 мА. Выставить такой ток излучающего диода, при котором с изменением напряжения в допустимых пределах измеряемого прибораPV2 фототиристор открывается, что сопровождается скачкообразным изменение тока и напряжения на нем. В качестве начального приближения тока управления принять ток равный 5,1 мА.
Снять кривую ВАХ, изменяя напряжение фотоприемника потенциометром RP2 сначала от нуля до максимума, а затем от максимума до нуля.
Результаты свести в таблицу. По результатам эксперимента построить семейство ВАХ тиристорного фотоприемника (на одном рисунке).