- •Министерство образования и науки рф
- •1.2.Статические характеристики биполярных транзисторов.
- •1.3.Динамические характеристики транзистора.
- •1.4.Полевые транзисторы.
- •1.4.1.Транзистор с управляющим «p-n» переходом.
- •1.4.2.Транзисторы с изолированным затвором (мдп-транзисторы).
- •2 Описание лабораторного стенда
- •3.1. Изучение полупроводниковых транзисторов.
- •4.6.Снять статические характеристики полевых транзисторов.
- •5.Содержание отчета.
- •6.Варианты заданий для выполнения лабораторной работы.
- •7.Вопросы к зачету по лабораторной работе.
4.6.Снять статические характеристики полевых транзисторов.
4.6.1. Для снятия переходной характеристики полевого транзистора с управляющим «n-p» переходомнеобходимо переключатель «SA1» поставить в положение «2», «SA4» в положение «С». ПотенциометромRк установить напряжениеUзи в пределах от -4 до 0, снять зависимостьIс=f(Uзи). Данные записать в таблицу 4. УстановитьUси=15В, снять зависимостьIс=f(Uзи) приUси=15В.
Таблица 4
Uси(В) |
Uи(В) |
0 |
-0,5 |
-1 |
-1,5 |
-2 |
-3 |
-4 |
5 |
Iс(mA) |
|
|
|
|
|
|
|
15 |
Iс(mA) |
|
|
|
|
|
|
|
Снять выходную характеристику полевого транзистора с управляющим «n-p» переходом. Для этого, устанавливаем последовательно входное напряжениеUзи равным -4В, -3В, -2В, -1В, -0,5В, 0В снять зависимостьIс=f(Uси) приUзи-const. Данные записать в таблицу 5.
Таблица 5
Uси(В) Uзи(В) |
0 |
1 |
2 |
3 |
5 |
10 |
15 |
-4 |
|
|
|
|
|
|
|
-3 |
|
|
|
|
|
|
|
-2 |
|
|
|
|
|
|
|
-1 |
|
|
|
|
|
|
|
-0,5 |
|
|
|
|
|
|
|
0 |
|
|
|
|
|
|
|
4.6.2.Снять динамические характеристики полевого транзистора с управляющим «n-p» переходом.Установить «SA1» в положение «2», установитьUвх=-4В,Uкэ=15В. Переключатель «SA4» поставить в положение «Д» (Rн=Rн зад.). Изменяя напряжениеUвх в пределах от 0 до -4В снять зависимостьIс=f(Uзи). Данные записать в таблицу 5.
Таблица 5
Uзи(В) |
0 |
-0,5 |
-1 |
-1,5 |
-2 |
-3 |
-4 |
Iс(mA) |
|
|
|
|
|
|
|
4.7.Снять статические и динамические характеристики полевого МДП-транзистора с встроенным каналом.Установить переключатель «SA1» в положение «3» и выполнить пункт 4.6. Данные занести в таблицу 6,7,8.
Таблица 6
Uси(В) |
Uзи(В) |
-3 |
-2 |
-1 |
0 |
1 |
2 |
3 |
5 |
Iс(mA) |
|
|
|
|
|
|
|
15 |
Iс(mA) |
|
|
|
|
|
|
|
Таблица 7
Uси(В) Uзи(В) |
0 |
1 |
2 |
3 |
5 |
10 |
15 |
-2 |
|
|
|
|
|
|
|
-1 |
|
|
|
|
|
|
|
0 |
|
|
|
|
|
|
|
1 |
|
|
|
|
|
|
|
2 |
|
|
|
|
|
|
|
Таблица 8
Uзи(В) |
-3 |
-2 |
-1 |
0 |
1 |
2 |
3 |
Iс(mA) |
|
|
|
|
|
|
|
4.8.Снять статические и динамические характеристики полевого МДП-транзистора с индуцированным каналом.Для этого: установить переключатель «SA1» в положение «4». Выполнить пункт 4.7. Данные занести в таблицу 9,10,11.
Таблица 9
Uси(В) |
Uзи(В) |
0 |
1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
5 |
Iс(mA) |
|
|
|
|
|
|
15 |
Iс(mA) |
|
|
|
|
|
|
Таблица 10
Uси(В) Uзи(В) |
0 |
1 |
2 |
3 |
5 |
10 |
15 |
1 |
|
|
|
|
|
|
|
2 |
|
|
|
|
|
|
|
3 |
|
|
|
|
|
|
|
4 |
|
|
|
|
|
|
|
5 |
|
|
|
|
|
|
|
Таблица 11
Uзи(В) |
1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
6 |
Iс(mA) |
|
|
|
|
|
|
4.9.На одном графике построить переходные характеристики Iс=f(Uзи) приUси=15В, для всех полевых транзисторов. Для построения переходных характеристик следует использовать данные таблиц 4, 6, 9.
4.10.построить и сравнить выходные характеристики всех полевых транзисторов. Для этого использовать данные из таблиц 5, 7, 10. В соответствии с заданием на одной из выходных характеристик строим динамическую.
4.11.выполнить графоаналитический расчет усилителя на биполярных транзисторах, использую статические и динамические характеристики.