23. Токи в транзисторе

По первому закону Кирхгофа для транзистора (рисунок 5.4) ток эмиттера равен сумме токов базы и тока коллектора:

где – ток эмиттера;

–ток базы.

Этот ток составляет не более 1% от тока эмиттера.

–тепловой ток коллекторного перехода.

Рисунок 5.4

Ток коллектора равен , где.

Отсюда ;

Таким образом в схемах с транзистором имеются две цепи: входная, в которую включается источник усиливаемых колебаний, и выходная, в которую включается нагрузочное сопротивление. Ток эмиттера здесь является управляющим током, ток коллектора– управляемым, а ток базы– их разностью.

24. Модуляция толщины w базы представляет собой зависимость толщины базы w от напряжения на коллекторе :

Так как ширина эмиттерного перехода мала, изменения не влияют на ее значение. Коллекторный же переход из-за обратного смещения большой и сосредоточен в базе. При изменении изменяется ширина коллекторного перехода и, следовательно, толщина базы w тоже. Это приводит к:

1) зависимости коэффициента передачи тока от коллекторного напряжения . Например, если возрастает напряжение коллектора , уменьшается толщина базы w , увеличивается коэффициент переноса , то есть увеличивается число электронов, избежавших рекомбинации;

2) к барьерной емкости коллекторного перехода добавляется диффузионная емкость, так как происходит изменение заряда вблизи перехода;

3) изменению частотных свойств транзистора: если увеличивается , уменьшается толщина базы w, уменьшается время пролета электронов в базе и увеличивается граничная частота транзистора.

4) при увеличении , если постоянно, увеличвается , так как уменьшение толщины базы ведет к увеличению градиента концентраций носителей, от которого пропорционально зависит ток эмиттера.