Ионизационный ток утечки затвора

В этом экране определяются параметры, описывающие ток ионизации, который появляется в открытом транзисторе (см. п. 4.3 работы [1]) и резко увеличивает ток утечки затвора. В качестве исходных данных задаются две пары значений тока стока и напряжения сток-затвор при некотором значении тока стока. Первая точка должна соответствовать низкому напряжению, а вторая - высокому.

Экран "Noise Voltage"

Шумовые характеристики

По заданному значению эквивалентной спектральной плотности

1

напряжения шума, приведенного ко входу (в В/гц2 ), автоматически определяется коэффициент фликкер-шума KF. Коэффициент AF можно изменять, но обычно он близок к заданному по умолчанию значению 1.

4.5. МДП ТРАНЗИСТОРЫ

138 4. Идентификация параметров моделей с помощью PARTS

С помощью PARTS можно идентифицировать параметры модели МДП транзистора уровня 3. Основные параметры этой модели (подробнее см. п.

N- коэффициент неидеальности в показателе экспоненты для p-n перехода.

Экран "Transconductance"

Крутизна затворно - стоковой ВАХ

Вданном экране задаются основные геометрические размеры транзистора

ипо зависимости крутизны от тока стока рассчитывается удельная крутизна KP и сопротивление истока RS, влияющее на крутизну при высоких уровнях тока. В качестве исходных данных задаются два значения крутизны gFS1 и

140 4. Идентификация параметров моделей с помощью PARTS

В данном экране по статическому сопротивлению сток-исток во включенном состоянии транзистора автоматически рассчитывается омическое сопротивление стока. В модели сопротивление открытого транзистора определяется тремя составляющими: нелинейным сопротивлением канала и последовательно включенными омическими сопротивлениями истока и стока. Первые две составляющие уже известны, а третья (Rd) определяется так, чтобы общее сопротивление соответствовало заданному. Если при этом Rd получится отрицательным, надо или подкорректировать данные предыдущих экранов, или отказаться от точного описания сопротивления открытого транзистора и задать Rd=0.

Экран "Zero-bias Leakage"

Утечка сток-исток закрытого транзистора

В этом экране по заданному току утечки сток-исток при напряжении затвор-исток равном нулю (утечка в основном обусловлена поверхностными эффектами) определяется сопротивление RDS, которое шунтирует канал в модели.

Экран "Output Capacitance"

Емкость сток-подложка

В этом экране по заданным значениям емкостей транзистора при некотором напряжении сток-исток Vds определяются параметры емкости p-n перехода сток-подложка. Обычно эта емкость не велика и оказывает малое воздействие по сравнению с другими емкостями.

Экран "Turn-on Charge"

Заряд включения

В этом экране определяются паразитные емкости перекрытия затвора, возникающие за счет боковой диффузии. Эти емкости вместе с уже идентифицированной емкостью канала определяют заряд, требуемый для включения транзистора.

Включение производится от источника импульса с амплитудой Vdd. Величина Qgs - заряд, требуемый для того, чтобы напряжение затвор-исток наросло от нуля до порога VTO. Величина Qg - полный заряд, необходимый для включения тока нагрузки Id. Разность этих зарядов определяется проходной емкостью затвор-сток.

142 4. Идентификация параметров моделей с помощью PARTS

К сожалению, в отечественных справочниках требуемые заряды не приводятся. Их можно рассчитать по экспериментальным данным, если провести соответствующие эксперименты. В противном случае приходится задавать непосредственно емкости CGSO и CGDO в нижний список. При этом надо учитывать, что в модели полные емкости затвор-исток и затворсток получаются умножением величин CGSO и CGDO на ширину канала W. Так что если известны полные емкости, то их надо разделить на W, чтобы задать CGSO и CGDO.

Экран "Switching Time"

Время выключения

В этом экране по заданному времени выключения нагрузочного тока стока Id от источника сигнала с амплитудой Vdd и сопротивлением Zo определяется омическое сопротивление затвора. Это сопротивление ограничивает ток затвора и вместе с паразитными емкостями, которые уже идентифицированы в предыдущем экране, определяет временные задержки. Под временем спада в данном экране понимается длительность спада именно тока стока, а не выходного напряжения.

Экран "Reverse Drain Current"

Обратный ток стока