- •1 Собственная электропроводность.
- •2. Примесные полупроводники. Полупроводники p,n типа.
- •6. Прямое включение p-n перехода.
- •7. Обратное включение p-n перехода.
- •8. Вольт-амперная характеристика p-n перехода. Идеальная и реальная вах p-n перехода.
- •9. Ёмкости p-n перехода. Диффузионная ёмкость. Барьерная ёмкость.
- •11.Контакт металл-полупроводник, выпрямляющий и невыпрямляющий.
- •12 Выпрямительные диоды
- •13. Соединение вентилей.
- •14. Импульсные диоды
- •15. Стабилитрон.
- •16. Варикап.
- •17. Диоды Шоттки
- •19 18. Туннельные и обращенные диоды. Принцип действия, параметры и характеристики.
- •Обращенные диоды
- •21. Устройство биполярного транзистора.
- •22. Принцип действия транзистора в активном режиме
- •23. Токи в транзисторе
- •25. Схема включения транзистора с общей базой, основные параметры.
- •26.Статические характеристики транзистора с общей базой.Особенности схемы с общей базой. Достоинства и недостатки.
- •29.30.Статистические х-ки транзистора с оэ. Схема включения транзистора с общим эмиттером, основные параметры.
- •31. Схема включения транзистора с общим коллектором, основные параметры.
- •33 32. Основные параметры биполярных транзисторов.
- •35. Модель Эберса- Мола
- •36. Зависимость коэффициента передачи тока от частоты в схеме с общей базой [α(ω)].
- •36. Зависимость коэффициента передачи тока от частоты в схеме с общим эмиттером [β(ω)].
- •37. Дрейфовый транзистор
- •38. Полевой транзистор с р-n переходом.
- •39. Основные характеристики полевых транзисторов
- •40. Основные параметры полевых транзисторов
- •42. Полевой тр-р с изолированным затвором с встроенным каналом.
- •43. Полевой тр-р с изолированным затвором с индуцированным каналом.
- •45, Динистор.
- •48. Однопереходный транзистор.
- •49. Световод инжекционный
- •50. Светодиоды. Устройство и принцип действия.
- •51. Фотоприемники. Фоторезисторы.
- •52. Фототранзистор, фототиристор
- •53. Оптроны. Конструкция и принцип действия. Разновидности и сравнительная характеристика.
- •54. Интегральные микросхемы. Принцип построения. Технологические приемы реализации. Применение.
- •56. Фотолитография. Металлизация.
- •57. Гибридные микросхемы. Принцип построения. Технологические приемы реализации. Применение.
- •59. Способы изоляции м/у компонентами имс и их особенности.
- •60. Интегральные транзистор, диод, резистор, конденсатор
- •61. Совмещенные ис
- •64.Приборы с зарядовой связью.
- •66. Цифровые ис. Основные параметры.
- •63. Транзисторы с инжекционным питанием.
52. Фототранзистор, фототиристор
Фототранзистор представляет собой структуру из чередующих слоев p-n-p и n-p-n. Внешнее напряжение (минус на эмиттере) включает эмиттерный p-n- переход в прямом направлении, а коллекторный переход – в обратном. В темноте практически все внешнее напряжение падает на коллекторный переход. Освещение средней части (базы) ведется через тонкий слой эмиттера. Возникающий в базе и в обоих переходах фотоэлектроны попадают в области эмиттера и коллектора, а дырки собираются в средней p – обл. В рез-те к левому p-n-переходу оказывается приложенным дополнительное напряжение в прямом направлении и возникает инжекция темновых электронов через сниженный барьер в базу и далее – в коллекторный переход.
- энергетичная схема (левый p-n-переход включен в прямом, правый – в обратном направлении)
- ВАХ
Фототиристор имеет чередующиеся области p,n,p,n – типов проводимости и соответственно три p-n-перехода, из к-ых средний наз коллекторный, а 2 крайних – эмиттерными. Структура включается так, чтобы коллекторный переход был смещен в обратном направлении, а оба эмиттерных в прямом(+ источника на внешней р-обл структуры, а минус- на n-обл.
Если напряжение на всем тиристоре повысить до Uп, при к-ом эмиттерные переходы заметно уменьшатся), то через тиристор начинает идти значительный ток, к-ый приводит к накоплению в р- базе положительного заряда, а в n- базе отрицательного. При этом общее падение напряжения на тиристоре снижается, т.к. токи сами теперь поддерживают нужную степень накопления зарядов. Таким образом тиристор может находится в 2-х состояниях, соответсвующих большим или малым токам, т.е. тиристор может работать как ключ в электрической цепи.
