- •1 Собственная электропроводность.
- •2. Примесные полупроводники. Полупроводники p,n типа.
- •6. Прямое включение p-n перехода.
- •7. Обратное включение p-n перехода.
- •8. Вольт-амперная характеристика p-n перехода. Идеальная и реальная вах p-n перехода.
- •9. Ёмкости p-n перехода. Диффузионная ёмкость. Барьерная ёмкость.
- •11.Контакт металл-полупроводник, выпрямляющий и невыпрямляющий.
- •12 Выпрямительные диоды
- •13. Соединение вентилей.
- •14. Импульсные диоды
- •15. Стабилитрон.
- •16. Варикап.
- •17. Диоды Шоттки
- •19 18. Туннельные и обращенные диоды. Принцип действия, параметры и характеристики.
- •Обращенные диоды
- •21. Устройство биполярного транзистора.
- •22. Принцип действия транзистора в активном режиме
- •23. Токи в транзисторе
- •25. Схема включения транзистора с общей базой, основные параметры.
- •26.Статические характеристики транзистора с общей базой.Особенности схемы с общей базой. Достоинства и недостатки.
- •29.30.Статистические х-ки транзистора с оэ. Схема включения транзистора с общим эмиттером, основные параметры.
- •31. Схема включения транзистора с общим коллектором, основные параметры.
- •33 32. Основные параметры биполярных транзисторов.
- •35. Модель Эберса- Мола
- •36. Зависимость коэффициента передачи тока от частоты в схеме с общей базой [α(ω)].
- •36. Зависимость коэффициента передачи тока от частоты в схеме с общим эмиттером [β(ω)].
- •37. Дрейфовый транзистор
- •38. Полевой транзистор с р-n переходом.
- •39. Основные характеристики полевых транзисторов
- •40. Основные параметры полевых транзисторов
- •42. Полевой тр-р с изолированным затвором с встроенным каналом.
- •43. Полевой тр-р с изолированным затвором с индуцированным каналом.
- •45, Динистор.
- •48. Однопереходный транзистор.
- •49. Световод инжекционный
- •50. Светодиоды. Устройство и принцип действия.
- •51. Фотоприемники. Фоторезисторы.
- •52. Фототранзистор, фототиристор
- •53. Оптроны. Конструкция и принцип действия. Разновидности и сравнительная характеристика.
- •54. Интегральные микросхемы. Принцип построения. Технологические приемы реализации. Применение.
- •56. Фотолитография. Металлизация.
- •57. Гибридные микросхемы. Принцип построения. Технологические приемы реализации. Применение.
- •59. Способы изоляции м/у компонентами имс и их особенности.
- •60. Интегральные транзистор, диод, резистор, конденсатор
- •61. Совмещенные ис
- •64.Приборы с зарядовой связью.
- •66. Цифровые ис. Основные параметры.
- •63. Транзисторы с инжекционным питанием.
43. Полевой тр-р с изолированным затвором с индуцированным каналом.
ПТ с изолир. затвором – это такие тр-ры, затвор которых изолирован от проводящего канала материалом диэлектрика или окисью кремния. Т.о. по структуре конструктивно получается, затвор – металлический слой, проводящий канал – полупроводник, изолятор – диэлектрик. По технологическому принципу изготовления различают 2 типа таких тр-ров: с индуцированным и со встроенным каналом.
ПТ с индуц. каналом – это такие тр-ры, в начальный момент которого проводящий канал между стоком и истоком отсутствует. Такой канал образуется в результате приложения напряжения на затворе (индуцируется) (рис. 1).
рис. 1.
Ic=f (Uз), при Uc=const.
Uз=0, канал между С и И отсутствует, а значит ток стока очень маленький приблизительно равен нулю. Пусть на затворе подается отриц. напряж., тогда электроны из п-области отталкиваются от отриц. затвора, а дырки притягиваются. В результате между С и И появляется слой с электропроводностью р-типа, кот. служит каналом, а значит ток ч/з канал растет. Чем больше отриц. напряж. (-Uз), тем больше дырок притягивается к каналу, канал расширяется, Ic увеличивается. Хар-ки смещаются вверх.
Режим работы при котором канал расширяется и Ic увеличивается, наз. режимом обогащения. Т.о. в таком ПТ канал появляется только в определенных условиях, поэтому тр-р называется и индуцированным каналом.
Параметры полевого транзистора.
1. внутреннее сопротивление:
Ri = ΔUc / ΔIc , при Uз = const.
2. крутизна характеристики:
S = ΔIc / ΔUз , при Uс = const.
3. коэффициент усиления:
K = Ri•S.
4. мощность рассеивания:
Pc = Ic рт•Uc рт.
Достоинства и недостатки полевых транзисторов.Достоинства
- Высокие вх. Сопр-я: ПТУП 10^6 – 10^8 Ом (сопр. Обратно смещенного p-n-перехода) и для МДП 10^12 – 10^15 Ом (Сопр тонкого слоя диэлектрика)
- Более высокое быстродействие и термостабильность, тк токи образуются основными носителями отсутствуют процессы накопления и рассасывания неосновных носителей зарядов
- Простота и технологичность изготовления (меньшее число процессов диффузии)
- малые габариты и занимаемая площадь (примерно в 5 раз больше чем биполярные)
-широкая фунц. возмож.
-полное гальваническое разд. входной цепи от выходной.
-возможность работы без спец. смещения. Что упрощает построение схем.
-малый уровень шумов, возм. Работы без спец. выравн. Из-за термоусточ.
Недостатки:
-низкая добротность: произв. усиления на полосу пропускания
-низкая временная стабильность параметров
-требование опр. мер по предосторож. из-за возм пробоя тонкого слоя диэлектрика.
45, Динистор.
П1 и П3 открыты П2 закрыт
Р1 n2 эмиттер
N1 p2 база
П1 П3 - ЭП П2 КП
U = Uвкл в П2 лавинный пробой
Полем перехода П2 эл-ны перебрасываются в n1 обл, дырки в р2.
И частично компенсируют лавинообразный процесс , ток увеличивается ограничивается сопротивлением, вкл. послед.
M-коэф размножения
1+ 3=
ОА – прибор выключен малые токи и большие напряжения
U = Uвкл <1/2
A-U= Uвкл - M = 1
растет, М растет M<=1, ткI n рад растет при уменьш U
46. Тринистор- это прибор имеет дополнительный вывод от управляющего электрода от n1 или р2 – обычно тонкая база – n1 (α ≈1)- поэтому возможно управление временем включения прибора.
I=f(U)|Iy=const Iy2 ›Iy0
Iy-ток управления, при Iy0- характеристики совпадают с характеристиками динистора. Изменяя Iy можно менять Uвкл независимо от U внешнего
С ↑ Iy,↑α, Мα=1 паступает раньше при
При некотором Iy участок(-R) исчезает и получается спрямленная характеристика .
+: возможность управления.
Обозначение:Негатрон
Применение : в импульсных схемах, усилителях, генераторах, выпрямителях.Маркировка
Н- неуправляемые(динисторы)
У- управляемые (тиристоры)
Схема включения тринистора с выводом от Р обл или по катоду. Обычные триодные тиристоры не запираются с помощью цепи, надо ↓ I в тиристоре до I удерживающего или I выкл . Разновидности:1 Запираемые триодные тиристоры- запираются при подаче через управляемый электрод короткого импульса Uобр на эмиторный переход ?2 Симисторы или симитричный тиристор проводят ток в оба направления