Вятский Государственный Гуманитарный Университет

Отчет по лабораторной работе № 3

«Биполярный транзистор»

Выполнил: студент физико-математического

факультета группы Ф-41(1) Ветлужских А.И.

Проверил: Мултановский В. В.

г. Киров

2010

Цель работы: Ознакомиться с устройством и электрическими свойствами биполярных транзисторов, изучить методы определения их характеристик и параметров, ознакомиться с некоторыми электронными устройствами на основе биполярных транзисторов.

Порядок выполнения работы:

1. Исследование статических характеристик транзистора.

1.1 Исследование входной характеристики транзистора.

Приборы и оборудование:

Транзистор: П306

Источник постоянного тока: Б5-8

Миллиамперметр (стрелочный): Ц4360

Вольтметр (мультиметр):

Предельные эксплутационные данные транзистора:

Ток базы: I_б=200

Собрать цепь по схеме:

ПриUк = 0 и при Uк = 5В снять зависимость тока базы (Iб) от напряжения база-эмиттер (Uбэ), изменяя напряжение база – эмиттер в допустимых пределах(0÷100мА). Результаты измерений занести в таблицы:

Рис. 1.

Таблица 1. Uк = 0 В
Uбэ, В	1,06	0,97	0,92	0,88	0,83	0,79	0,76	0,72	0,68	0,63	0,59
Iб, мА	100	90	80	70	60	50	40	30	20	10	5

0,58	0,57	0,55	0,52	0,5	0,49	0,48	0,47	0,44	0,44	0,43	0,41
4	3	2	1	0,5	0,4	0,3	0,2	0,1	0,08	0,06	0,04

Таблица 2. Uк = 5 В
Uбэ, В	4,44	3,76	3,48	3,12	2,62	2,28	1,82	1,26	0,98	0,91	0,83
Iб, мА	100	70	60	50	40	30	20	10	5	4	3

0,76	0,67	0,63	0,6	0,59	0,58	0,54	0,54	0,53	0,51
2	1	0,5	0,4	0,3	0,2	0,1	0,08	0,06	0,04

Рис.2.

По результатам измерений построить входную характеристику транзистора. В начальном участке характеристики определить входное сопротивление транзистора и дифференциальное входное сопротивление.

R_ст =U_бэ/I_бОм;R_дин =ΔU_бэ/ΔI_бОм (приU_k=0В); R_дин =ΔU_бэ/ΔI_бОм (приU_k=5В).

1.2. Исследование выходной характеристики транзистора п306.

Приборы и оборудование:

Транзистор: П306

Источник постоянного тока: Б5-8

Миллиамперметр (стрелочный): Ц4360

Вольтметр (мультиметр):

Собрать цепь по схеме:

Р

ис. 3.

При фиксированных значениях тока базы I_Б в пределах допустимых значений снять зависимость тока коллектора I_к от напряжения коллектор - эмиттер U_кэ.

Результаты измерений занести в таблицу:

Таблица 3. Семейство выходных характеристик транзистора.

Uкэ,В Iб,мА	0,1	0,2	0,5	1	2	5	10	15
1	10	24	30	30	31	32	34	37
2	10,75	28	48	50	51	53	56	60
4	12	36	72,5	75	75	77,5	82,5	87,5
6	15	39	87,5	100	102,5	107,5	112,5	120

По результатам измерений построить семейство выходных характеристик транзистора, определить напряжение насыщения коллектор – эмиттер U_нас, построить передаточную характеристику при U_кэ > U_нас .

Рис. 4.

U_нас=1 В.

При U_кэ=5 В получим следующую передаточную характеристику.

Рис. 5.