5.4. Описание лабораторной установки

Принципиальная схема лабораторной установки представлена на рис.5.7. Объектом исследования является транзистор VTp-n-pтипа, включенный по схеме с общим эмиттером. Элементами схемы также являются: сопротивленияR1 иR2 в коллекторной цепи транзистораVTи переключательF1, с помощью которого изменяется режим работы транзистора. Эти элементы смонтированы на съемном планшете. ТокI_Бизмеряется микроамперметром РА4, токI_К– миллиамперметром РА1, напряжениеU_БЭ– вольтметромPV2, а напряжениеU_КЭ–PV3. При снятии статических характеристик работы транзистора переключательF1 переключают в положение 1, при динамических – в положение 2 и 3, в зависимости от необходимой величины сопротивления в цепи коллектора (R1 илиR2). Источники питания ГН1 и ГН2 служат для питания выходной (коллекторной) и входной (базовой) цепей соответственно. Измерительные приборы РА1, РА4, РV2,PV3, а также источники питания ГН1 и ГН2 смонтированы на отдельном (универсальном) стенде и подключаются к съемному планшету с помощью общего штепсельного разъема.

5.5. Указания к выполнению работы

К пункту 5.2.1.Подключить съемный планшет с исследуемым транзистором к универсальному лабораторному стенду. Подать питающее напряжение 220В, 50Гц на стенд и на приборы (генераторы ГН1 и ГН2).

К пункту 5.2.2.Поставить переключательF1 в положение 1. С помощью потенциометра ГН2 установить ток базыI_Б= 100 мкА. Вращая рукоятку потенциометра ГН1 и изменяя напряжение источника питания от 0 до 15В снять изменения тока коллектора транзистора от напряжения коллектор-эмиттер. Результаты измерений занести в табл.5.1.

Таблица 5.1 - Выходные статические характеристики транзистора. I_К, мА.

Ток базы Iб, мкА	Напряжение коллектор-эмиттер ЕК, В
	0	2	4	6	8	15
100
200
300

Произвести аналогичные измерения тока коллектора I_Кпри токах базыI_Б=200 мкА и 300мкА, результаты занести в табл.5.1. По данным табл.5.1 построить выходные статические характеристики.

Установить напряжение питания коллектора-эмиттера транзистора 0,5В потенциометром источника ГН1. Изменяя напряжение источника питания ГН2, снять зависимость тока базы I_Бот напряжение базы-эмиттера. Повторить измерения дляE_К=10В. Результаты измерений занести в табл.5.2.

Таблица 5.2 - Входные статические характеристики транзистора. I_Б, мкА.

Напряжение коллектор-эмиттер EК, В	Напряжение база-эмиттер UБЭ, мВ
	100	200	300	400	500	600
0,5
10

По данным табл. 5.2 построить входные статические характеристики.

К пункту 5.2.3.По показанию вольтметраPV3 источника питания ГН1 установить напряжениеE_К=15В, после чего переключательF1 установить в положение 2. По микроамперметру РА4 получить пять значений тока базыI_Б. Для каждого значения тока базы по вольтметруPV2 измерить напряжениеU_БЭ, вольтметруPV3 – напряжениеU_КЭ, миллиамперметруPA1 – токI_К. Повторить эксперимент при положении 3 переключателяF1. Данные эксперимента занести в табл.5.3.

Таблица 5.3 - Динамические характеристики транзистора.

IБ, мкА
R1 = 1кОм	UБЭ, мВ
	UКЭ, В
	IК, мА
R2 = кОм	UБЭ, мВ
	UКЭ, В
	IК, мА

По данным табл.5.3 построить входные и выходные динамические характеристики транзистора для сопротивлений R1 иR2.

Нанести нагрузочные характеристики, полученные для R1 иR2 на семейство выходных статических характеристик.

К пункту 5.2.4.По данным измерений вычислить коэффициенты усиления по токудля напряженияE_К= 15 В и построить характеристику.

К пункту 5.2.5.Для статического режима работы транзистора по данным табл.5.1, 5.2 и статических входных и выходных характеристик вычислитьh–параметры исследуемого транзистора. Полученные данные сравнить со справочными.

К пункту 5.2.6.Используя значенияh–параметров по формулам (5.8), вычислить коэффициенты усиления по токуK_iи напряжениюK_u, входное сопротивлениеR_вх, приняв Rн=1 кОм.