У фототиристора накопление положительного и отрицательного зарядов, необходимых дл яперевода его во включенное состояние, производится при облучении светом из области собственного поглащения материала. Поле среднего перехода направляет фотодырки в р-базу, а электроны в n- базу, что снижает высоту обоих эмиттерных барьеров и создает сильные темновые токи через тиристор. Таким образом, свет играет роль управляющего электрического сигнала у тиристора с 3-им выводом (от базы) и позволяет безконтактным образом управлять токами в различных эл цепях
53. Оптроны. Конструкция и принцип действия. Разновидности и сравнительная характеристика.
Оптрон – это полупроводниковый прибор, в котором конструктивно объединены источник и приемник излучения, имеющие между собой оптическую связь. В источнике излучения электрические сигналы преобразуются в световые, которые воздействуют на фотоприемник и создают в нем снова электрические сигналы. Если оптрон имеет только один излучатель и один приемник излучения, то его называют оптопарой или элементарным оптроном. Микросхема, состоящая из одной или нескольких опт опар с дополнительными устройствами, называется оптоэлектронной интегральной микросхемой. На входе и выходе оптрона всегда имеются электрические сигналы, а связь входа с выходом осуществляется световыми сигналами. Цепь излучателя является управляющей, а цепь фотоприемника – управляемой. Конструктивно в оптронах излучатель и приемник излучения помещаются в корпус и заменяются оптически прозрачным клеем рис (13.16).
Достоинства: полная гальваническая развязка, однонаправленная передача информации, низкое напряжение питания, широкая полоса частот. Недостатки: низкий коэффициент усиления, сложный прибор, низкий КПД, низкая термостабильность. Виды оптопар:
Резисторные – излучатель представляет собой лампочку накаливания, приемник – фоторезистор из селенида кадмия или сульфида кадмия для видимого излучения, для инфракрасного – из селенида и сульфида свинца;
Диодные оптроны – имеют обычно кремниевый фотодиод и инфракрасный арсенид-галлиевый светодиод. Фотодиод может работать как в фотогенераторном, так и в фотопреобразовательном режиме;
Транзисторные оптроны – имеют обычно в качестве излучателя арсенид-галлиевый светодиод, а приемника излучения – биполярный кремниевый фототранзистор типа n-p-n. Оптопары этого типа работают главным образом в ключевом режиме и применяются в коммутаторных схемах, устройствах связи различных датчиков или в качестве реле;
Тиристорные оптроны – имеют в качестве оптопары кремниевый фототиристор и применяются в ключевых режимах. Основная область использования – схемы для формирования мощных импульсов, управления мощными тиристорами, управления и коммутации различных устройств с мощными нагрузками.
Параметры и характеристики оптронов.
Оптрон – это полупроводниковый прибор, в котором конструктивно объединены источник и приемник излучения, имеющие между собой оптическую связь. В качестве параметров резисторных оптронов обычно указываются максимальные токи и напряжения на входе и выходе, выходное сопротивление при нормальной работе и так называемое темновое выходное сопротивление, сопротивлении изоляции и максимальное напряжение изоляции между входом и выходом. Важнейшие характеристики оптопары – входная вольт-амперная и передаточная. Последняя показывает зависимость выходного сопротивления от входного тока.
Основные параметры диодных оптопар – входные и выходные напряжения и токи, коэффициент передачи тока (отношение выходного тока к входному), время нарастания и спада выходного сигнала. Коэффициент передачи тока обычно составляет лишь единицы процентов, а время нарастания и спада может быть снижено до нескольких наносекунд. Свойства диодных оптопар отображаются входными и выходными ВАХ и передаточными характеристиками для фотогенераторного и фотопреобразовательного режима.
Транзисторные оптроны благодаря большей чувствительности фотоприемника экономичнее диодных. Однако быстродействие их меньше, максимальная частота коммутации обычно не превышает 105 Гц. Так же как и диодные оптроны, транзисторные имеют малое сопротивление в открытом состоянии и большое в закрытом и обеспечивают полную гальваническую развязку входных и выходных цепей.
Параметры тиристорных оптопар – входные и выходные токи и напряжения, соответствующие включению, рабочему режиму и максимальным допустимым зажимам, а также время включения и выключения, параметры изоляции между входной и выходной цепями.