2 Описание лабораторного стенда

Принципиальная схема лабораторного стенда приведена на рис. 9, а общий вид – на рис.10 . Стенд включает в себя источники питания на +20В и -9В.

Стенд предназначен для измерения статических и динамических характеристик биполярных и полевых транзисторов, а именно:

- биполярных транзисторов,

- полевых транзисторов с управляющим «n-p» переходом,

- полевых транзисторов со встроенным каналом «n»-типа,

- полевых транзисторов с индуцированным каналом «n»-типа.

Транзисторы включаются в измерительную цепь с помощью переключателей SA1 (положение 1, 2, 3, 4).

Входное напряжение Uвх устанавливается потенциометромR«Уст.Uвх».

Напряжение и ток на входе (Iвх иUвх) измеряется амперметром (А1) и вольтметром (V1). Вольтметр имеет две шкалы «±1В» и «±5В» (переключатель «SA1»).

Выходы исследуемых транзисторов подключаются к источнику напряжения Uн с помощью переключателя «SA2».Вольтметр (V2) и амперметр (A2) предназначены для измерения тока и напряжения на выходных шинах транзисторов. Вольтметр (V2) имеет две шкалы отсчета «0÷3В» и «0÷20В»переключение шкал производится переключателем «SA3». Переключатель «SA4» изменяет режим работы: «статические и динамические характеристики». ПотенциометрRн является сопротивлением нагрузки транзисторов в динамическом режиме. В схеме стенда имеется защита от перегрузок в выходных цепях при значительных входных сигналовUвх, а так же звуковое оповещение при перегрузке.

3 Цель лабораторной работы.

Целью лабораторной работы являются:

3.1. Изучение полупроводниковых транзисторов.

3.2. Снятие статических входных (переходных) и выходных характеристик биполярных и полевых транзисторов.

3.3. Снятие динамических характеристик транзисторов.

3.4. Изучение графо-аналитических методов расчета транзисторных усилителей.

4. Порядок выполнения работы.

4.1.Ознакомится с теоретической частью

4.2.Ознакомится с лабораторным стендом и порядком выполнения работы

4.3.Получить у преподавателя разрешение на выполнение лабораторной работы и конкретное задание (тип транзистора, для которого нужно снять динамическую характеристику, величину нагрузки резистора Rн, исходные данные для графо-аналитического расчета усилителя).

4.4.Включить стенд тумблером «сеть».

4.5.1.Снять статические характеристики биполярного транзистора.Для этого переключатель «SA1» поставить в положение «1», переключатель «SA4» в положение «С». ПотенциометромRк установить на вольтметре (V2) напряжениеUкэ=5В. Снять зависимостьIб=f(Uбэ) приUкэ-const. Повторить измерения приUкэ=15В. Данные занести в таблицу 1 и построить статические входные характеристикиIб=f(Uбэ) приUкэ=5В и 15В.

Таблица 1

Uкэ(В)	Uбэ(В)	0	0,1	0,3	0,5	0,7	0,9
5	Iб(mA)
15	Iб(mA)

Потенциометром Rвх установить ток базыIб=0,1mA. Изменяя напряжениеUкэ потенциометромRк в пределах от 0 до 15В снять выходные характеристики биполярного транзистораIк=f(Uкэ) приIб-const. Снять выходные характеристики дляIб=0,2mA;Iб=0,4mA;Iб=0,6mA;Iб=0,8mA. Полученные результаты записать в таблицу 2.

Таблица 2

Uкэ(В) Iб(mA)	0	0,5	1	2	3	5	10	15
0,1
0,2
0,4
0,6
0,8

4.5.2.Снять динамические характеристики биполярного транзистора. Для этого: Установить «SA1» в положение «1», установитьUвх=0,Uкэ=15В. ПереключательSA4 поставить в положение «Д».Rн=Rн заданное. Изменяя токIб в пределах 0,1; 0,2; 0,4; 0,6; 0,8 снять зависимостьIк=f(Iб). Данные записать в таблицу 3 и нарисовать динамическую характеристику, используя выходную статическую характеристику.

Таблица 3

Iб (mA)	0,1	0,2	0,4	0,6	0,8
Iк (mA)