
- •2. Источники излучения. Классификация источников излучения. Основные энергетические характеристики для расчета параметров источников излучения.
- •3. Источники некогерентного оптического излучения - основные группы.
- •6. Законы теплового излучения: Кирхгофа, Стефана-Больцмана, Вина, Планка.
- •9. Светодиоды. Принцип действия, преимущества, области применения.
- •10. Оптрон – устройство, виды и назначение.
- •11. Лазеры. Физические основы работы. Классификация. Структурная схема лазера. Назначение элементов.
- •12. Лазеры на основе гелий-неон. Схема устройства, особенности излучения.
- •13. Физические свойства излучения лазера. Режимы работы лазера. Способы повышения мощности.
- •14. Основные характеристики лазера. Особенности лазерного излучения. Способы создания инверсии.
- •15. Лазеры на твердом теле. Рубиновый лазер.
- •16. Полупроводниковые лазеры. Принцип работы. Достоинства и недостатки. Способы накачки полупроводникового лазера.
- •17. Лазерный диод. Принцип действия, области применения.
- •18. Приемники излучения. Классификация, характеристики и параметры.
- •19. Сущность внутреннего фотоэффекта. Электропроводимость.
- •23. Понятие о внешнем фотоэффекте. Основные законы внешнего фотоэффекта.
- •24. Принцип действия и конструкция фэу.
- •Основные параметры фэу
- •25. Электронно-оптический преобразователь (эоп). Назначение, конструкция.
- •26. Принцип действия и виды тепловых приемников излучения. Устройство и характеристики болометров.
- •27. Диссектор. Элементы конструкции, принцип работы.
- •28. Приборы с зарядовой связью – пзс. Физические основы, принцип действия. Требования к материалу фотокатодов.
- •29. Применение и классификация оптических фильтров. Абсорбционные фильтры. Свойства и характеристики.
- •30. Модуляция потока излучения – определение, назначение. Демодуляция.
- •31. Сканирование. Принцип действия сканеров. Методы сканирования.
- •32. Обобщенная структурная схема электронно-оптического прибора. Области применения о и оэп.
- •33. Модель ачт. Понятие термодинамического равновесия.
- •34. Некогерентные источники излучения. Достоинства и недостатки.
- •35. Структурная схема лазера. Назначение элементов.
- •36. Типы лазерных резонаторов. Потери в резонаторе.
- •37. Полупроводниковые лазеры. Способы накачки полупроводникового лазера.
- •3) Источник накачки.
- •38. Методы измерений. Структурная схема одноканального прибора.
- •39. Способы увеличения чувствительности фоторезисторов. Устройства для охлаждения фр.
- •40. Основные энергетические характеристики источника излучения.
- •41. Принцип действия фоторезисторов. Характеристики, схемы включения.
- •44. Энергетические и световые единицы. Связь между ними.
- •45. Твердотельное освещение. Принцип работы светодиодов, преимущества, применение.
- •46. Типы колебаний (моды) лазерных резонаторов. Потери в резонаторе.
34. Некогерентные источники излучения. Достоинства и недостатки.
Источники некогерентного оптического излучения по физической природе можно разделить на следующие группы:
источники теплового излучения, возникающего в результате нагрева твердых тел или сжигания горючего вещества;
электролюминесцентные источники излучения, возникающего при прохождении электрического тока через газ или пары металлов;
источники смешанного излучения, в которых одновременно происходят электролюминесценция и тепловое излучение.
В качестве источников некогерентного ИК-излучения служат электрические излучатели с открытыми телами накалаи ИК-излучате-ли с телами накалав стеклянных оболочках.
В натриевых и ртутных лампах в качестве источника света используется дуга с горячим катодом, которая зажигается в парах указанных элементов.
Мощным импульсным источником некогерентного света является искровой разряд, примером которого может служить вспышка молнии.
Излучение некогерентных источников является результатом генерации колебаний огромного множества атомов (ионов, молекул). При этом фаза, частота и амплитуда колебаний, соответствующие излучениям отдельных атомов, хаотически меняются с очень большой скоростью по случайному закону. Каждый атом, ион и молекула излучают независимо друг от друга, и излучение их начинается в различные моменты времени. Излучение обычного источника света более похоже на статистический шум, чем на излучение какой-то определенной частоты. Такое излучение не является когерентным.
Колебания некогерентных источников нельзя преобразовать, т. е. нельзя, например, применить частотную или фазовую модуляцию для передачи информации, принципиально нельзя осуществлять супергетеродинный прием таких излучений и т. д. Такие некогерентные излучения годятся лишь для осуществления примитивной световой сигнализации.
Некогерентные источники излучения:
Лампы накаливания
Галогенные лампы
Штифт Нернста, силитовый излучатель, темные излучатели, трубчатые кварцевые излучатели
Глобар
Достоинства:
Можно достичь максимальной освещенности маленьких объектов
Можно хорошо коллимировать пучки
Хорошо подходят для исследований в ультрафиолетовой области
Может эмулировать солнечный свет
Просты в использовании
Дешевизна
Недостатки:Колебания некогерентных источников нельзя преобразовать, т. е. нельзя, например, применить частотную или фазовую модуляцию для передачи информации, принципиально нельзя осуществлять супергетеродинный прием таких излучений и т. д. Такие некогерентные излучения годятся лишь для осуществления примитивной световой сигнализации.
35. Структурная схема лазера. Назначение элементов.
36. Типы лазерных резонаторов. Потери в резонаторе.
37. Полупроводниковые лазеры. Способы накачки полупроводникового лазера.
Полупроводниковый лазер представляет собой два приведенных в контакт полупроводниковых вещества (один n-типа, другой р-типа) с электрическими контактами (питание). Две отшлифованные противоположные грани образуют резонатор (одна из граней покрыта соответствующим веществом, чтобы быть полностью отражающей).
Лазерный эффект в полупроводниковом лазере связан с межзонной люминесценцией - излучательной рекомбинацией созданных внешним воздействием избыточных электронов и дырок.
Полупроводниковый лазер включает в себя:
1) активный элемент из полупроводникового монокристалла, чаще всего в форме бруска ("чипа"). Собственно активная область элемента обычно составляет лишь его малую часть, и её объём, например, в современном, так называемом полосковом, инжекционном лазере, оказывается в пределах
2) Оптический резонатор полупроводникового лазера образован либо торцевыми зеркальными гранями активного элемента (изготовляемого обычно путём раскалывания пластин по плоскостям спайности кристалла), либо внешними отражателями и сложными устройствами с периодическими структурами обратной связи (брэгговскими отражателями и структурами распределённой обратной связи).