3) Источник накачки.

Способы накачки

Для перехода электрона в зону проводимости ему нужно дать дополнительную энергию (возбудить). Это достигается

нагревом,
облучением светом,
воздействием электрического тока,
воздействием магнитного поля.

Важнейшим способом накачки в полупроводниковом лазере является инжекция избыточных носителей заряда через р - n-переход, гетеропереход или другой нелинейный электрический контакт. Из-за сравнительно малых размеров излучающего пятна на торце инжекционного лазера испускаемое излучение сильно дифрагирует при выходе во внешнюю среду и его направленность оказывается невысокой (угол расходимости лазерного пучка составляет 20 - 40° и обычно заметно различается во взаимно ортогональных плоскостях).

38. Методы измерений. Структурная схема одноканального прибора.

39. Способы увеличения чувствительности фоторезисторов. Устройства для охлаждения фр.

40. Основные энергетические характеристики источника излучения.

Основные энергетические характеристики для расчета параметров источника излучения:

энергия излучения (мощность)
поток излучения;
энергетическая яркость;
энергетическая светимость;
энергетическая освещенность;
спектральный состав;
пространственная диаграмма излучения

41. Принцип действия фоторезисторов. Характеристики, схемы включения.

Таким образом, фоторезистор — это полупроводниковый резистор, сопротивление которого зависит от освещенности.

Основные характеристики фоторезисторов:

спектральная,
люкс-амперная,
вольт-амперная.

Спектральная характеристика отображает чувствительность фоторезистора при действии на него излучения определенной длины волны. Чувствительность зависит от свойств материала светочувствительного элемента.

Люкс-амперная характеристикафоторезисторов показывает зависимость светового тока, протекающего через фоторезистор, от освещенности. Полупроводниковые фоторезисторы имеют обычно нелинейные люкс-амперные характеристики.

Вольт-амперная характеристикафоторезисторов линейна в широком интервале напряжения. Линейность нарушается только при малых значениях напряжения.