- •Физические основы электронной техники
- •Содержание
- •1. Исследование характеристик полупроводникового выпрямительного диода и кремниевого стабилитрона
- •1.1. Цель работы
- •1.2. Программа работы
- •1.3. Краткие теоретические сведения
- •1.4. Описание лабораторного стенда
- •1.5. Указания к выполнению работы
- •1.6. Содержание отчета
- •1.7. Вопросы для самоконтроля
- •1.8. Рекомендованная литература
- •2. Исследование импульсных свойств p-n-перехода
- •2.1. Цель работы
- •2.2. Программа работы
- •2.3. Динамические процессы в р-n-переходе
- •2.4. Описание лабораторной установки
- •2.5. Указания к выполнению работы
- •2.6. Содержание отчета
- •2.7. Контрольные вопросы
- •2.8. Рекомендованная литература
- •3.4. Описание лабораторной установки
- •3.5. Указания к выполнению работы
- •3.6. Содержание отчета
- •3.7. Вопросы для самоконтроля
- •3.8. Рекомендованная литература
- •4. Исследование вольтамперных характеристик полупроводниковых оптопар
- •4.1. Цель работы
- •4.2. Программа работы
- •4.3. Краткие теоретические сведения
- •4.4. Описание лабораторной установки
- •4.5. Указания к выполнению работы
- •4.6. Содержание отчета
- •4.7. Вопросы для самоконтроля
- •4.8. Рекомендованная литература
- •5. Исследование статического и динамического режимов работы биполярного транзистора
- •5.1. Цель работы
- •5.2. Программа работы
- •5.3. Статический и динамический режимы работы биполярного транзистора
- •5.4. Описание лабораторной установки
- •5.5. Указания к выполнению работы
- •5.6. Содержание отчета
- •5.7. Вопросы для самоконтроля
- •5.8. Рекомендуемая литература
- •6. Исследование однокаскадного усилителя на биполярном транзисторе.
- •6.1. Цель работы
- •6.2. Программа работы
- •6.3. Усилительный каскад с общим эмиттером
- •6.4. Описание лабораторной установки
- •6.5. Указания к выполнению работы
- •6.6. Содержание отчета
- •6.7. Вопросы для самоконтроля
- •6.8. Рекомендуемая литература
- •7.4. Описание лабораторной установки
- •7.5. Указания к выполнению работы
- •7.6. Содержание отчёта
- •8.4. Указания к выполнению работы
- •8.5. Содержание отчета
- •8.6. Рекомендуемая литература
ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ
Тольяттинский государственный университет
Кафедра «Промышленная электроника»
Физические основы электронной техники
Лабораторный практикум
для студентов специальности 140601
дневной, очно-заочной и заочной форм обучения
Тольятти 2006
УДК 621.382 : 378.147.88
ББК 32.859 Я 73
Ф505
Рецензент:
кафедра “Промышленная электроника” Тольяттинского
государственного университета
Составители:
к.т.н., доцент М.В. Позднов
ст.преподаватель А.В. Прядилов
ст.преподаватель Н.Б.Семочкина
Ф505 Физические основы электронной техники: лабораторный практикум для студентов специальности 140601 / М.В.Позднов, А.В.Прядилов, Н.Б.Семочкина. - Тольятти: ТГУ, 2006. – 81 с. – 200 экз.
Данные методические указания содержат описания семи лабораторных работ по курсу «Физические основы электронной техники», выполняемых на специализированных лабораторных стендах в лаборатории «Физические основы электронной техники» и одной лабораторной работы, выполняемой в компьютерном классе в программном пакете WINDOWS Electronics Work-bench.
Для каждой работы имеется теоретический материал, позволяющий получить основные сведения, необходимые для выполнения работы.
Предназначены для студентов специальности 140601 всех форм обучения.
Табл. Илл. 57, библ. 12
Научный редактор: к.т.н., доцент Шевцов А.А.
Утверждено на научно-методическим советом университета.
Тольяттинский государственный университет, 2006.
Содержание
Содержание 3
1. Исследование характеристик полупроводникового выпрямительного диода и кремниевого стабилитрона 4
2. Исследование импульсных свойств p-n-перехода 15
3. Исследование вольтамперных характеристик полупроводниковых светоизлучающих диодов 28
4. Исследование вольтамперных характеристик полупроводниковых оптопар 34
5. Исследование статического и динамического режимов работы биполярного транзистора 51
6. Исследование однокаскадного усилителя на биполярном транзисторе. 63
7. Исследование электронных устройств с операционными усилителями на интегральных микросхемах 72
8. Исследование частотных характеристик фильтров на операционных усилителях 84
1. Исследование характеристик полупроводникового выпрямительного диода и кремниевого стабилитрона
1.1. Цель работы
Целью работы является достижение знаний и понимание физики процессов, происходящих в электронно-дырочномпереходе и состоянии термодинамического равновесия и при приложении постоянного внешнего напряжения, а также овладение методом экспериментального определения вольт-амперных характеристик (ВАХ) полупроводниковых диодов и стабилитронов и их обработка с целью установления параметров полупроводниковых приборов.
1.2. Программа работы
1.2.1. Ознакомиться с теорией и методом снятия ВАХ полупроводниковых приборов, схемой лабораторной установки, назначением переключателей и измерительных приборов.
1.2.2. Снять экспериментальные прямые ВАХ выпрямительного диода и кремниевого стабилитрона.
1.2.3. Снять экспериментальные обратные ВАХ выпрямительного диода и кремниевого стабилитрона.
1.2.4. Провести обработку экспериментальных результатов и рассчитать динамическое сопротивление стабилитрона на рабочем участке характеристики и коэффициент стабилизации.