
- •2. Источники излучения. Классификация источников излучения. Основные энергетические характеристики для расчета параметров источников излучения.
- •3. Источники некогерентного оптического излучения - основные группы.
- •6. Законы теплового излучения: Кирхгофа, Стефана-Больцмана, Вина, Планка.
- •9. Светодиоды. Принцип действия, преимущества, области применения.
- •10. Оптрон – устройство, виды и назначение.
- •11. Лазеры. Физические основы работы. Классификация. Структурная схема лазера. Назначение элементов.
- •12. Лазеры на основе гелий-неон. Схема устройства, особенности излучения.
- •13. Физические свойства излучения лазера. Режимы работы лазера. Способы повышения мощности.
- •14. Основные характеристики лазера. Особенности лазерного излучения. Способы создания инверсии.
- •15. Лазеры на твердом теле. Рубиновый лазер.
- •16. Полупроводниковые лазеры. Принцип работы. Достоинства и недостатки. Способы накачки полупроводникового лазера.
- •17. Лазерный диод. Принцип действия, области применения.
- •18. Приемники излучения. Классификация, характеристики и параметры.
- •19. Сущность внутреннего фотоэффекта. Электропроводимость.
- •23. Понятие о внешнем фотоэффекте. Основные законы внешнего фотоэффекта.
- •24. Принцип действия и конструкция фэу.
- •Основные параметры фэу
- •25. Электронно-оптический преобразователь (эоп). Назначение, конструкция.
- •26. Принцип действия и виды тепловых приемников излучения. Устройство и характеристики болометров.
- •27. Диссектор. Элементы конструкции, принцип работы.
- •28. Приборы с зарядовой связью – пзс. Физические основы, принцип действия. Требования к материалу фотокатодов.
- •29. Применение и классификация оптических фильтров. Абсорбционные фильтры. Свойства и характеристики.
- •30. Модуляция потока излучения – определение, назначение. Демодуляция.
- •31. Сканирование. Принцип действия сканеров. Методы сканирования.
- •32. Обобщенная структурная схема электронно-оптического прибора. Области применения о и оэп.
- •33. Модель ачт. Понятие термодинамического равновесия.
- •34. Некогерентные источники излучения. Достоинства и недостатки.
- •35. Структурная схема лазера. Назначение элементов.
- •36. Типы лазерных резонаторов. Потери в резонаторе.
- •37. Полупроводниковые лазеры. Способы накачки полупроводникового лазера.
- •3) Источник накачки.
- •38. Методы измерений. Структурная схема одноканального прибора.
- •39. Способы увеличения чувствительности фоторезисторов. Устройства для охлаждения фр.
- •40. Основные энергетические характеристики источника излучения.
- •41. Принцип действия фоторезисторов. Характеристики, схемы включения.
- •44. Энергетические и световые единицы. Связь между ними.
- •45. Твердотельное освещение. Принцип работы светодиодов, преимущества, применение.
- •46. Типы колебаний (моды) лазерных резонаторов. Потери в резонаторе.
25. Электронно-оптический преобразователь (эоп). Назначение, конструкция.
26. Принцип действия и виды тепловых приемников излучения. Устройство и характеристики болометров.
Основной компонент болометра — очень тонкая пластинка (например, из платиныили другого проводящего материала), зачернённая для лучшегопоглощения излучения. Из-за своей малой толщины пластинка под действием излучения быстро нагревается и еёсопротивлениеповышается. Для измерения малых отклонений сопротивления пластинки её включают вмостовую схему, которую балансируют при отсутствии засветки. Металлические болометры часто подсоединяют через трансформаторный вход, так как у них очень малое собственное сопротивление.
27. Диссектор. Элементы конструкции, принцип работы.
(от лат. disseco - рассекаю) - передающий электронно-лучевой приборбез накопления электрического заряда, действие которого основано навнешнем фотоэффекте.
Электроны, прошедшие через отверстие в диафрагме, усиливаются динодной системойи поступают на анод, образуявидеосигнал (рис 1).
По существу, диссектор - это передающая телевизионная трубка, в которойоптическое изображение преобразуется в электрический сигнал.
Диссектор
обладает линейной световой характеристикой,
высокой разрешающей способностью,
низкой чувствительностью,
малоинерционен.
Применяетсягл. обр. во вспомогательных автоматических системах телевидения (например, для определения положения источника света), информационно-измерительных системах.
1 - фотокатод;
2 и 3 - отклоняющая и фокусирующая катушки;
4 - электронный умножитель;
Еф и Еу - источники постоянного напряжения, подаваемого соответственно на фотокатод и на электроды электронного умножителя
28. Приборы с зарядовой связью – пзс. Физические основы, принцип действия. Требования к материалу фотокатодов.
Данный тип приборов в настоящее время имеет очень широкий круг примененияв самых различных оптоэлектронных устройствах
для регистрации изображения. В быту это цифровые фотоаппараты, видеокамеры, различные сканеры.
Элементы, принимающие свет и преобразующие его в электрические заряды называются пикселами.
Впервые принцип ПЗС с идеей сохранять и затем считывать электронные заряды был разработан в корпорации BELL в конце 60-х годов в ходе поиска новых типов памяти для ЭВМ.
ОтличияПЗС-приемникаот обычного полупроводникового фотодиода(имеющего светочувствительную площадку и два электрических контакта для съема электрического сигнала):
1-е отличие:таких светочувствительных площадок (пикселов) в ПЗС-приемнике от нескольких тысяч до нескольких сотен тысяч и даже нескольких миллионов.
2-е отличие:В ПЗС-приёмнике, внешне похожем на обычную микросхему,нет огромного числа электрических контактовдля вывода электрических сигналов, которые, казалось бы, должны идти от каждого светоприемного элемента.
В основе работы ПЗС лежит принцип зарядовой связи, который используетдва известных из электростатики положения:
1) одноимённые заряды отталкиваются,
2) заряды стремятся расположиться там, где их потенциальная энергия минимальна.
Рассмотрим -полупроводник - p-типа, т. е. концентрация дырок в равновесных условиях значительно (на несколько порядков) больше, чем электронов. Если на такой электрод (его называют затвором) подать положительный потенциал, то электрическое поле, создаваемое затвором, проникая в кремний сквозь диэлектрик, отталкивает подвижные дырки; возникает обеднённая область - некоторый объём кремния, свободный от основных носителей. (При параметрах полупроводниковых подложек, типичных для ПЗС, глубина этой области составляет около 5 мкм.)Напротив,электроны, возникшие под действием света, притянутся к затвору и будут накапливаться на границе раздела окисел-кремний непосредственно под затвором, т. е. сваливаются в потенциальную яму(рис. 1). Чем интенсивнее световой поток во времяэкспозиции, тем больше накапливаетсяэлектроновв потенциальной яме, соответственно тем выше итоговый заряд данногопикселя.
Образование потенциальной ямы при приложении напряжения к затвору
Фотокатод— электрод вакуумного электронного прибора, непосредственно подвергающийся воздействию электромагнитных излучений и эмитирующий электроны под действием этого излучения.
Требования к материалу фотокатодов: