- •2. Источники излучения. Классификация источников излучения. Основные энергетические характеристики для расчета параметров источников излучения.
- •3. Источники некогерентного оптического излучения - основные группы.
- •6. Законы теплового излучения: Кирхгофа, Стефана-Больцмана, Вина, Планка.
- •9. Светодиоды. Принцип действия, преимущества, области применения.
- •10. Оптрон – устройство, виды и назначение.
- •11. Лазеры. Физические основы работы. Классификация. Структурная схема лазера. Назначение элементов.
- •12. Лазеры на основе гелий-неон. Схема устройства, особенности излучения.
- •13. Физические свойства излучения лазера. Режимы работы лазера. Способы повышения мощности.
- •14. Основные характеристики лазера. Особенности лазерного излучения. Способы создания инверсии.
- •15. Лазеры на твердом теле. Рубиновый лазер.
- •16. Полупроводниковые лазеры. Принцип работы. Достоинства и недостатки. Способы накачки полупроводникового лазера.
- •17. Лазерный диод. Принцип действия, области применения.
- •18. Приемники излучения. Классификация, характеристики и параметры.
- •19. Сущность внутреннего фотоэффекта. Электропроводимость.
- •23. Понятие о внешнем фотоэффекте. Основные законы внешнего фотоэффекта.
- •24. Принцип действия и конструкция фэу.
- •Основные параметры фэу
- •25. Электронно-оптический преобразователь (эоп). Назначение, конструкция.
- •26. Принцип действия и виды тепловых приемников излучения. Устройство и характеристики болометров.
- •27. Диссектор. Элементы конструкции, принцип работы.
- •28. Приборы с зарядовой связью – пзс. Физические основы, принцип действия. Требования к материалу фотокатодов.
- •29. Применение и классификация оптических фильтров. Абсорбционные фильтры. Свойства и характеристики.
- •30. Модуляция потока излучения – определение, назначение. Демодуляция.
- •31. Сканирование. Принцип действия сканеров. Методы сканирования.
- •32. Обобщенная структурная схема электронно-оптического прибора. Области применения о и оэп.
- •33. Модель ачт. Понятие термодинамического равновесия.
- •34. Некогерентные источники излучения. Достоинства и недостатки.
- •35. Структурная схема лазера. Назначение элементов.
- •36. Типы лазерных резонаторов. Потери в резонаторе.
- •37. Полупроводниковые лазеры. Способы накачки полупроводникового лазера.
- •3) Источник накачки.
- •38. Методы измерений. Структурная схема одноканального прибора.
- •39. Способы увеличения чувствительности фоторезисторов. Устройства для охлаждения фр.
- •40. Основные энергетические характеристики источника излучения.
- •41. Принцип действия фоторезисторов. Характеристики, схемы включения.
- •44. Энергетические и световые единицы. Связь между ними.
- •45. Твердотельное освещение. Принцип работы светодиодов, преимущества, применение.
- •46. Типы колебаний (моды) лазерных резонаторов. Потери в резонаторе.
18. Приемники излучения. Классификация, характеристики и параметры.
ПРИЕМНИКИ ОПТИЧЕСКОГО ИЗЛУЧЕНИЯ- устройства, предназначенные дляобнаружения или измеренияоптического излученияи основанныена преобразованииэнергии излучения в другие виды энергии, более удобные для непосредственного измерения (тепловую, механическую, электрическую и другие).
Разнообразие типов приемников оптического излучения определяется многочисленностью способов преобразования энергии и невозможностью создать приемники, одинаково чувствительные во всём оптическом диапазоне.
Приемники излучения, преобразующие невидимое рентгеновское, ультрафиолетовое или инфракрасное излучение в видимое, назыавают преобразователями.
По принципу действияприемникиоптическогоизлучения (ПОИ) делятся на следующие группы:
тепловые(термоэлементы, пироэлектрические приёмники, болометры, оптико-акустнч. приёмники),
- фотоэлектрические– на внутреннем и внешнем фотоэффекте (фотоэлементы, фотоумножители, вентильные фотоэлементы, фотодиоды, фототриоды),
- фотохимические.
По спектральному диапазонучувствительности ПОИ разделяют на:
неселективные, чувствительность которых не зависит от длины волны падающего излучения в широком диапазоне, и
- селективные, чувствительность которых ограничена определенным участком спектра.
Различают также:
одноэлементные и многоэлементные,
неохлаждаемые и охлаждаемые ПОИ.
Параметры и характеристики приемников излучения
Параметры:
параметры чувствительности
пороговые и шумовые параметры
временные
спектральные
эксплуатационные
Характеристики:
спектральные
вольтовые
зависимости параметров ПИ от величины потока излучения
фоновые
частотные
температурные
временные
пространственные
19. Сущность внутреннего фотоэффекта. Электропроводимость.
(фотопроводимости).
20. Приемники излучения на основе внутреннего фотоэффекта.
Внутренним фотоэффектомназывается перераспределение электронов по энергетическим состояниям в твердых и жидкихполупроводникахидиэлектриках, происходящее под действием излучений. Он проявляется в измененииконцентрацииносителей зарядов в среде и приводит к возникновениюфотопроводимостииливентильного фотоэффекта.
Фотопроводимостьюназывается увеличение электрической проводимости вещества под действием излучения.
21. Фоторезисторы – принцип действия, параметры, схема включения. Способы увеличения чувствительности фоторезисторов. Устройства для охлаждения ФР.
22. Фотодиоды. Принцип действия.
22. Фотодиоды. Принцип действия.
Итак, фотодиод -- это полупроводниковый диод, обратный ток которого зависит от освещенности.
Фотодиод, работа которого основана нафотовольтаическом эффекте(разделение электронов и дырок в p- и n- области, за счёт чего образуется заряд иЭДС), называетсясолнечным элементом. Кроме p-n фотодиодов, существуют и p-i-n фотодиоды, в которых между слоями p- и n- находится слой нелегированного полупроводника i. p-n и p-i-n фотодиоды только преобразуют свет в электрический ток, но не усиливают его, в отличие от лавинных фотодиодов ифототранзисторов.
Принцип работы:
При воздействии квантовизлучения в базе происходит генерация свободных носителей, которые устремляются к границе p-n-перехода. Ширина базы (n-область) делается такой, чтобы дырки не успевали рекомбинировать до перехода в p-область.Токфотодиода определяется током неосновных носителей — дрейфовым током. Быстродействие фотодиода определяется скоростью разделения носителей полем p-n-перехода и ёмкостью p-n-перехода Cp-n
Фотодиод может работать в двух режимах:
фотогальванический — без внешнего напряжения
фотодиодный — с внешним обратным напряжением
Особенности:
простота технологии изготовления и структуры
сочетание высокой фоточувствительности и быстродействия
малое сопротивление базы
малая инерционность
Обозначение в схемах:
Структурная схема фотодиода: 1 — кристалл полупроводника; 2 — контакты; 3 — выводы;Φ— поток электромагнитного излучения; Е — источник постоянного тока; RH— нагрузка.