- •1 Собственная электропроводность.
- •2. Примесные полупроводники. Полупроводники p,n типа.
- •6. Прямое включение p-n перехода.
- •7. Обратное включение p-n перехода.
- •8. Вольт-амперная характеристика p-n перехода. Идеальная и реальная вах p-n перехода.
- •9. Ёмкости p-n перехода. Диффузионная ёмкость. Барьерная ёмкость.
- •11.Контакт металл-полупроводник, выпрямляющий и невыпрямляющий.
- •12 Выпрямительные диоды
- •13. Соединение вентилей.
- •14. Импульсные диоды
- •15. Стабилитрон.
- •16. Варикап.
- •17. Диоды Шоттки
- •19 18. Туннельные и обращенные диоды. Принцип действия, параметры и характеристики.
- •Обращенные диоды
- •21. Устройство биполярного транзистора.
- •22. Принцип действия транзистора в активном режиме
- •23. Токи в транзисторе
- •25. Схема включения транзистора с общей базой, основные параметры.
- •26.Статические характеристики транзистора с общей базой.Особенности схемы с общей базой. Достоинства и недостатки.
- •29.30.Статистические х-ки транзистора с оэ. Схема включения транзистора с общим эмиттером, основные параметры.
- •31. Схема включения транзистора с общим коллектором, основные параметры.
- •33 32. Основные параметры биполярных транзисторов.
- •35. Модель Эберса- Мола
- •36. Зависимость коэффициента передачи тока от частоты в схеме с общей базой [α(ω)].
- •36. Зависимость коэффициента передачи тока от частоты в схеме с общим эмиттером [β(ω)].
- •37. Дрейфовый транзистор
- •38. Полевой транзистор с р-n переходом.
- •39. Основные характеристики полевых транзисторов
- •40. Основные параметры полевых транзисторов
- •42. Полевой тр-р с изолированным затвором с встроенным каналом.
- •43. Полевой тр-р с изолированным затвором с индуцированным каналом.
- •45, Динистор.
- •48. Однопереходный транзистор.
- •49. Световод инжекционный
- •50. Светодиоды. Устройство и принцип действия.
- •51. Фотоприемники. Фоторезисторы.
- •52. Фототранзистор, фототиристор
- •53. Оптроны. Конструкция и принцип действия. Разновидности и сравнительная характеристика.
- •54. Интегральные микросхемы. Принцип построения. Технологические приемы реализации. Применение.
- •56. Фотолитография. Металлизация.
- •57. Гибридные микросхемы. Принцип построения. Технологические приемы реализации. Применение.
- •59. Способы изоляции м/у компонентами имс и их особенности.
- •60. Интегральные транзистор, диод, резистор, конденсатор
- •61. Совмещенные ис
- •64.Приборы с зарядовой связью.
- •66. Цифровые ис. Основные параметры.
- •63. Транзисторы с инжекционным питанием.
48. Однопереходный транзистор.
Однопереходный тр-р представляет собой полупроводниковый прибор с одним р-п переходом, в котором модуляция сопротивления полупроводника вызвана инжекцией носителей р-п переходом.
ОТ изготавливают из пластины высокоомного полупроводника с электропроводностью п-типа, он имеет 2 невыпрямляющих контакта к п-области и р-п переход, расположенный между ними.

рис. 1. Схема включения однопереходного тр-ра.
Согласно схеме структуры ОТ принимается следующая терминология: электрод от выпрямляющего контакта – эмиттер, электрод от нижнего невыпрямляющего контакта - первая база (Б1) и электрод от верхнего невыпр. контакта - вторая база (Б2). В некоторых случаях ОТ наз. базовым диодом.
На рис. 2 приведем ВАХ ОТ.
![]()
р
ис.
2. Входная ВАХ однопереходного тр-ра (1
– характеристика при отключенной базе).
При откл. Б2 хар-ка выглядит аналогично хар-ке обычного диода.
В триодном включении при большом U между невыпрямляющими контактами Б1 и Б2 переход заперт как при отриц. так и при положит. напряж. Uэ, не превышающих величины внутреннего напряжения UэБ1. Этому режиму соотв. участок хар-ки А-Б на рис. 2, аналогичный хар-ке обрат. вкл. р-п перехода.
При напряж на вх. Uэ=UэБ1 переход отпирается. Падающий участок ВАХ соответств. резкому падению напряж. на вх. Uэ при возрастающем токе Iэ (участок Б-В на рис. 2). Напряжение в точке максимума определяется из выражения Umax ≈ (Eб•R1) / (R1+R2).
49. Световод инжекционный
В основе лежит излучательная рекомбинация – в p-n переход при прямом смещении инжектированные н/о носители рекомбинируют в базе с основными и излучаются кванты света. Излучение может быть инфракрасным, видимым и ультрафиолетовым.
![]()
![]()
![]()
О
сновные
характеристики …
диаграмма направленности.
Определяется
конструкцией и оптическими свойствами
матер
иала
P=f()
Спектральная характеристика B=f()
B-яркость
B0- максимальная яркость
В/В0-относительная яркость
3.Яркостная характеристика B=f(Iд)
4.ВАХ iд=f(U)
а) плоская наиболее простая конструкция.
Рабочая поверхность большая – несколько мм2, но мала эффективность. Используются в матричных устройствах с большой плотностью упаковки.
б) полусферическая конструкция.
Технологически сложней, но выйгрыш в эффективности делает ее более предпочтительнее для ОЭ.
Световод с перестраиваемым цветом свечения
Двухдиодная структура
Каждый из p-n переходов управляется независимо красный и зеленый. Оба – желтый. Изменяя I можно изменять цвет, получая большую гамму излучения.
Может быть использован как индикатор для отображения 4-ех состояний.
На светодиодах может быть построены в интегральном исполнении. Инжекционные лазеры - источники когерентного излучения, которые концентрируют большое количество энергии в узкой спектральной области при высоких КПД и быстродействии.
Недостатки:
1.Низкая эффективность
2. Деградация характеристик при старении.
Достоинства:
механическая прочность высокая надежность малые габариты
низкие рабочие температуры малая потребляемая мощность
безинерционность ИМС можно
Применение: В световых табло, в СУ для ввода и вывода информации.
